記憶消去能力の英語

抵抗変化型の記憶素子または記憶装置において、記憶および消去状態の抵抗値の保持能力を向上させると共に、多値記憶を可能とする。例文帳に追加

To provide a resistance variation-type memory element or memory device which can improve the capability of retaining the resistance value of a stored state and an erased state and also perform multi-value storage. - 特許庁

消去磁束を低減させるとともに書込能力を増加させ得るバリアを有するデータ記憶システムを提供する。例文帳に追加

To provide a data storage system having a barrier which can reduce an erasure magnetic flux and increase a writing capability. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置において、消去レベルばらつきを軽減し、トランジスタ能力を高めて、低電圧動作を可能とする。例文帳に追加

To reduce the dispersion of an erasure level, to improve the capability of a transistor, and to enable low voltage operation, in a non-volatile semiconductor memory. - 特許庁

抵抗変化型の記憶装置において、書込みおよび消去状態の抵抗値の保持能力を向上させる。例文帳に追加

To provide a resistance variation type storage device improved in ability to hold resistance values in writing and erasure states. - 特許庁

消去ベリファイ動作時にビット線に対する充電能力を向上し、消去ベリファイ動作の確度を向上する不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor storage device wherein the accuracy of an erasure-verifying operation is improved, by increasing the chargeability, with respect to a bit line at the erasure-verifying operation. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置に関して、低い電源電圧時において充分な消去・書込能力を持ち、高い電源電圧時においても消費電力を抑えた不揮発性半導体記憶装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which has a sufficient erasure and write capability in the case of a low power supply voltage and suppresses power consumption even in the case of a high power supply voltage. - 特許庁