ｉｉｉ族窒化物の英語

To stably grow a crystal of a group III nitride.例文帳に追加

安定してIII族窒化物の結晶成長を行なう。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor substrate excellent in quality.例文帳に追加

良質なIII族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for growing a group III nitride crystal which is grown under practical crystal growing conditions, the group III nitride crystal and a semiconductor device.例文帳に追加

実用的な結晶成長条件でのIII族窒化物の結晶成長を可能とするIII族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To form a defect-free III nitride thin film/insulating film.例文帳に追加

欠陥のないIII族窒化物薄膜／絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive group III nitride semiconductor light emitting element.例文帳に追加

安価なIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。 - 特許庁

The group III nitride support substrate 13 has a conductivity.例文帳に追加

III族窒化物支持基体１３は、導電性を有している。 - 特許庁

In addition, the group-III nitride grows to a seed crystal.例文帳に追加

また、III族窒化物を種結晶に成長させる。 - 特許庁

To provide a method for forming a group III nitride semiconductor layer capable of forming a group III nitride semiconductor layer with good crystallinity, a method for manufacturing a group III nitride semiconductor substrate using the method for forming a group III nitride semiconductor layer, and a group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、このIII族窒化物半導体層の形成方法を用いたIII族窒化物半導体基板の製造方法、およびIII族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁