IMPATT diodeとは 意味・読み方・使い方

IMPATT DIODE例文帳に追加

インパットダイオード - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE IMPATT DIODE例文帳に追加

シリコンカーバイド・インパットダイオードの製造方法 - 特許庁

Consequently, the Gunn diode GD and the Schottky diode SD can be integrated on the same substrate by a process requiring no heat treatment (annealing) of high temperature (600°C) without utilizing a conventional ion implantation technology or the contact layer of IMPATT diode.例文帳に追加

したがって、従来のようなイオン注入技術やＩＭＰＡＴＴダイオードのコンタクト層を利用することなく、高温(６００℃)な熱処理(アニール)が不必要なプロセスで、ガンダイオードＧＤとショットキーダイオードＳＤとを同一基板上に集積できる。 - 特許庁

To solve the drawback of IMPATT diode, and to reduce noise, while maintaining high power output, and to significantly improve the high-frequency characteristics and the DC/AC power conversion efficiency.例文帳に追加

ＩＭＰＡＴＴダイオードが有する欠点を解決し、高出力を維持したまま雑音を低減化すると同時に高周波特性や直流対交流電力変換効率を大幅に改善する。 - 特許庁

A compound semicondcutor is used for a material for composing the IMPATT diode and In_0.53Ga_0.47As is introduced to a drift region, InGaAsP to a sheet doped layer, and a superlattice, such that its valence band discontinuous quantity becomes zero to an intensifying layer.例文帳に追加

インパットダイオードを構成している材料に化合物半導体を用い、ドリフト領域にＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７Ａｓ、シートドープ層にＩｎＧａＡｓＰ、増倍層に価電子帯バンド不連続量が０となるような超格子を導入した。 - 特許庁