「熱拡散度」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱し、しかる後、これよりも高い温度で加熱してリンを半導体基板１１に拡散する。例文帳に追加

Next, the film 11 is heated at a temperature lower than the phosphorous diffusion temperature, and it subsequently is heated at a temperature higher than the phosphorous diffusion temperature to diffuse phosphorous in the semiconductor substrate 11. - 特許庁

縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源５１と、拡散源に外周部のみ接する支持基板５２を重ね、拡散源に対向して配置したＳｉ基板４１へ高濃度のボロンを熱拡散させる。例文帳に追加

In the vertical furnace, a solid diffusion source 51 based on B2O3 is superposed on a supporting substrate 52 contacting the diffusion source only by an outer peripheral part, and the high-density boron is diffused thermally to the Si substrate 41 arranged opposite to the diffusion source. - 特許庁

第１の拡散シート１２の熱膨張の程度と第２の拡散シート１８の熱膨張の程度とは略同一である。例文帳に追加

The degree of thermal expansion of the first diffusion sheet 12 is substantially equal to the degree of thermal expansion of the second diffusion sheet 18. - 特許庁

温度検出器１１は、熱拡散板１０に設置されている。例文帳に追加

The temperature detector 11 is placed on the heat-diffusion plate 10. - 特許庁

酸素プラズマ耐性、力学的強度、熱拡散効率、吸湿性・透湿性、耐熱性、不純物拡散に対するバリア効果を向上させること。例文帳に追加

To improve oxygen plasma resistance, mechanical strength, heat diffusion efficiency, hygroscopicity/moisture permeability, heat resistance and barrier effects with respect to impurity diffusion. - 特許庁

急峻な壁面を有する溝を精度良く形成し、熱拡散を良好にした熱拡散装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thermal diffusion device capable of forming a groove having a steep wall surface with favorable accuracy to improve thermal diffusion. - 特許庁

次に、Ａｌの拡散温度よりも低い温度で加熱してガラス膜を形成し、しかる後、Ａｌを半導体基板１に拡散する。例文帳に追加

Subsequently, a glass film is formed by heating it at a temperature lower than the diffusion temperature of Al and Al is diffused to the semiconductor substrate 1. - 特許庁

エッチングによるトレンチ７の幅の制御は、熱拡散による不純物の拡散量よりも精度良く行える。例文帳に追加

The width of the trench 7 can be controlled more accurately by etching than the diffusion quantity of impurities by thermal diffusion. - 特許庁

本発明に係る燃料電池によれば、第２ガス拡散層は、第１ガス拡散層に比較して高い熱伝導度を有する。例文帳に追加

According to the fuel cell, the second gas diffusion layer has higher heat conductivity compared with the first gas diffusion layer. - 特許庁

このため、温度測定時の拡散炉１０の内部状態は、半導体ウェハ１４の熱処理時の拡散炉１０の内部状態と近くなる。例文帳に追加

Consequently the internal state of a diffusion furnace 10 at the time of temperature measurement is similar to the internal state of the diffusion furnace 10 at the time of thermal treatment with a semiconductor wafer 14. - 特許庁

拡散剤組成物は、不純物拡散成分（Ａ）と、不純物拡散成分（Ａ）が熱拡散を開始する温度未満の温度で熱分解して消失するバインダー樹脂（Ｂ）と、ＳｉＯ_２微粒子（Ｃ）と、沸点が１００℃以上の有機溶剤（Ｄ１）を含む有機溶剤（Ｄ）と、を含有する。例文帳に追加

The diffusion agent composition includes an impurity diffusion component (A); a binder resin (B), which thermally decomposes and disappears, at a temperature lower than the temperature at which the impurity diffusion component (A) begins to thermally diffuse; SiO_2 microparticles (C); and an organic solvent (D), which contains an organic solvent (D1) having a boiling point of 100°C or greater. - 特許庁

ウェーハに不純物を拡散して得られる拡散ウェーハのＦｅ濃度が１００×１０^１２ ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である拡散ウェーハの製造において、Ｆｅ濃度が０．５ｐｐｍ 以下の熱処理部材によりウェーハを高温熱処理することを特徴とする拡散ウェーハの製造方法である。例文帳に追加

In a method of manufacturing a diffused wafer obtained by diffusing an impurity in a wafer and containing Fe at a concentration of ≤100×10^12 atoms/cm^3, the wafer is heat-treated at a high temperature by means of the heat-treating member containing Fe at a concentration of ≤0.5 ppm. - 特許庁

Ｐ型第２低濃度拡散領域９は、Ｎ型低濃度拡散領域１１を形成するためのＮ型不純物イオンとＰ型低濃度拡散領域７を形成するためのＰ型不純物イオンが半導体基板に重複して注入され、かつ熱拡散されて形成されたものである。例文帳に追加

The P-type second low-concentration diffusion region 9 is formed by implanting N-type impurity ions for forming the N-type low-concentration diffusion region 11 and P-type impurity ions for forming the P-type low-concentration diffusion region 7 repeatedly into a semiconductor substrate, and thermally diffusing them. - 特許庁

アニール時における不純物の熱拡散がこの不純物拡散抑制層により抑制され、電気的接合深さが浅くなるとともに、不純物拡散層より浅い領域では不純物濃度が高濃度となり、不純物拡散層の抵抗を下げる。例文帳に追加

In annealing, the thermal diffusion of impurity is inhibited by the impurity diffusion inhibition layer, electrical junction depth becomes shallower, and at the same time impurity concentration becomes higher at a region being shallower than the impurity diffusion layer, thus reducing resistance in the impurity diffusion layer. - 特許庁

二軸延伸フィルム本来の優れた耐熱性と機械的強度を有し、かつ優れた光線透過率と光拡散性を有する光拡散性フィルムの製造方法及びそれから得られた光拡散性フィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a diffusion film, having superior light beam transmittance and light diffusion by possessing inherent superior heat resistance and mechanical strength of a two-axis extension film, and to provide the light diffusion film obtained therefrom. - 特許庁

高分子薄膜２をガス拡散基材１上に配して、高分子薄膜２の溶融温度以上に加熱しながら、高分子薄膜２とガス拡散基材１を加圧してガス拡散層７を形成する工程を有する。例文帳に追加

A manufacturing method of a gas diffusion layer contains a process where a polymer thin membrane 2 is arranged on a gas diffusion substrate 1, they are heated at a melting temperature or higher of the polymer thin membrane 2, and at the same time, the polymer thin membrane 2 and the gas diffusion substrate 1 are pressed to form the gas diffusion layer 7. - 特許庁

軽量で、十分な強度を有し、熱や湿気により変形することがない上に、光拡散剤の含有率が小さくても十分な光拡散性能を確保できる光拡散板を提供する。例文帳に追加

To provide a light diffusing plate having sufficient strength even in light weight, prevented from being deformed by heat or humidity and capable of securing sufficiently high light diffusing performance even when the content of a light diffusing agent is small. - 特許庁

二軸延伸フィルム本来の優れた耐熱性と機械的強度を有し、かつ優れた光線透過率と光拡散性を有する光拡散性フィルムの製造方法及びそれから得られた光拡散性フィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an optical diffusion film which has excellent thermal resistance and mechanical strength, these being inherent in a bi-axially stretched film, and also shows excellence in light transmittance and optical diffusion. - 特許庁

この加熱流体は流れに乗って移動するとともに熱拡散によって温度が一様化される。例文帳に追加

The heated fluid moves by being mounted on flow, and temperature is uniformed by heat diffusion. - 特許庁

その結果、前記ワークに高強度、高硬度、耐熱性に優れる拡散層が形成される。例文帳に追加

As a result, a diffusion layer having high strength, high hardness and excellent heat resistance is formed on the work. - 特許庁

次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱しリンを含むシリコン酸化膜を形成する。例文帳に追加

Then the liquid impurity source layer 2 is heated at temperature lower than a phosphorous diffusion temperature to form a silicon oxide film containing phosphorus. - 特許庁

耐熱と強度に優れ、光透過率が高く、かつ、光拡散機能を有する樹脂シートを提供する。例文帳に追加

To provide a resin sheet having excellent heat resistance and strength, high transmittance and a light diffusing function. - 特許庁

蒸気出口６２から上方に排出された蒸気は、排熱を受けることで低濃度に拡散される。例文帳に追加

Vapor discharged upward from the vapor outlet 62 is diffused to a low concentration by being exposed to waste heat. - 特許庁

分子動力学法により、複数の露光後加熱温度に対して酸の拡散定数を計算して拡散定数の温度依存性を求め、所望の温度における酸の拡散定数を線形補間または線形補外することにより求めることができる。例文帳に追加

Temperature dependence of diffusion constant is determined by calculating diffusion constant of acid for a plurality of heating temperatures following to exposure according to molecular dynamics and diffusion constant of acid at a desired temperature is determined by linear interpolation or extrapolation. - 特許庁

Si：4wt％以下を含む鋼板に、加熱処理、浸珪処理、拡散均熱処理及び冷却処理を順次施すことにより得られる高けい素鋼板において、前記拡散均熱処理後の鋼板平均C濃度が90ppm以下である高けい素鋼板。例文帳に追加

In the high silicon steel sheet obtained by subjecting a steel sheet containing ≤4 wt% Si to heating treatment, siliconizing treatment, diffusion soaking treatment and cooling treatment in succession, the average concentration of C in the steel sheet after the diffusion soaking treatment is ≤90 ppm. - 特許庁

十分な強度と優れた耐熱性を備えていて厳しい熱条件下においても熱変形を十分に防止できる光拡散板と、前記拡散板を用いた面光源装置、及び液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide: a light diffusion plate having sufficient strength and heat resistance to sufficiently prevent the heat deformation even under a sever heating condition; a surface light source device using the diffusion plate; and a liquid crystal display device. - 特許庁

電気絶縁性を有するセラミック板３と、熱拡散率の良好な黒鉛板４を隣接させて、高圧鋳造することにより、安価で、接合強度も強く、かつ良好な熱拡散率を有する放熱基板を完成する。例文帳に追加

The heat dissipation base board which is inexpensive, high in joining rigidity and favorable in heat diffusion factor is completed by high-pressure casting a ceramic plate 3 having electric insulation and a graphite plate 4 favorable in heat diffusion factor by making them adjoin each other. - 特許庁

熱拡散方程式解法部３５は、モデルに基づき、ランプ加熱工程でのウエハ表面の過渡熱拡散を計算しウエハの温度分布を算出する。例文帳に追加

The thermal diffusion equation solution part 35 calculates the temperature distribution of the wafer by calculating transitional thermal diffusion of the wafer surface in a lamp heating step based on the model. - 特許庁

熱処理工程では、熱処理条件を制御することによって、シリコン基板からエピタキシャル層に拡散される不純物の濃度や拡散速度を制御することができる。例文帳に追加

The heat treatment step controls heat treatment conditions to control a concentration and a diffusion speed of the impurity diffused from the silicon substrate to the epitaxial layer. - 特許庁

サイドキャップ膜６の幅の分、低濃度のソース領域７aを熱拡散前に確保するため、熱拡散後も低濃度のソース領域７ａの幅を広く維持することができる。例文帳に追加

It is possible to keep the width of the low concentration source region 7a wide also after thermal diffusion in order to secure the low concentration source region 7a before the thermal diffusion corresponding to the width of the side cap film 6. - 特許庁

熱拡散プレートは、熱電モジュールによる熱循環の間に熱ブロックアセンブリ全体の実質的温度均一性を提供し得る。例文帳に追加

A thermal diffusion plate provides a substantially temperature uniformity of an overall heater block assembly during thermal cycling by a thermoelectric module. - 特許庁

本発明ではガス拡散層に熱伝導性の高い材料を使用することでガス拡散層と電極触媒層との温度差を少なくし、ガス拡散層において水が凝縮することを抑制・防止する膜電極接合体を提供する。例文帳に追加

To provide a membrane electrode assembly decreasing temperature difference between a gas diffusion layer and an electrode catalyst layer by using material having high heat conductivity in the gas diffusion layer, and suppressing or preventing the condensation of water in the gas diffusion layer. - 特許庁

熱可塑性フィルムと光拡散層の積層において、高光線透過率および充分な光拡散性を有し、かつ耐摩耗性に優れ、しかも面光源装置等の正面輝度を高くすることができる光拡散フィルムを提供すること。例文帳に追加

To provide an optical diffusion film having high optical beam transmissivity and sufficient light diffusion property, having friction resistance and enhancing the front intensity of a surface light source device or the like, in a laminated layer of the thermoplastic film and a light diffusion layer. - 特許庁

加圧機構部１８は肉盛拡散補修材１４ａ、１４ｂの拡散熱処理温度域での変形応力以下の加圧力で、一対の押さえ板１５ａ、１５ｂを介して対向する肉盛拡散補修材１４ａ、１４ｂを加圧保持する。例文帳に追加

A pressing mechanism part 18 presses and holds the cladding-by-welding diffusion repairing materials 14a and 14b facing each other via the pair of holding plates 15a and 15b with the pressure not more than the deformation stresses in a diffusion heat treatment temperature zone of the cladding-by-welding diffusion repairing materials 14a and 14b. - 特許庁

光拡散剤が配合されたポリカーボネート樹脂を基体として、層状剥離のない優れた光拡散性、機械的強度、流動特性および良好な耐熱性とを併せ持つ光拡散性芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a light-diffusing aromatic polycarbonate resin composition exhibiting not only an excellent light-diffusing property, mechanical strength causing no delamination and flow properties but also good heat resistance that comprises as a base material a polycarbonate resin having a light-diffusing agent incorporated therewith. - 特許庁

メモリアレイ領域のソース・ドレイン拡散層に適した熱処理条件を採用しつつも、周辺回路領域のソース・ドレイン拡散層での不純物の過度の拡散を抑制できるＤＲＡＭ等の半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, such as a DRAM, capable of suppressing an excessive diffusion of a dopant in a source-drain diffusion layer in a peripheral circuit region, while heat treatment condition is adopted that is appropriate for the source/drain diffusion layer in a memory array region. - 特許庁

前記制御手段は、拡散領域を予め設定した少なくとも二つの領域の間で変化させ、また、複数本配置した拡散パイプへの通水制御によってあるいはパイプの熱交換器に対する角度制御及び又は位置制御によって湯水の拡散領域を変化させる。例文帳に追加

The control means changes the diffusion region between at least two regions set in advance and changes the diffusion regions of the hot water by controlling the water flow to a plurality of the diffusion pipes or by controlling an angle and/or a position of the pipe to the heat exchanger. - 特許庁

この際、Ｎｉの拡散係数よりもＰｔの拡散係数の方が大きくなる熱処理温度で、かつ、金属シリサイド層１３ａ上に合金膜の未反応部分が残存するように、第１の熱処理を行う。例文帳に追加

The first heat treatment is performed at a temperature where the diffusion coefficient of Pt is larger than the diffusion coefficient of Ni while preserving a portion of the alloy film unchanged on the metal silicide layer 13a. - 特許庁

ＰＳＧ膜もしくはＢＳＧ膜のいずれかのみを熱拡散源として熱処理を行うことにより、容易に浅い低濃度ソース・ドレイン拡散領域を形成することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

In the semiconductor device and its manufacturing method by executing thermal treatment with only a PSG film or a BSG film as the thermal diffusion source, a shallow low concentration source/drain diffusion region can be easily formed. - 特許庁

半導体基板に温度むらやホットスポットを生じさせることなく、不純物拡散層を充分に活性化させ、かつ、不純物拡散層を所望のプロファイルにすることができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for heat-treating a semiconductor substrate capable of satisfactorily activating an impurity diffusion layer without causing temperature unevenness or a hot spot on the semiconductor substrate, and to provide a heat treatment device. - 特許庁

高速温度変更（ＲＴＣ）システムは、熱拡散部２２２、熱拡散部２２２に連結されたヒータ基台２２６、および、ヒータ基台２２６に連結されたヒータ層２２４、を備えたベークプレート部２０５を備える。例文帳に追加

A rapid temperature change (RTC) system includes a bake plate part 205 including a heat diffusion part 222, a heater base 226 connecting with the heat diffusion part 222, and a heater layer 224 connecting with the heater base 226. - 特許庁

前記領域は、拡散パイプの熱交換器に対する高さ方向及び又は幅方向の位置か、拡散パイプの噴射孔の熱交換器に対する角度の少なくとも一方によって設定される。例文帳に追加

The region is set by at least either a position in the direction of the height and/or in the direction of the width of the diffusing pipe to the heat exchanger or an angle of a jetting opening of the diffusion pipe to the heat exchanger. - 特許庁

温度センサ兼ヒータ８は、下層から順に密着層４、拡散防止層５、電熱層６及び拡散防止兼密着層７を有し、温度センサ兼ヒータ８が層間絶縁膜９によって被覆されている。例文帳に追加

The temperature sensor and heater 8 has an adhesion layer 4, a diffusion prevention layer 5, an electric heating layer 6 and a diffusion prevention and adhesion layer 7 from the lowest layer, and the temperature sensor and heater 8 is covered with an interlayer insulation film 9. - 特許庁

隣接する加熱部からの熱拡散が生じた場合であっても温度制御を高精度で行うことができる反応処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a reaction treatment device which can highly precisely control temperature, even when heat diffusion is generated from an adjacent heating part. - 特許庁

低温の熱拡散でｐ型キャリヤ濃度は低くなるが、熱処理をするのでｐ型キャリヤ濃度が４×１０^１８ｃｍ^−３以上に上がる。例文帳に追加

Although p-type carrier concentration becomes low by low temperature thermal diffusion, the p-type carrier concentration is raised to 4×10^18cm^-3 or more by the heat treatment. - 特許庁