電子移動障壁の英語

薄い障壁層を有し、高い電子濃度を高電子移動度を損ねることなく実現するヘテロ構造電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterostructure field-effect transistor which comprises a thin barrier wall and whose high electron concentration is realized without spoiling high electron mobility. - 特許庁

ＧａＰのシリコン内を移動する電子に対する障壁高さは、酸化シリコンの障壁高さ（３．１ｅＶ）よりも小さいので、ピーク電流が大きいままで熱励起電流の低減を実現することができ、負性抵抗領域におけるＰＶ比が向上する。例文帳に追加

The height of the barrier to the electrons shifting within the silicon of GaP is smaller than the height (3.1 eV) of the barrier of silicon oxides, so the reduction of thermally excited currents can be materialized, with the peak current kept large, and the PV ratio in the negative resistance region rises. - 特許庁

従って、このバンドオフセットに起因する第２クラッド層２３から量子細線１７ａを含む活性層への電子の移動に対する障壁を低減できる。例文帳に追加

Accordingly, a barrier against movement of electrons from the second clad layer 23 to an active layer including quantum fine wires 17a due to the band offsets are reduced. - 特許庁

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。例文帳に追加

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer. - 特許庁