interstitial oxygenとは 意味・読み方・使い方

A silicon substrate 10 to be used for sticking is a single crystal Si substrate with an interstitial oxygen concentration measured by an infrared absorption method of 1×10^18 cm^-3 or less.例文帳に追加

貼り合わせ用に用いるシリコン基板１０は、赤外吸収法で測定された格子間酸素濃度が１×１０^１８ｃｍ^−３以下の単結晶Ｓｉ基板である。 - 特許庁

A low resistance silicon substrate, a sample 11 to be measured, is pasted with an FZ silicon substrate 12 whose dopant density is 0.01 ppm or below and whose interstitial oxygen density is 1016/cm3 or below.例文帳に追加

被測定の低抵抗シリコン基板の試料１１をドーパント濃度が０．０１ｐｐｍ以下で格子間型酸素濃度が１０^16／ｃｍ^3以下のＦＺシリコン基板１２に貼り合わせる。 - 特許庁

This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration.例文帳に追加

ＣＺ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。 - 特許庁

The high-resistance silicon wafer has a resistivity of ≥100 Ωcm, an interstitial oxygen concentration of ≤8×10^17 atoms/cm^3 (measured according to ASTM F121-1979) and an oxygen deposit (BMD: Bulk Micro Defect) density of ≤5×10^7 pieces/cm^3.例文帳に追加

１００Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有する高抵抗シリコンウェーハであって、該ウェーハ中の格子間酸素濃度が８×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3（ ASTM F121-1979 )以下で、且つ該ウェーハ内部の酸素析出物（ BMD: Bulk Micro Defect ）密度が５×１０^７個／ｃｍ^３以下であることを特徴とする高抵抗シリコンウェーハ。 - 特許庁

To provide a laminated dielectric isolation wafer which is capable of protecting a support substrate wafer against warpage caused by interstitial oxygen concentration or OSF density and restrained from warping more after devices are formed and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

格子間酸素濃度またはＯＳＦ密度に起因した支持基板用ウェーハの反りの発生を防止し、デバイス形成後に反りが増大しない貼り合わせ誘電体分離ウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate and a semiconductor device, with which slippage can be persistently prevented during the manufacturing process of a semiconductor device, even in a semiconductor substrate having low interstitial oxygen concentration.例文帳に追加

格子間酸素濃度が低い半導体基板であっても，半導体デバイスの製造過程でスリップの抑制を持続的に図ることが可能な半導体基板および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Taking the interstitial oxygen concentration of the silicon substrate 1×10^18 cm^-3 or less can decrease the fluctuation in the electric characteristics (resistivity) of a silicon layer (SOI layer) of the SOI substrate to a degree free from problems in practical use.例文帳に追加

結晶シリコン基板の格子間酸素濃度を１×１０^１８ｃｍ^−３以下とすれば、ＳＯＩ基板のシリコン層（ＳＯＩ層）の電気的特性（抵抗率）の変動が実用上問題ない程度に抑えられる。 - 特許庁

The silicon wafer is obtained by processing single crystal grown by a Czochralski method, a rapid temperature rising/falling heat treatment of ≤10 seconds is applied to the wafer having an initial interstitial oxygen concentration of ≥1.4×10^18atoms/cc (ASTM F-121, 1979).例文帳に追加

チョクラルスキー法によって育成された単結晶から加工されたシリコンウェーハであって、初期格子間酸素濃度が１．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｃ（ＡＳＴＭ Ｆ−１２１，１９７９）以上のウェーハに、１０秒以下の急速昇降温熱処理を施す。 - 特許庁