InSbとは 意味・読み方・使い方

SEMICONDUCTOR RADIATION DETECTOR USING COMPOUND SEMICONDUCTOR InSb SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

化合物半導体ＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器 - 特許庁

To provide a method for forming an InSb film having a high hole moving degree.例文帳に追加

高いホール移動度を有するＩｎＳｂ膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The InSb nano-fine wire structure is grown in a self-forming manner at a temperature close to the melting point of InSb by doping InSb with atoms of an impurity metal.例文帳に追加

ＩｎＳｂがに不純物金属原子を入り込ませることでＩｎＳｂの融点近傍温度で自己形成成長したＩｎＳｂナノ細線構造とする。 - 特許庁

To provide independently dispersed InSb nanoparticles, a dispersion of the InSb nanoparticles, and a method for producing the InSb nanoparticles.例文帳に追加

本発明は、独立分散したＩｎＳｂナノ粒子、ＩｎＳｂナノ粒子分散液、およびＩｎＳｂナノ粒子の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The preferable thickness of the InAs layer or the InSb layer is 3 nm to 10 nm.例文帳に追加

ＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層の好ましい厚みは３ｎｍから１０ｎｍである。 - 特許庁

To obtain an InSb thin film substrate which has high sensitivity and reliability and is applicable to a magnetoelectric transducer.例文帳に追加

磁電変換素子に応用できる高感度で信頼性の高いＩｎＳｂ薄膜基板を得る。 - 特許庁

To provide a method for forming an InSb film capable of obtaining a high hole moving degree.例文帳に追加

高いホール移動度が得られるＩｎＳｂ膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Irreguralities (11-1n, 21-2n) are formed on the uppermost surfaces of substrates 1A, 1B which are in contact with an InSb based compound semiconductor polycrystal film 3, and this InSb thin film substrate 10 is so constituted that the number of generation nuclears of crystal is increased.例文帳に追加

ＩｎＳｂ系化合物半導体多結晶膜３と接する基板１Ａ、１Ｂ最表面に凹凸（１_1〜１_n、２_1〜２_n）を形成し、結晶の核発生数を増加するよう構成したことを特徴とするＩｎＳｂ薄膜基板１０。 - 特許庁