格子間酸素の英語

炭素濃度が5×1015〜5×1017atomos/cm3、格子間酸素濃度が6.5×1017〜13.5×1017atoms/cm3、抵抗率が１００Ωｃｍ以上であるシリコンウェーハとする。例文帳に追加

The silicon wafer has a carbon concentration of 5×10^15-5×10^17 atoms/cm^3, an interstitial oxygen concentration of 6.5×10^17-13.5×10^17 atoms/cm^3, and a resistivity of 100 Ω cm or higher. - 特許庁

シリコンウェーハ２０の格子間酸素濃度を１．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、または、デバイス形成後のシリコンウェーハ２０のＯＳＦ密度を２００００個／ｃｍ^２以下としたので、格子間酸素濃度、ＯＳＦ密度に起因するシリコンウェーハ２０の反りの発生を防止できる。例文帳に追加

Since the interstitial oxygen concentration of a silicon wafer 20 is set at 1.4×10^18 atoms/cm^3 or below or the OSF density of the silicon wafer 20 is set at 20,000/cm^2 or below after devices are provided, the silicon wafer 20 can be protected against warpage caused by the interstitial oxygen concentration or OSF density. - 特許庁

Ｃｅ、Ｚｒ及びＮｄを含み、結晶格子点又は格子点間にＲｈが配置されたＲｈドープＺｒＣｅＮｄ複合酸化物の酸素吸蔵速度を増大させ、排気ガス浄化性能を向上させる。例文帳に追加

To improve exhaust gas purification performance by increasing the oxygen occluding rate of a Rh-doped ZrCeNd composite oxide containing Ce, Zr and Nd and keeping Rh arranged at a crystal lattice point or between the lattice points. - 特許庁

電解質膜層１１０は、ペロブスカイト型プロトン伝導体化合物を用いて製膜され、格子間酸素の欠損への酸素原子導入が起きた状態でプロトン伝導の性質を呈する。例文帳に追加

The electrolyte film layer 110 is formed into a film by using a proton conductive compound of a perovskite structure, and exerts a proton conductive property in a state that an oxygen atom is introduced in an inter-lattice oxygen deficiency. - 特許庁

シリコンインゴット２０から切り出されたシリコンウェーハに対し、格子間酸素密度に応じた酸素雰囲気中アニールを行うことによってＣＯＰを消滅させる。例文帳に追加

A silicon wafer sliced from the silicon ingot 20 is annealed in an oxygen atmosphere according to an interstitial oxygen concentration so as to extinguish crystal originated particles (COP). - 特許庁

よって、格子間酸素の欠損への酸素原子導入が起きた状態を燃料電池起動時に確保できることになるので、プロトン伝導の性質を燃料電池起動当初から発揮しておくことができる。例文帳に追加

Consequently, since a state that an oxygen atom is introduced in the inter-lattice oxygen deficiency can be secured at the start of the fuel cell, a proton conductive property can be kept exerted at the start of the fuel cell. - 特許庁

酸素富裕層(4)を形成した後に、半導体基板(1)に放射線を照射して、半導体基板(1)の結晶格子間に原子空孔を形成すると、酸素と原子空孔とが結合して成る複合欠陥により酸素富裕層(4)に再結合領域(5)が形成される。例文帳に追加

When the oxygen-rich layer (4) is formed, the semiconductor substrate (1) is irradiated with the radiation and atomic vacancies are formed among the crystal lattices of the semiconductor substrate (1), the recombination region (5) is formed to the oxygen-rich layer (4) by composite faults formed by bonding oxygen and the atomic vacancies. - 特許庁

酸化チタンを含む光触媒性コーティング剤であって、前記酸化チタン結晶中の酸素位置に酸素以外のアニオンが置換、または格子間に酸素以外のアニオンが割り込み、または粒界部に酸素以外のアニオンが配してあって、前記光触媒性コーティング剤の分散媒が水系溶媒からなることを特徴とする光触媒性コーティング剤。例文帳に追加

A dispersion medium of the photocatalytic coating agent is composed of an aqueous solvent. - 特許庁