輸送方程式の英語

輸送方程式における有限差分数値計算法に関し、安定性を保証する３次精度計算スキームの解析的構成法例文帳に追加

To provide an analytical construction method of a third-order calculation scheme for ensuring stability, relating to a finite difference numerical calculation method in a transport equation. - 特許庁

輸送方程式における移流項を3次精度の有限差分近似する際に、1つのフリーパラメータεを導入する。例文帳に追加

One free parameter ε is introduced when an advective term in a transport equation is subjected to third-order finite difference approximation. - 特許庁

２次元構造または３次元構造の半導体デバイスをメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式やキャリア輸送方程式等の物理方程式を解く、半導体デバイスシミュレーション方法において、電界に起因するドリフト電流と、キャリア密度勾配に起因する拡散電流とを、それぞれ別個に取り扱うことを特徴とする。例文帳に追加

In this method of simulating a semiconductor device in which the semiconductor device having a two-or three-dimensional structure is divided into meshes and a physical equation, such as potential equation, carrier transportation equation, etc., is solved in each mesh, a drift current caused by an electric field and a diffusion current caused by a carrier density gradient are handled separately from each other. - 特許庁

２群拡散計算法で使用される反射体領域の拡散定数を，ボルツマン輸送方程式で得られる厳密解に近い解が得られるように決定する技術を提供する。例文帳に追加

To provide the technology for determining a diffusion constant in a reflector region used for a two-group diffusion calculation method so that a solution close to a strict solution found in the Boltzmann transport equation can be obtained. - 特許庁

古典的キャリア密度が全キャリア密度と等しくなるように、ショットキー障壁ポテンシャルを変更した補正ショットキー障壁ポテンシャルを用い、古典的・半古典的な輸送方程式を解き、ＭＯＳＦＥＴの電気的特性をシミュレーションする。例文帳に追加

The classical and semiclassical transport equations are solved using a corrected Schottky barrier potential obtained by varying the Schottky barrier potential so that the classical carrier density and all-carrier density become equal to each other, and electric characteristics of the MOSFET are simulated. - 特許庁

ショットキー障壁を量子力学的にトンネルする効果を、古典的・半古典的な輸送方程式に基づくデバイスシミュレータに取り入れ、ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴの電気的特性を高速で正確に解析可能なデバイスシミュレーション装置、方法、プログラムの提供。例文帳に追加

To provide a device simulation apparatus, a device simulation method and a program that accurately analyze electric characteristics of a Schottky source/drain MOSFET at a high speed by employing the effect of quantum-mechanical tunneling through a Schottky barrier for a device simulator based on a classical and a semiclassical transport equation. - 特許庁