Interstitial defectとは 意味・読み方・使い方

SELF-INTERSTITIAL DOMINATED SILICON HAVING LOW DEFECT DENSITY例文帳に追加

低欠陥密度の自己格子間物優勢シリコン - 特許庁

Subsequently, the wafer is subjected to continuous annealing for 10 seconds at 1,150°C under an atmosphere of oxidizing gas in the lamp furnace, as a second annealing step for injecting interstitial silicon into the void defect.例文帳に追加

その後、連続してランプ炉内でウェーハを酸化性ガスの雰囲気下、１１５０℃で１０秒熱処理し、ボイド欠陥に格子間シリコンを注入する第２熱処理工程を施す。 - 特許庁

Firstly, strain energy in the P-type region as the base is fixed in a minimum state and secondly, a linear defect region is provided nearby an element which may cause a problem to adsorb interstitial silicon produced in an important junction part of the element by the defect IG capability.例文帳に追加

１つ目は下地となるＰ型領域内の歪エネルギーを最小の状態で固定化することで、２つ目は問題となる素子の近傍に線状欠陥領域を設け、素子の重要な接合部中に発生している格子間シリコンを欠陥のＩＧ能力で吸着せしめる。 - 特許庁

The high-resistance silicon wafer has a resistivity of ≥100 Ωcm, an interstitial oxygen concentration of ≤8×10^17 atoms/cm^3 (measured according to ASTM F121-1979) and an oxygen deposit (BMD: Bulk Micro Defect) density of ≤5×10^7 pieces/cm^3.例文帳に追加

１００Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有する高抵抗シリコンウェーハであって、該ウェーハ中の格子間酸素濃度が８×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3（ ASTM F121-1979 )以下で、且つ該ウェーハ内部の酸素析出物（ BMD: Bulk Micro Defect ）密度が５×１０^７個／ｃｍ^３以下であることを特徴とする高抵抗シリコンウェーハ。 - 特許庁

A thermal treatment with rapid heating up and down is performed at ≥1,000°C for ≤10 seconds on a wafer obtained by cutting a silicon ingot having a straight drum portion free of a Grown-in defect and having an interstitial oxygen concentration [Oi] of ≥1.4×10^18 atoms/cm^3.例文帳に追加

Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない直胴部を持ち、格子間酸素濃度［Ｏｉ］が１．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ 以上のシリコンインゴットから切り出したウェーハに１０００℃以上で１０秒以下の急速昇降温熱処理を施す。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon wafer where slip starting from an interstitial spot defect does not occur at a portion from the shoulder part to the top of the cylindrical part of a silicon single crystal when the silicon single crystal is pulled and grown at the condition of entering in an I-rich zone.例文帳に追加

Ｉ−リッチ領域に入る引上げ成長条件でシリコン単結晶を引き上げ成長させるに際して、シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位で、格子間型点欠陥を起点にしてスリップが発生しないようにする。 - 特許庁

The ingot thus pulled is sliced into zones V rich in vacancy containing each vacancy mass at the center and a plurality of semi-zero defect wafers W_1 to W_4 having a zero defect zone P free from a vacancy mass and an interstitial mass though being positioned between the zone V rich in vacancy and the edge part of the wafers.例文帳に追加

このように引上されたインゴットは各べーカンシー固まりを含むその中央のべーカンシー豊富領域Ｖと、べーカンシー豊富領域Ｖとウェーハの縁部分の間に位置しながらべーカンシー固まり及びインタースチシャル固まりがない無欠陥領域Ｐを有する複数個のセミ-無欠陥ウェーハＷ_１乃至Ｗ_４にスライシングされる。 - 特許庁