「InSb」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide independently dispersed InSb nanoparticles, a dispersion of the InSb nanoparticles, and a method for producing the InSb nanoparticles.例文帳に追加

本発明は、独立分散したＩｎＳｂナノ粒子、ＩｎＳｂナノ粒子分散液、およびＩｎＳｂナノ粒子の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The InSb nano-fine wire structure is grown in a self-forming manner at a temperature close to the melting point of InSb by doping InSb with atoms of an impurity metal.例文帳に追加

ＩｎＳｂがに不純物金属原子を入り込ませることでＩｎＳｂの融点近傍温度で自己形成成長したＩｎＳｂナノ細線構造とする。 - 特許庁

InSb THIN FILM SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＩｎＳｂ薄膜基板、ＩｎＳｂ薄膜基板の製造方法 - 特許庁

The active layer 4 is the Sb-based semiconductor thin film formed of any one kind or two kinds or more of GaSb, AlGaSb, AlSb, InGaSb and InSb, and has a quantum well structure.例文帳に追加

前記活性層４が、GaSb，AlGaSb，AlSb，InGaSb，及びInSbのうちいずれか１種又は２種以上で形成されるSb系半導体薄膜であり、量子井戸構造を有する。 - 特許庁

To provide a method for forming an InSb film having a high hole moving degree.例文帳に追加

高いホール移動度を有するＩｎＳｂ膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an InSb film capable of obtaining a high hole moving degree.例文帳に追加

高いホール移動度が得られるＩｎＳｂ膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR RADIATION DETECTOR USING COMPOUND SEMICONDUCTOR InSb SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

化合物半導体ＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器 - 特許庁

To make it possible to make compatible an increase in the mobility of InSb layers in a compound semiconductor multilayer thin film, which is used for a magnetic sensor or the like, with an increase in the resistance of the InSb layers.例文帳に追加

磁気センサ等に用いられる化合物半導体多層薄膜におけるＩｎＳｂ層の高移動度化と高抵抗化とを両立させること可能にする。 - 特許庁

The preferable thickness of the InAs layer or the InSb layer is 3 nm to 10 nm.例文帳に追加

ＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層の好ましい厚みは３ｎｍから１０ｎｍである。 - 特許庁

To obtain an InSb thin film substrate which has high sensitivity and reliability and is applicable to a magnetoelectric transducer.例文帳に追加

磁電変換素子に応用できる高感度で信頼性の高いＩｎＳｂ薄膜基板を得る。 - 特許庁

An InSb single crystal substrate 13 is adhered to a supporting substrate 11 to which an epoxy adhesive agent 12 is applied.例文帳に追加

ＩｎＳｂ単結晶基板１３を、エポキシ接着剤１２が塗布された支持基板１１に接着する。 - 特許庁

Irreguralities (11-1n, 21-2n) are formed on the uppermost surfaces of substrates 1A, 1B which are in contact with an InSb based compound semiconductor polycrystal film 3, and this InSb thin film substrate 10 is so constituted that the number of generation nuclears of crystal is increased.例文帳に追加

ＩｎＳｂ系化合物半導体多結晶膜３と接する基板１Ａ、１Ｂ最表面に凹凸（１_1〜１_n、２_1〜２_n）を形成し、結晶の核発生数を増加するよう構成したことを特徴とするＩｎＳｂ薄膜基板１０。 - 特許庁

A compound semiconductor multilayer thin film is formed into a structure, wherein an InSb buffer layer 2 doped with one of Al, Be, Zn, Mg, O and Ga as impurities and an undoped, Te-doped or Se-doped InSb active layer 3 are deposited in order on a semiinsulative GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に、不純物としてＡｌ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、ＯまたはＧａの一つをドーピングしたＩｎＳｂバッファ層２と、アンドープまたはＴｅドープまたはＳｅドープのＩｎＳｂ活性層３とを順次堆積させた構造とする。 - 特許庁

A monocrystal substrate 1 of InSb or the like and a ferrite substrate 2 are bonded together, and a non-bonded surface of the monocrystal substrate 1 is polished until its thickness becomes 5-10 [μm].例文帳に追加

ＩｎＳｂ等の単結晶基板１とフェライト基板２とを接着し、単結晶基板１の非接着面を厚みが５〜１０［μｍ］になるまで研磨する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device with high reliability that maintains stable characteristics for a long period without being affected by an operation environment by surely stopping an electrode material from being diffused in InSb.例文帳に追加

電極材料がＩｎＳｂ内に拡散することを確実に阻止し、動作環境に影響されることなく安定した特性を長期間維持できる、信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The sensor 2 uses the compound semiconductor thin film exhibiting an n-type conductivity and containing In, In and Sb and InSb manufactured on the insulating layer formed on the Si substrate as the magnetic sensor.例文帳に追加

磁気センサ２は、Ｓｉ基板上に形成された絶縁層上に製作されたＩｎ、Ｉｎ及びＳｂ、ＩｎＳｂを含むｎ型の導電性を示す化合物半導体薄膜を感磁部としている。 - 特許庁

The purpose of this invention is achieved by providing the nonlinear optical material characterized in that the InSb nanoparticles stuck with a dispersant on the surface are dispersed in a matrix.例文帳に追加

本発明は、表面に分散剤が付着されたＩｎＳｂナノ粒子が、マトリックス中に分散されていることを特徴とする非線形光学材料を提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

To provide a nonlinear optical material which is a nonlinear optical material using InSb nanoparticles, can sufficiently exhibit a quantum size effect and is excellent in nonlinear optical characteristics.例文帳に追加

本発明は、ＩｎＳｂナノ粒子を用いた非線形光学材料であって、量子サイズ効果を十分に発揮することができ、非線形光学特性に優れる非線形光学材料を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The InSb nanoparticles are characterized in that the average particle diameter is within a range of 2-200 nm, and the particles can be dispersed in a dispersion medium and are independently dispersed.例文帳に追加

本発明は、平均粒径が２ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であり、分散媒中に分散可能であり、独立分散していることを特徴とするＩｎＳｂナノ粒子を提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor radiation detector that uses a surface-barrier type or pn junction type InSb single crystal, which has small leakage current at a temperature of 10K or higher, has few electron or hole trappings, and has large amount of charge formation.例文帳に追加

１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

Magnetosensitive parts 11 are formed on one surface of an InSb monocrystal substrate 10, and a temporary adhesive 13 is applied to at least either of a support substrate 12 and the monocrystal substrate 10 to form a film having a uniform thickness, to thereby bond the support substrate 12 to the monocrystal substrate 10.例文帳に追加

ＩｎＳｂ単結晶基板１０の一面に感磁性部１１を形成し、支持基板１２と単結晶基板１０との少なくとも一方に仮接着剤１３を均一の厚さに成膜して支持基板１２と単結晶基板１０とを接着する。 - 特許庁

To easily and freely design a material of a light absorption layer having a band gap suitable to an absorption wavelength band to be detected, and to provide a high-sensitivity quantum type infrared sensor adapted to respective uses without using a buffer layer other than InSb.例文帳に追加

検知すべき吸収波長帯に適したバンドギャップを有する光吸収層の材料を容易に、かつ、自由に設計することができ、ＩｎＳｂ以外のバッファ層を用いることなく、各用途に応じた高感度な量子型赤外線センサを実現すること。 - 特許庁

The semiconductor radiation detector is manufactured by using a high-purity InSb single crystal in which impurity is not doped artificially as a detection medium of radiation, and in order to obtain diode characteristics, a surface barrier type electrode is formed by using Au-Pd.例文帳に追加

放射線の検出媒体として、不純物を人工的にドープしない高純度ＩｎＳｂ単結晶を用い、かつダイオード特性を得るため、Ａｕ−Ｐｄを用いて表面障壁型電極を形成した半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor radiation detector that uses a barrier type, or a InSb single crystal of a p-n junction type that is reduced in leakage current, suppressed in trapping for electrons or holes, and having a large amount of charge generation even at a temperature of 10K or higher.例文帳に追加

１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

The semiconductor radiation detector which uses a high-purity InSb single crystal with no impurities doped artificially as a detection medium of radiation and having a surface-barrier-type electrode, formed using an Au/Pd alloy to obtain diode characteristics, is manufactured.例文帳に追加

放射線の検出媒体として、不純物を人工的にドープしない高純度ＩｎＳｂ単結晶を用い、かつダイオード特性を得るため、Ａｕ・Ｐｄ合金を用いて表面障壁型電極を形成した半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁

To provide a novel composite structure thin-film material which contains simultaneously InSb particles or Sb particles of nano-scale and Al Oxide as mainly a matrix, as a means of manufacturing an inorganic EL element which emits excellently red, green and blue light utilizing nano-scale quantum size effect.例文帳に追加

本発明は、ナノスケール量子サイズ効果を利用した赤、緑及び青を良好に発光する無機ＥＬ素子を作製する手段として、ナノスケールのＩｎＳｂ粒子もしくはＳｂ粒子と、主にマトリクスであるＡｌ酸化物を同時に含む複合構造薄膜材料を新規に提供することにある。 - 特許庁

The present invention relates to an MSM type light receiving element including a light absorption layer, that absorbs light and generates an electron-hole pair and at least one Schottky contact type electrode, wherein the light absorption layer includes an InAs layer or an InSb layer.例文帳に追加

光を吸収し電子−正孔対を生成する光吸収層と、少なくとも一つのショットキー接触型電極と、を有する金属−半導体−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ：ＭＳＭ）型受光素子であって、光吸収層がＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層を含む。 - 特許庁

This method includes at least a process for depositing a polycrystalline thin film (InSb thin film) of stoichiometric composition for the Hall element on a substrate, and a process for locally heating surfaces of film formed substrates 1a, 1b, 1c, etc., where the polycrystalline thin film is deposited by using a local heater 11 and for conducting heat treatment.例文帳に追加

基板上に、化学量論的組成のホール素子用多結晶薄膜（ＩｎＳｂ薄膜）を堆積する工程と、このホール素子用多結晶薄膜が堆積された成膜基板１ａ，１ｂ，１ｃ，・・・・・の表面上を、局所加熱ヒータ１１を用いて、局所加熱して加熱処理する工程とを少なくとも含む。 - 特許庁