第2銅の英語

銅または銅合金の母地中に分散する第二相粒子のうち、直径１〜５μｍの第二相粒子を５００〜５０００個／ｍｍ^2、直径５μｍを超える第二相粒子を１０個／ｍｍ^2未満に調整する。例文帳に追加

Out of the second phase particles dispersed in a base material of copper or copper alloy, the secondary phase particles of a diameter of 1-5 μm are adjusted to be 500-5000 pieces/mm^2 and the secondary phase particles of a diameter exceeding 5 μm, less than 10 pieces/mm^2. - 特許庁

第１銅配線２上部には、接続プラグ７が接続した部分にのみに銅の合金層１０が形成される。例文帳に追加

An alloy layer 10 made of copper is formed in only a portion connected to the connection plug 7 above the first copper wiring 2. - 特許庁

第１の金属材料１である銅タングステン合金に対して、摩擦圧接によって接合材２である銅を接合する。例文帳に追加

The cupper which is a jointing material 2 is joined to the cupper tungsten alloy which is the first metal material by a friction press-contact. - 特許庁

基板１上の第１の絶縁膜２中に形成された銅配線３と、銅配線３及び第１の絶縁膜２の上に形成されたシリコン炭化窒化膜４を有し、銅配線３内の銅原子とシリコン炭化窒化膜４の構成原子とが微視的に結合する。例文帳に追加

The semiconductor device has the copper wiring 3 formed in a first insulating film 2 on a substrate 1 and a silicon carbonitride film 4 formed on the copper wiring 3 and a first insulating film 2, wherein copper atoms in the copper wiring 3 and constituent atoms of the silicon carbonitride film 4 are microscopically bonded together. - 特許庁

コア基板１は、銅張積層板２の両側に銅張積層板２よりサイズの小さい銅箔３を配置し、第１の回路基板１０とする。例文帳に追加

For a core substrate 1, copper foils 3 each having a size smaller than that of a copper-clad laminate 2 are arranged on both the sides of the copper-clad laminate 2 to form a first circuit board 10. - 特許庁

錫または錫合金から成る第１金属粉２と、第１金属粉２よりも高い融点を持ち、銅または銅合金から成る第２金属粉とを含むハンダ用組成物である。例文帳に追加

The soldering composition contains first metallic powder 2 comprising tin or a tin alloy and second metallic powder having a higher melting point than the first metallic powder 2 and comprising copper or a copper alloy. - 特許庁

熱交換器用クラッド材(1)(2)は、アルミニウムまたはその合金からなる心材(10)の一面側に、銅またはその合金からなる第１銅層(11)がクラッドされ、さらにこの第１銅層(11)上にアルミニウムまたはその合金からなる第１アルミニウム層(12)がクラッドされてなる。例文帳に追加

The cladding material (1), (2) is constructed by cladding a first copper layer (11) comprising copper or its alloy on one surface side of a core material (10) comprising aluminum or its alloy, and further cladding a first aluminum layer (12) comprising aluminum or its alloy on the first copper layer (11). - 特許庁

第１層間絶縁膜１内形成された第１銅配線２上には、バリア絶縁膜４を介して、第２層間絶縁膜５が形成される。例文帳に追加

A second interlayer insulating film 5 is formed on a first copper wiring 2 formed in a first interlayer insulating film 1 through a barrier insulating film 4. - 特許庁