7-40Pとは 意味・読み方・使い方

Then the polysilicon films 5 and 7 and silicon nitride film 8 are partially etched to form gate electrodes 10n, 10p, 40n, and 40p on the gate insulating film 4.例文帳に追加

そして、ポリシリコン膜５，７及びシリコン窒化膜９を部分的にエッチングして、ゲート絶縁膜４上にゲート電極１０ｎ，１０ｐ，４０ｎ，４０ｐを形成する。 - 特許庁

At this time, the polysilicon film 5 is etched faster in the area, higher in phosphorus concentration than the polysilicon film 7, than the polysilicon film 7, so notches are formed at bottom parts of flanks of the gate electrodes 10p, 40n, and 40p.例文帳に追加

このとき、ポリシリコン膜５において、ポリシリコン膜７よりもリン濃度が高い領域では、ポリシリコン膜７よりもエッチングスピードが速くなるため、ゲート電極１０ｐ，４０ｎ，４０ｐの側面の底部にノッチが形成される。 - 特許庁