格子間窒素の英語

リチウム原子と窒素原子とが共に１０^１７ｃｍ^−３以上含まれており、リチウム原子が炭素原子の格子間位置に、窒素原子が炭素原子の置換位置に、それぞれドープされ、リチウム原子と窒素原子は互いに隣接している構造を持つ低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンド。例文帳に追加

The low-resistance n-type semiconductor diamond contains both lithium and nitrogen atoms at a rate of 10^17cm^-3 or above, lithium atoms are doped at the interstitial position of carbon atoms, and nitrogen atoms are doped at the substitutional position of carbon atoms, and the lithium atoms and nitrogen atoms are so structured as to be located adjacent to each other. - 特許庁

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。例文帳に追加

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7. - 特許庁

ＣＺ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。例文帳に追加

This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration. - 特許庁

アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記ＩＩＩ族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。例文帳に追加

A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and group III atoms that include at least gallium atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises a diffusion-promoting material for diffusing interstitial atoms of the group III atoms as an additive. - 特許庁

急速加熱炉を用い、シリコンウェーハを、アンモニアあるいは窒素ガスの雰囲気下、１１５０℃で１０秒間熱処理してウェーハ内部に空孔を注入し、これに連続してウェーハを酸素ガスの雰囲気下、１１５０℃、１秒間熱処理し、高濃度の空孔や空孔クラスターに格子間シリコンを注入して対消滅させた。例文帳に追加

Using a rapid heating furnace, a silicon wafer is heat-treated for 10 second at 1,150°C under an atmosphere of ammonia or nitrogen gas in order to inject vacancies into the wafer, and then the wafer is heat-treated consecutively for 1 second at 1,150°C under an atmosphere of oxygen gas in order to inject interstitial silicon into high density vacancies or vacancy clusters thus causing pair annihilation. - 特許庁

ＣＺ法により窒素をドープし或はドープなしで育成されたシリコン単結晶棒からスライスして得られたシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハの全面が、ＮＶ領域、ＯＳＦリング領域を含むＮＶ領域、ＯＳＦリング領域のいずれかであり、かつ格子間酸素濃度が１４ｐｐｍａ以下であるシリコンウエーハおよびその製造方法並びにシリコンウエーハの欠陥領域を評価する方法。例文帳に追加

In the method for evaluating the defect area of the silicon wafer, at least two oxygen deposit densities measured by some specific stages are compared. - 特許庁

ＣＺ法により窒素をドープし或はドープなしで育成されたシリコン単結晶棒からスライスして得られたシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハの全面が、ＮＶ領域、ＯＳＦリング領域を含むＮＶ領域、ＯＳＦリング領域のいずれかであり、かつ格子間酸素濃度が１４ｐｐｍａ以下であるシリコンウエーハおよびその製造方法並びにシリコンウエーハの欠陥領域を評価する方法。例文帳に追加

The method of producing such silicon wafer and the method of evaluating defect area of the silicon wafer are also provided. - 特許庁