MIM elementとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device including a MIM capacitive element wherein electric capacitance of the MIM capacitive element per unit area is increased.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を備えた半導体装置において、ＭＩＭ容量素子の単位面積あたりの電気容量を大きくする。 - 特許庁

To enable a high reliability (life time)of an MIM capacitance element by improving a structure of the MIM capacitance element and by improving manufacturing process.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子の構造の改善、および製造工程の改善を図ることにより、ＭＩＭ容量素子の高信頼性（寿命）を可能とする。 - 特許庁

CAPACITY ELEMENT OF MIM STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING THE SAME例文帳に追加

ＭＩＭ構造の容量素子及びそれを有する半導体集積回路装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MIM CAPACITOR ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を備えた半導体装置とその製造方法 - 特許庁

To easily form a lower electrode of an MIM type capacity element.例文帳に追加

ＭＩＭ型の容量素子の下部電極の形成を容易にする。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH MIM CAPACITIVE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を備える半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

The semiconductor device comprises the MIM capacitive element (100) consisting of a lower electrode (3), a dielectric capacitive film (4) and an upper electrode (5) formed on a substrate (1), and a dummy MIM capacitive element (101) wherein the substrate is covered with an insulating film (6) including the MIM capacitive element and the dummy MIM capacitive element.例文帳に追加

基板（１）上に形成された下部電極（３）−誘電体容量膜（４）−上部電極（５）で構成されるＭＩＭ容量素子（１００）とダミーＭＩＭ容量素子（１０１）を備え、ＭＩＭ容量素子上とダミーＭＩＭ容量素子上とを含む基板上を絶縁膜（６）で覆う。 - 特許庁

To improve both the reliability of a MEMS element and the characteristics of a MIM element.例文帳に追加

ＭＥＭＳ素子の信頼性の向上とＭＩＭ素子の特性の向上とを両立する。 - 特許庁