4ADとは 意味・読み方・使い方

A first impurity region 4ad acting line a source region and a second impurity region 4ae acting like a drain region are formed through ion implantation by using a resist pattern for forming a gate electrode of a transistor as a mask, and the gate electrode 9 including lower electrodes 6a, 8a and an upper electrode 7a is formed by using the resist pattern for a mask.例文帳に追加

トランジスタのゲート電極を形成するためのレジストパターンをマスクとしてイオン注入によりソース領域となる第１不純物領域４ａｄとドレイン領域となる第２不純物領域４ａｅが形成され、そのレジストパターンをマスクとして下部電極６ａ，８ａと上部電極７ａを有するゲート電極９が形成される。 - 特許庁