「格子間欠陥」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

格子欠陥領域５３、５４にはＰＮ接合が形成されないので、Ｎ^+領域１４とＰ^+領域１５、１６との間の寄生容量が少ない。例文帳に追加

Since a P-N junction is not formed in the lattice defect regions 53 and 54, the parasitic capacity among the N+ region 14 and the P+ regions 15 and 16 is reduced. - 特許庁

空孔が優勢となるＶリッチ領域と格子間原子が優勢となるＩリッチ領域が結晶軸方向に形成され、両者の境界部で空孔と格子間原子の対消滅により無欠陥部が形成される。例文帳に追加

Thereby, V-enriched area wherein vacancies are predominant and I-enriched area wherein interstitial atoms are predominant are formed in the crystal axis direction, and a part free from defects is formed because of the annihilation of the vacancies and interstitial atoms by coupling at the boundary part of both areas. - 特許庁

基板と半導体層との間に発生する応力を緩和しながら、格子定数差に起因する格子欠陥が低減された半導体層を形成することが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a forming method for a nitride-based semiconductor that can form a semiconductor layer where stress that is generated between a substrate and the semiconductor layer is relieved, and at the same time can form the semiconductor layer where a lattice defect due to difference in a lattice constant is reduced. - 特許庁

第１シリコン基板１４は、水素を含む不活性雰囲気中でＣＺ法により育成された空孔型点欠陥の凝集体及び格子間シリコン型点欠陥の凝集体がそれぞれ存在しないインゴットをスライスして形成される。例文帳に追加

The first silicon substrate 14 is formed by slicing an ingot wherein there exists no aggregate of a hole type point defect and a silicon type point defect between lattices that are grown by CZ method in an inactive atmosphere containing hydrogen. - 特許庁

１つ目は下地となるＰ型領域内の歪エネルギーを最小の状態で固定化することで、２つ目は問題となる素子の近傍に線状欠陥領域を設け、素子の重要な接合部中に発生している格子間シリコンを欠陥のＩＧ能力で吸着せしめる。例文帳に追加

Firstly, strain energy in the P-type region as the base is fixed in a minimum state and secondly, a linear defect region is provided nearby an element which may cause a problem to adsorb interstitial silicon produced in an important junction part of the element by the defect IG capability. - 特許庁

２次元フォトニック結晶３は、孔９５が三角格子状に形成された周期構造を有し、その中間部に欠陥導波路部９６が形成されている。例文帳に追加

A two-dimensional photonic crystal 3 has a periodical structure where holes 95 are formed like a triangular lattice and a defect waveguide part 95 is formed in a middle part of the triangular lattice. - 特許庁

本発明の方法は、前記第１の層の元素が空孔拡散するのを制限するために、第１の層（１０２）を格子間欠陥（１０５ａ）で富化させるためのステップ（Ｓ２）を含む。例文帳に追加

The method includes a step (S2) of enriching interstitial defects (105a) of the first layer (102), in order to limit the elements of the first layer from vacancy diffusion. - 特許庁

GaNなどの窒化物半導体結晶の(0001)又は(000-1)面との間の格子整合性を高めて、低欠陥の窒化物半導体結晶をエピタキシャル育成可能な岩塩型遷移金属炭化物単結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a sodium-chloride type transition metal carbide single crystal substrate that increases lattice matching property with a (0001) or (000-1) plane of a nitride semiconductor crystal such as GaN and that allows epitaxial growth of a nitride semiconductor crystal with little defect. - 特許庁

このＲＴＡ処理は、結晶欠陥の原因となる格子間原子を拡散させるが、不純物拡散層の不純物は拡散させないように設定されている。例文帳に追加

The interlattice atoms, which may cause the crystal defect, can be diffused by the above mentioned RTA treatment, but the diffusion of the impurity diffusion layer are not diffused. - 特許庁

回折格子が存在しない領域をレーザ間に設ける場合であっても歪み緩和による欠陥の発生を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device suppressing the occurrence of a defect due to the easing of distortion even when an area in which a diffraction grating does not exist is formed between lasers , and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

ＩＧＢＴにおいて、素子特性の変動を招くことなく半導体層にキャリア再結合のための格子欠陥領域を形成してターンオフ時間を短縮化する。例文帳に追加

To shorten a turn-off time by forming a lattice defect region for a recombination of carriers in a semiconductor layer without causing fluctuation in device characteristics in IGBT. - 特許庁

低い格子欠陥密度で良質なＳｉＣ単結晶を、高い成長速度で、かつ長時間安定して成長させることのできるＳｉＣ単結晶製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal, which can grow the SiC single crystal of excellent quality with a low density of lattice defects at a high growing rate stably for a long period of time. - 特許庁

その結果、シリコン単結晶９内で空孔が格子間シリコンとの対消滅によって同時に消滅し、空孔クラスタによる欠陥（ＣＯＰ、ＦＰＤなど）の発生が抑制される。例文帳に追加

Consequently, the vacancies simultaneously diminish by pair annihilation with the interstitial silicon in the silicon single crystal 9, and occurrence of defects (COP (crystal originated particle), FPD (flow pattern deft), or the like) caused by vacancy clusters is suppressed. - 特許庁

繊細な溶接が可能で支持格子間の溶接ビードサイズを小さくし、溶接部位の欠陥を減少させ、冷却水の圧力降下を減少させる。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method in which fine welding is possible, and the welded bead of each strap connection between inner grid straps can have a small size, the number of welding defects can be reduced, and the pressure drop of a cooling water can be reduced. - 特許庁

その後、連続してランプ炉内でウェーハを酸化性ガスの雰囲気下、１１５０℃で１０秒熱処理し、ボイド欠陥に格子間シリコンを注入する第２熱処理工程を施す。例文帳に追加

Subsequently, the wafer is subjected to continuous annealing for 10 seconds at 1,150°C under an atmosphere of oxidizing gas in the lamp furnace, as a second annealing step for injecting interstitial silicon into the void defect. - 特許庁

これにより、格子定数差および熱膨張係数差によりクラッド層１４とガイド層１５との間に生じる歪みが緩和され、転位などの結晶欠陥の発生が抑制される。例文帳に追加

Thus the strain generated between the layer 14 and the layer 15 is alleviated by a grating constant difference and a thermal expansion coefficient difference, and the crystal defect such as dislocation or the like is suppressed. - 特許庁

結晶格子の空孔またはシリコンの自己格子間原子の凝集から生じる欠陥を実質に含まない、実質的な半径方向の幅の軸対称領域を含有するデバイス層を有するシリコン・オン・インシュレーター構造体の提供。例文帳に追加

To provide a silicon on insulator structure having a device layer which is substantially free of defects caused by vacancies of a crystal lattice or agglomeration of self-interstitial atoms in silicon and involves an axially symmetric region substantially having a width in a radial direction. - 特許庁

その結果、回折格子の間の溝部の領域を拡げられるため、回折格子形成時に用いられるマスク材の除去効果の向上が図られ、内部の転位(結晶欠陥)密度の低減を実現し、素子信頼性の向上効果を得ることができる。例文帳に追加

As a result, the area of grooves among the diffraction gratings are expanded so as to improve the removal effect of a mask material to be used during the formation of the diffraction gratings, reduce the density of internal dislocation (crystal defect), and attain the improved reliability for an element. - 特許庁

本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ１０の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域（ＤＺ層）１２内に固溶酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域１２内には、格子間シリコン１４が過飽和状態で含有されている。例文帳に追加

The silicon wafer has a high-oxygen-concentration region where a solid solution oxygen concentration is ≥0.7×10^18 atoms/cm^3 in a no-defect region (DZ layer) 12 including at least the device active region of the silicon wafer 10, and contains interstitial silicon 14 in the no-defect region 12 in a supersaturation state. - 特許庁

発光ダイオードにおいて、単結晶間の界面特性を向上させるため非−単結晶物質からなる中間層を形成し単結晶間に発生する格子不整合による欠陥を減少させ輝度特性と順方向電圧特性を大幅に向上させる。例文帳に追加

To form an intermediate layer made of nonsingle crystalline material in a light-emitting diode to improve the boundary characteristics between single crystals, to reduce defects due to lattice mismatch generating between the single crystals, and to greatly improve the luminance characteristic and forward voltage characteristic. - 特許庁

発光ダイオードにおいて、単結晶間の界面特性を向上させるため非−単結晶物質からなる中間層を形成し単結晶間に発生する格子不整合による欠陥を減少させ輝度特性と順方向電圧特性を大幅に向上させる。例文帳に追加

To significantly improve the brightness characteristics and forward voltage characteristics related to a light-emitting diode, by forming an intermediate layer of non-single crystal substance for improved interface characteristics among single crystals. - 特許庁

酸素富裕層(4)を形成した後に、半導体基板(1)に放射線を照射して、半導体基板(1)の結晶格子間に原子空孔を形成すると、酸素と原子空孔とが結合して成る複合欠陥により酸素富裕層(4)に再結合領域(5)が形成される。例文帳に追加

When the oxygen-rich layer (4) is formed, the semiconductor substrate (1) is irradiated with the radiation and atomic vacancies are formed among the crystal lattices of the semiconductor substrate (1), the recombination region (5) is formed to the oxygen-rich layer (4) by composite faults formed by bonding oxygen and the atomic vacancies. - 特許庁

Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない直胴部を持ち、格子間酸素濃度［Ｏｉ］が１．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ 以上のシリコンインゴットから切り出したウェーハに１０００℃以上で１０秒以下の急速昇降温熱処理を施す。例文帳に追加

A thermal treatment with rapid heating up and down is performed at ≥1,000°C for ≤10 seconds on a wafer obtained by cutting a silicon ingot having a straight drum portion free of a Grown-in defect and having an interstitial oxygen concentration [Oi] of ≥1.4×10^18 atoms/cm^3. - 特許庁

本発明の方法は、シリコン自己格子間物が移動性である温度範囲内で、成長条件、例えば成長速度ｖ、瞬時軸温度勾配Ｇ_０、および冷却速度を、凝集欠陥を形成しないように調節することを含んでなる。例文帳に追加

The method of producing the single crystal silicon comprises controlling growing conditions, such as, growth velocity v, an instantaneous axial temperature gradient G_0, and a cooling rate, within a range of temperatures at which silicon self-interstitials are mobile, in order to prevent the formation of the agglomerated defects. - 特許庁

Ｉ−リッチ領域に入る引上げ成長条件でシリコン単結晶を引き上げ成長させるに際して、シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位で、格子間型点欠陥を起点にしてスリップが発生しないようにする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon wafer where slip starting from an interstitial spot defect does not occur at a portion from the shoulder part to the top of the cylindrical part of a silicon single crystal when the silicon single crystal is pulled and grown at the condition of entering in an I-rich zone. - 特許庁

プラスチック材料からなる基材フィルムの少なくとも片面に、蒸着薄膜層と、少なくとも水溶性高分子を含むコーティング剤を塗布、加熱乾燥してなる中間被膜層と、格子欠陥のある金属酸化物からなる蒸着薄膜層とを少なくとも順次積層させる。例文帳に追加

The film laminate comprises a substrate film of a plastic material at least on one site of which a deposited thin film layer, an intermediate film layer obtained by heat-drying of a coating agent containing at least a water soluble polymer, and a deposited thin film layer of a lattice deficient metal oxide are laminated in this order. - 特許庁

本発明の方法は、シリコン自己格子間物が移動性である温度範囲内で、成長条件、例えば成長速度ｖ、瞬時軸温度勾配Ｇ_０、および冷却速度を、凝集欠陥を形成しないように調節することを含んでなる。例文帳に追加

The method comprises controlling growth conditions, such as growth velocity v, instantaneous axial temperature gradient G_o, and the cooling rate, within a range of temperatures at which silicon self-interstitials are mobile, in order to prevent the formation of the agglomerated defects. - 特許庁

画素キャパシタの充電時間を制御することにより画素階調の拡張を実現し、表示可能な色の数量を大幅に増加するとともに、人の目の残留と視覚惰性の特性を利用する時に視覚で格子状の縞を形成する可能性のある欠陥を克服することを目的とする。例文帳に追加

To realize the expansion of a pixel gradation by controlling the charging time of a pixel capacitor, to massively increase the quantity of colors which can be displayed and to eliminate defects which can form lattice like stripe pattern in a vision when making use of human eye residual and vision inertia property. - 特許庁

半導体デバイスの素材などに用いられるシリコン単結晶をＣＺ法で育成するとき、シリコン単結晶の生産性を高めると同時に、点欠陥（空孔および格子間シリコン）に起因するシリコン単結晶の品質低下を避ける。例文帳に追加

To increase the productivity of a silicon single crystal and to avoid lowering in the quality of the single crystal, resulting from point defects (vacancies and interstitial silicon) when the silicon single crystal used as a base material, or the like, of a semiconductor device is grown by a CZ method. - 特許庁

重金属で構成されたドレイン電極１０及びソース電極２８を備えるＩＧＢＴにおいて、基板１２上に形成されたｎエピタキシャル層１４のｎドリフト領域にキャリアの再結合を促しターンオフ時間を短縮化させる格子欠陥領域３２を形成する際に、１．０×１０^11／ｃｍ^2以下の照射量でドレイン電極１０を介してイオンを照射して格子欠陥領域３２を形成する。例文帳に追加

In an IGBT having a drain electrode 10 made of a heavy metal and a source electrode 28, a lattice defect region 32 for promoting the recombination of carriers and shortening a turn-off time is formed in an (n) drift region of an (n) epitaxial layer 14 formed on a substrate 12 by applying ions at an amount of 1.0×1011/cm2 or less through the drain electrode 10. - 特許庁

格子定数差を持つ材料間で、または物性が大きく異なる材料間でヘテロ界面を形成した場合、界面にはミスフィット転移や格子空孔などに代表される種々の欠陥が形成され、電子散乱によりシート抵抗値は上昇し、ホール素子の感度の低下を導き、特性の劣化を引き起こす。例文帳に追加

To solve the problem that, when a hetero interface is formed between materials having different lattice constants or large physical properties, various kinds of defects typified by the misfit dislocation, lattice vacancy, etc., are formed in the interface and the sheet resistivity is raised by electron scattering, resulting in the sensitivity drop and deterioration in characteristics of a Hall element. - 特許庁

ＣＺ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。例文帳に追加

This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration. - 特許庁

ＣＺ法により窒素をドープし或はドープなしで育成されたシリコン単結晶棒からスライスして得られたシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハの全面が、ＮＶ領域、ＯＳＦリング領域を含むＮＶ領域、ＯＳＦリング領域のいずれかであり、かつ格子間酸素濃度が１４ｐｐｍａ以下であるシリコンウエーハおよびその製造方法並びにシリコンウエーハの欠陥領域を評価する方法。例文帳に追加

In the method for evaluating the defect area of the silicon wafer, at least two oxygen deposit densities measured by some specific stages are compared. - 特許庁

半導体デバイス用エピタキシャルウェハは、半絶縁ＧａＡｓ基板１とサブコレクタ層２との間にｕｎ−ＧａＡｓ層１０とｕｎ−ＡｌＧａＡｓ層１１とを複数回交互に成長させた超格子構造層１２がバッファ層として機能するので、半絶縁ＧａＡｓ基板１に欠陥があっても影響を受けることがない。例文帳に追加

In this epitaxial wafer for semiconductor device, a superlattice structure layer 12, in which un-GaAs layers 10 and un-AlGaAs layers 11 are grown alternately plural number of times between a semi-insulating GaAs substrate 1 and a subcollector layer 2 acts as a buffer layer, so that when defects exist in the semi-insulating GaAs substrate 1, the wafer is not affected by the defects. - 特許庁

ベースウエーハ２２が、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶であり、該ウエーハ全面がＯＳＦ領域の外側であって、Ｃｕデポジション法により検出される欠陥領域を含まず、且つ格子間シリコンに起因した転位クラスタが存在するＩ領域を含むものからなることを特徴とするＳＯＩウエーハ２６。例文帳に追加

The base wafer 22 of the SOI wafer is composed of a single silicon crystal grown by the Czockralski method and the whole surface of the wafer 22 is on the outside of an OSF region, does not contain the defective region detected by the Cu deposition method, and contains an I region in which the dislocation cluster caused by interstitial silicon exists. - 特許庁

ＣＺ法により窒素をドープし或はドープなしで育成されたシリコン単結晶棒からスライスして得られたシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハの全面が、ＮＶ領域、ＯＳＦリング領域を含むＮＶ領域、ＯＳＦリング領域のいずれかであり、かつ格子間酸素濃度が１４ｐｐｍａ以下であるシリコンウエーハおよびその製造方法並びにシリコンウエーハの欠陥領域を評価する方法。例文帳に追加

The method of producing such silicon wafer and the method of evaluating defect area of the silicon wafer are also provided. - 特許庁