interstitial concentrationとは 意味・読み方・使い方

These apparatus and the method are particularly suitable for determining a glucose concentration in the sample or specially the glucose concentration in a blood, a blood fraction or an interstitial fluid.例文帳に追加

これらの装置および方法は特に生理学的サンプルを収集して当該サンプル中のグルコース濃度、とりわけ、血液、血液フラクションまたは間質液中のグルコース濃度を決定するために適している。 - 特許庁

A silicon wafer sliced from the silicon ingot 20 is annealed in an oxygen atmosphere according to an interstitial oxygen concentration so as to extinguish crystal originated particles (COP).例文帳に追加

シリコンインゴット２０から切り出されたシリコンウェーハに対し、格子間酸素密度に応じた酸素雰囲気中アニールを行うことによってＣＯＰを消滅させる。 - 特許庁

Medical knowledge is just acquired that the risk of interstitial changes increases if the serum indium concentration is 3 μ g/L or higher.例文帳に追加

血清インジウム濃度については、3μg／Ｌ以上である場合には肺間質性変化のリスクが増加するとの医学的知見が得られたところである。 - 厚生労働省

A strip-like microneedle device is provided that includes an array of hollow microneedles, a diaphragm pump to extract interstitial fluid from skin, and a sensor that detects the concentration of the fluid.例文帳に追加

中空の微小針アレイと、皮膚から間質液を抽出するダイヤフラムポンプと、流体濃度を検出するセンサとを包含するストリップ様微小針装置が提供される。 - 特許庁

Especially workers who reported the serum indium concentration of 3μ g/L or higher in the past should be reminded of a possibility to develop the interstitial pneumonitis and emphysematous changes.例文帳に追加

特に、過去、血清インジウム濃度が3μg/L以上である者の場合は、肺の間質性変化及び気腫性変化等が進行する可能性があることに留意すべきである。 - 厚生労働省

A silicon substrate 10 to be used for sticking is a single crystal Si substrate with an interstitial oxygen concentration measured by an infrared absorption method of 1×10^18 cm^-3 or less.例文帳に追加

貼り合わせ用に用いるシリコン基板１０は、赤外吸収法で測定された格子間酸素濃度が１×１０^１８ｃｍ^−３以下の単結晶Ｓｉ基板である。 - 特許庁

To detect the health effects of ITO, etc. in the early stage, the serum indium concentration and serum KL-6 value, a serum markers for interstitial pneumonitis, are known useful indicators..例文帳に追加

ＩＴＯ等による健康影響を早期に発見する上では、血清インジウム濃度及び間質性肺炎の血液マーカーである血清KL-6値等が有用であることが知られている。 - 厚生労働省

This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration.例文帳に追加

ＣＺ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。 - 特許庁