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interstitial oxygenとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 格子間酸素
「interstitial oxygen」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 24件
To correctly measure the density of oxygen in interstitial site, in a low resistance silicon substrate.例文帳に追加
低抵抗シリコン基板中の格子間型酸素の濃度を正確に測定する。 - 特許庁
The interstitial oxygen concentration of the silicon substrate is specified to be 1×10^18 cm^-3 or less for the reason that a degree of oxygen donor formation strongly depends on the interstitial oxygen concentration.例文帳に追加
単結晶シリコン基板の格子間酸素濃度を1×10^18cm^−3以下とするのは、酸素ドナーの形成の度合いが当該格子間酸素濃度に強く依存するためである。 - 特許庁
Preferably, an average value of interstitial oxygen concentration of the silicon wafer is 5×10^17 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加
また、好ましくは、さらに、シリコンウエハの格子間酸素濃度の平均値が、5×10^17atoms/cm^3以下である。 - 特許庁
The silicon wafer has a carbon concentration of 5×10^15-5×10^17 atoms/cm^3, an interstitial oxygen concentration of 6.5×10^17-13.5×10^17 atoms/cm^3, and a resistivity of 100 Ω cm or higher.例文帳に追加
炭素濃度が5×1015〜5×1017atomos/cm3、格子間酸素濃度が6.5×1017〜13.5×1017atoms/cm3、抵抗率が100Ωcm以上であるシリコンウェーハとする。 - 特許庁
Since the interstitial oxygen concentration of a silicon wafer 20 is set at 1.4×10^18 atoms/cm^3 or below or the OSF density of the silicon wafer 20 is set at 20,000/cm^2 or below after devices are provided, the silicon wafer 20 can be protected against warpage caused by the interstitial oxygen concentration or OSF density.例文帳に追加
シリコンウェーハ20の格子間酸素濃度を1.4×10^18atoms/cm^3以下、または、デバイス形成後のシリコンウェーハ20のOSF密度を20000個/cm^2以下としたので、格子間酸素濃度、OSF密度に起因するシリコンウェーハ20の反りの発生を防止できる。 - 特許庁
The electrolyte membrane layer 110 is a thin membrane formed with a perovskite type proton conductor compound, and has proton conductivity in a state conducting an oxygen atom to deficiency of interstitial oxygen and oxygen ion conductivity.例文帳に追加
電解質膜層110は、ペロブスカイト型プロトン伝導体化合物を用いて製膜された薄膜であり、格子間酸素の欠損への酸素原子導入が起きた状態でのプロトン伝導性と、酸素イオン伝導性とを併せ持つ。 - 特許庁
A silicon wafer sliced from the silicon ingot 20 is annealed in an oxygen atmosphere according to an interstitial oxygen concentration so as to extinguish crystal originated particles (COP).例文帳に追加
シリコンインゴット20から切り出されたシリコンウェーハに対し、格子間酸素密度に応じた酸素雰囲気中アニールを行うことによってCOPを消滅させる。 - 特許庁
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「interstitial oxygen」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 24件
This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration.例文帳に追加
CZ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面N−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が8ppma以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が8ppma以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate and a semiconductor device, with which slippage can be persistently prevented during the manufacturing process of a semiconductor device, even in a semiconductor substrate having low interstitial oxygen concentration.例文帳に追加
格子間酸素濃度が低い半導体基板であっても,半導体デバイスの製造過程でスリップの抑制を持続的に図ることが可能な半導体基板および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
A silicon substrate 10 to be used for sticking is a single crystal Si substrate with an interstitial oxygen concentration measured by an infrared absorption method of 1×10^18 cm^-3 or less.例文帳に追加
貼り合わせ用に用いるシリコン基板10は、赤外吸収法で測定された格子間酸素濃度が1×10^18cm^−3以下の単結晶Si基板である。 - 特許庁
A low resistance silicon substrate, a sample 11 to be measured, is pasted with an FZ silicon substrate 12 whose dopant density is 0.01 ppm or below and whose interstitial oxygen density is 1016/cm3 or below.例文帳に追加
被測定の低抵抗シリコン基板の試料11をドーパント濃度が0.01ppm以下で格子間型酸素濃度が10^16/cm^3以下のFZシリコン基板12に貼り合わせる。 - 特許庁
To provide a laminated dielectric isolation wafer which is capable of protecting a support substrate wafer against warpage caused by interstitial oxygen concentration or OSF density and restrained from warping more after devices are formed and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
格子間酸素濃度またはOSF密度に起因した支持基板用ウェーハの反りの発生を防止し、デバイス形成後に反りが増大しない貼り合わせ誘電体分離ウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Taking the interstitial oxygen concentration of the silicon substrate 1×10^18 cm^-3 or less can decrease the fluctuation in the electric characteristics (resistivity) of a silicon layer (SOI layer) of the SOI substrate to a degree free from problems in practical use.例文帳に追加
結晶シリコン基板の格子間酸素濃度を1×10^18cm^−3以下とすれば、SOI基板のシリコン層(SOI層)の電気的特性(抵抗率)の変動が実用上問題ない程度に抑えられる。 - 特許庁
The high-resistance silicon wafer has a resistivity of ≥100 Ωcm, an interstitial oxygen concentration of ≤8×10^17 atoms/cm^3 (measured according to ASTM F121-1979) and an oxygen deposit (BMD: Bulk Micro Defect) density of ≤5×10^7 pieces/cm^3.例文帳に追加
100Ω・cm以上の抵抗率を有する高抵抗シリコンウェーハであって、該ウェーハ中の格子間酸素濃度が8×10^17atoms/cm^3( ASTM F121-1979 )以下で、且つ該ウェーハ内部の酸素析出物( BMD: Bulk Micro Defect )密度が5×10^7個/cm^3以下であることを特徴とする高抵抗シリコンウェーハ。 - 特許庁
To provide an organic material of a high-molecular weight polymer composed of different types of monomers used for glucouse sensor or oxygen sensor that is immersed for substantial periods of time in blood or interstitial fluid in the body.例文帳に追加
血液又は人の体の間質液における時間の実質的な周期に浸漬させられる、ブドウ糖のセンサーにおける又は酸素のセンサーにおける使用に適切な、異なるタイプの単量体の単位からなる高分子量の重合体の有機材料を提供する。 - 特許庁
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