電流切り替え用スイッチと相変化膜とが電気的に並列に形成されたメモリビットの複数個を電気的に直列に配置したメモリアレイ構造を持つ相変化メモリにおいて、転送速度性能の向上と信頼性の向上とを共に実現する。例文帳に追加

To improve a transfer speed performance and reliability for a phase change memory that has a memory array structure in which a plurality of memory bits having a current selector switch and phase change film electrically formed in parallel are electrically arranged in series. - 特許庁

バウンダリスキャンを制御する命令コードを保持するメモリ１１と、命令コードを保持するメモリ１１から命令レジスタＩＲ１２へ命令コードを転送するセレクタＳＬ１２と、目例レジスタＩＲ１２に直列に接続された１ビットレジスタ１４を備える。例文帳に追加

This circuit is equipped with a memory 11 for holding an instruction code for controlling boundary scan, a selector SL12 for transferring the instruction code from the memory 11 holding the instruction code to an instruction resister IR12, and a one-bit resister 14 connected in series to the instruction resister IR12. - 特許庁

更にこの方法は、圧縮メディア・データのブロックをデータ区分に構文解析することを含み、各々のデータ区分の区分ビット長はスロット・ビット長以下であり、更に１つのデータ区分を第１の未使用データ・スロットに挿入し（６００）、等時性信号プロセッサに接続された等時性信号インターフェースを介してデータ・フレームを直列に転送する。例文帳に追加

The method further comprises a step for parsing the block of compressed media data into data sections, a step for inserting one more data section into the first data slot not yet used if the bit length of each data section is not longer than the slot bit length (600), and a step for transferring the data frames in series through the isochronous signal interface connected with the isochronous signal processor. - 特許庁