格子間欠陥の英語

基板と半導体層との間に発生する応力を緩和しながら、格子定数差に起因する格子欠陥が低減された半導体層を形成することが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a forming method for a nitride-based semiconductor that can form a semiconductor layer where stress that is generated between a substrate and the semiconductor layer is relieved, and at the same time can form the semiconductor layer where a lattice defect due to difference in a lattice constant is reduced. - 特許庁

第１シリコン基板１４は、水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法により育成された空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないインゴットをスライスして形成される。例文帳に追加

The first silicon substrate 14 is formed by slicing an ingot wherein there exists no aggregate of a hole type point defect and a silicon type point defect between lattices that are grown by CZ method in an inactive atmosphere containing hydrogen. - 特許庁

１つ目は下地となるＰ型領域内の歪エネルギーを最小の状態で固定化することで、２つ目は問題となる素子の近傍に線状欠陥領域を設け、素子の重要な接合部中に発生している格子間シリコンを欠陥のＩＧ能力で吸着せしめる。例文帳に追加

Firstly, strain energy in the P-type region as the base is fixed in a minimum state and secondly, a linear defect region is provided nearby an element which may cause a problem to adsorb interstitial silicon produced in an important junction part of the element by the defect IG capability. - 特許庁

２次元フォトニック結晶３は、孔９５が三角格子状に形成された周期構造を有し、その中間部に欠陥導波路部９６が形成されている。例文帳に追加

A two-dimensional photonic crystal 3 has a periodical structure where holes 95 are formed like a triangular lattice and a defect waveguide part 95 is formed in a middle part of the triangular lattice. - 特許庁

本発明の方法は、前記第１の層の元素が空孔拡散するのを制限するために、第１の層（１０２）を格子間欠陥（１０５ａ）で富化させるためのステップ（Ｓ２）を含む。例文帳に追加

The method includes a step (S2) of enriching interstitial defects (105a) of the first layer (102), in order to limit the elements of the first layer from vacancy diffusion. - 特許庁

GaNなどの窒化物半導体結晶の(0001)又は(000-1)面との間の格子整合性を高めて、低欠陥の窒化物半導体結晶をエピタキシャル育成可能な岩塩型遷移金属炭化物単結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a sodium-chloride type transition metal carbide single crystal substrate that increases lattice matching property with a (0001) or (000-1) plane of a nitride semiconductor crystal such as GaN and that allows epitaxial growth of a nitride semiconductor crystal with little defect. - 特許庁

このＲＴＡ処理は、結晶欠陥の原因となる格子間原子を拡散させるが、不純物拡散層の不純物は拡散させないように設定されている。例文帳に追加

The interlattice atoms, which may cause the crystal defect, can be diffused by the above mentioned RTA treatment, but the diffusion of the impurity diffusion layer are not diffused. - 特許庁

回折格子が存在しない領域をレーザ間に設ける場合であっても歪み緩和による欠陥の発生を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device suppressing the occurrence of a defect due to the easing of distortion even when an area in which a diffraction grating does not exist is formed between lasers , and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁