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MEMORY RESETとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「MEMORY RESET」の意味

MEMORY RESET

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「MEMORY RESET」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 393



例文

First, the memory 41 is reset by a reset signal CRST.例文帳に追加

まず、リセット信号CRSTでメモリ41をリセットしておく。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DATA BUS RESET METHOD例文帳に追加

半導体記憶装置及びデータバスのリセット方法 - 特許庁

RESET CONTROL CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体メモリ装置のリセット制御回路 - 特許庁

POWER RESET CIRCUIT OF FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリ装置のパワ—リセット回路 - 特許庁

To reset an RTC memory without opening a housing.例文帳に追加

筐体を開放しないでRTCメモリをリセットする。 - 特許庁

READ/RESET SYSTEM OF RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

ランダム・アクセス・メモリのリード・リセット方式 - 特許庁

例文

SETUP INFORMATION STORAGE MEMORY WITH RESET FUNCTION例文帳に追加

リセット機能を有するセットアップ情報格納メモリ - 特許庁

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「MEMORY RESET」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 393



例文

MEMORY CARD HAVING MULTIPLE INTERFACES, RESET CONTROL METHOD THEREOF, AND RESET CONTROL SYSTEM例文帳に追加

複数のインターフェースを有するメモリカード、そのリセット制御方法及びリセット制御システム - 特許庁

To provide a test mode semiconductor memory device in which individual reset can be performed.例文帳に追加

個別リセットが可能なテストモード半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

MEMORY CIRCUIT INCLUDING WORD LINE RESET CIRCUIT AND METHOD FOR RESETTING WORD LINE例文帳に追加

ワード線リセット回路を含むメモリ回路及びワード線のリセット方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MEMORY DEVICE FOR STABILIZING RESET CURRENT例文帳に追加

リセット電流の安定化のためのメモリ素子の製造方法 - 特許庁

By this, transmission of a telegraphic message from a memory part 13A is reset.例文帳に追加

これによりメモリ部13Aからの電文の送信がリセットされる。 - 特許庁

PROCESSOR RESET GENERATED THROUGH MEMORY ACCESS INTERRUPTION例文帳に追加

メモリ・アクセス割込みを介して生成されるプロセッサ・リセット - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for repairing a memory cell in which reset has failed.例文帳に追加

リセットフェイルが発生したメモリセルを回復させることのできる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

例文

The operating method of a variable resistance memory device includes: applying a reset pulse to a plurality of memory cells (reset memory cells) that enters a reset state, and applying a set pulse to a plurality of memory cells (set memory cells) that enters a set state.例文帳に追加

本発明の可変抵抗メモリ装置の動作方法は、リセット状態に変化する複数のメモリセル(リセットメモリセル)にリセットパルスを印加し、セット状態に変化する複数のメモリセル(セットメモリセル)にセットパルスを印加する段階で構成される。 - 特許庁

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