熱拡散度の英語

低濃度のウェハと高濃度のフィルム状拡散ソースとを積み重ねて加熱し，フィルム状拡散ソースから不純物をウェハに拡散する。例文帳に追加

Impurities are diffused into wafers from a filmy diffusing source by piling and heating the low concentration wafers and the high concentration film-like source (step 1). - 特許庁

拡散炉の内部の温度を正確に測定することができる拡散炉用熱電対を得る。例文帳に追加

To provide a thermocouple for a diffusion furnace capable of accurately measuring the temperature inside the diffusion furnace. - 特許庁

次に、第２の拡散工程において、上記拡散層源１２からウェーハ内部に不純物を熱拡散させ、ウェーハ１１の上記径方向に拡散深さが増大する高濃度不純物拡散層１９を形成する。例文帳に追加

Next, in a second diffusion step, the impurities are thermally diffused from the diffusion layer source 12 to inside the wafer, and a heavily-doped impurity diffusion layer 19, which increases a diffusion depth in the diametric direction of the wafer 11, is formed. - 特許庁

また、下側保水熱拡散部８は熱を拡散するので、下側保水熱拡散部８において蒸気発生ヒータ９に接する部分の熱が拡散し、その部分以外の部分の温度が上がる。例文帳に追加

Further since the lower water-holding heat diffusing section 8 diffuses heat, the heat of the part contacting with the steam generation heater 9 of the lower water-holding heat diffusing section 8 is diffused, and the temperature of the part excluding the part contacting with the heater rises. - 特許庁

次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱し、しかる後、これよりも高い温度で加熱してリンを半導体基板１に拡散する。例文帳に追加

The substrate 1 is heated at a temperature lower than the phosphorus diffusion temperature and the phosphorus is diffused in the semiconductor substrate 1. - 特許庁

次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱し、しかる後、これよりも高い温度で加熱してリンを半導体基板１１に拡散する。例文帳に追加

Next, the film 11 is heated at a temperature lower than the phosphorous diffusion temperature, and it subsequently is heated at a temperature higher than the phosphorous diffusion temperature to diffuse phosphorous in the semiconductor substrate 11. - 特許庁

縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源５１と、拡散源に外周部のみ接する支持基板５２を重ね、拡散源に対向して配置したＳｉ基板４１へ高濃度のボロンを熱拡散させる。例文帳に追加

In the vertical furnace, a solid diffusion source 51 based on B2O3 is superposed on a supporting substrate 52 contacting the diffusion source only by an outer peripheral part, and the high-density boron is diffused thermally to the Si substrate 41 arranged opposite to the diffusion source. - 特許庁