9層の英語

ドリフト層３は、リサーフ層９の下（シリコン基板２とリサーフ層９との間）へと潜り込んでいる。例文帳に追加

The drift layer 3 creeps under the reduced surface layer 9 (between the silicon substrate 2 and the reduced surface layer 9). - 特許庁

前記第1の厚さ調整層9と前記第2の厚さ調整層13との厚さは異なる。例文帳に追加

The thickness of the first thickness adjustment layer 9 and that of the second thickness adjustment layer 13 are different. - 特許庁

そして、層間絶縁膜９を形成する。例文帳に追加

Then, an interlayer insulating film 9 is formed. - 特許庁

緑色層７と青色層９を形成する際、基板３の上だけでなく、赤色層５の上に積層し、赤色層５の上に積層された緑色層７と青色層９をスペーサー１１とする。例文帳に追加

When the green layer 7 and the blue layer 9 are formed, the green layer 7 and the blue layer 9 are stacked on not only the substrate 3 but also the red layer 5, so that a spacer 11 is made of the green layer 7 and the blue layer 9 stacked on the red layer 5. - 特許庁

Ｓｉが主成分である第１Ｓｉ層９−１と、ＳｉＧｅ層９−４と、第１Ｓｉ層９−１とＳｉＧｅ層９−４との間に介設され、第１Ｓｉ層９−１の表層部分９−２であり不純物が存在する部分を被覆する第２Ｓｉ層９−３とから構成されている。例文帳に追加

The semiconductor substrate is constituted of a first Si layer 9-1 composed mainly of Si, an SiGe layer 9-4, and a second Si layer 9-3 which is interposed and installed between the Si layer 9-1 and the SiGe layer 9-4 and which covers a part as a surface layer part 9-2 on the Si layer 9-1 and containing impurities. - 特許庁

第２Ｓｉ層９−３は、ＳｉＧｅ層９−４のＳｉＧｅ混晶構造を第１Ｓｉ層９−１の不純物層９−２からＳｉＧｅ層９−４を遠ざけていて、ＳｉＧｅ層９−４その表層の平坦性劣化を防止している。例文帳に追加

The Si layer 9-3 prevents deterioration of the flatness of the surface layer as the SiGe layer 9-4 in such a way that the SiGe mixed crystal structure of the SiGe layer 9-4 is moved away from the impurity layer 9-2 on the Si layer 9-1. - 特許庁

離型層８は、第一離型層９と、第二離型層１０とからなる。例文帳に追加

The release layer 8 comprises first and second release layers 9 and 10. - 特許庁

未加硫ゴム積層体９を加硫成形する。例文帳に追加

The unvulcanized foamed rubber laminate 9 is vulcanized and molded. - 特許庁