interstitial diffusionとは 意味・読み方・使い方

Thereby, the silicon single crystal 9 vibrates during growth, an interstitial silicon concentration is increased, and the diffusion of the interstitial silicon having a long diffusion length is accelerated even when the pulling speed is increased.例文帳に追加

すると、引き上げ速度を上げても、シリコン単結晶９が、その育成中に振動して格子間シリコン濃度を増し、拡散長の長い格子間シリコンの拡散が促進される。 - 特許庁

In an iron or steel containing an interstitial type solution element, a phenomenon caused by diffusion phenomenon of the interstitial type element, concretely, aging and decarburizing, is controlled by applying the strong magnetic field.例文帳に追加

侵入型の固溶元素を含む鉄又は鋼であって、侵入型元素の拡散現象により引き起こされる現象、より、具体的には、時効、脱炭を、強磁場をかけることで制御する。 - 特許庁

The method includes a step (S2) of enriching interstitial defects (105a) of the first layer (102), in order to limit the elements of the first layer from vacancy diffusion.例文帳に追加

本発明の方法は、前記第１の層の元素が空孔拡散するのを制限するために、第１の層（１０２）を格子間欠陥（１０５ａ）で富化させるためのステップ（Ｓ２）を含む。 - 特許庁

A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and group III atoms that include at least gallium atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises a diffusion-promoting material for diffusing interstitial atoms of the group III atoms as an additive.例文帳に追加

アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記ＩＩＩ族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。 - 特許庁

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。 - 特許庁