「MIM element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MIM-TYPE NONLINEAR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＩＭ型非線形素子とその製造方法 - 特許庁

MIM COLD CATHODE ELEMENT AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ＭＩＭ型の冷陰極素子及びその製造方法 - 特許庁

To easily form a lower electrode of an MIM type capacity element.例文帳に追加

ＭＩＭ型の容量素子の下部電極の形成を容易にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a MIM capacitive element wherein electric capacitance of the MIM capacitive element per unit area is increased.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を備えた半導体装置において、ＭＩＭ容量素子の単位面積あたりの電気容量を大きくする。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MIM CAPACITOR ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を備えた半導体装置とその製造方法 - 特許庁

To improve both the reliability of a MEMS element and the characteristics of a MIM element.例文帳に追加

ＭＥＭＳ素子の信頼性の向上とＭＩＭ素子の特性の向上とを両立する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the MIM capacitive element (100) consisting of a lower electrode (3), a dielectric capacitive film (4) and an upper electrode (5) formed on a substrate (1), and a dummy MIM capacitive element (101) wherein the substrate is covered with an insulating film (6) including the MIM capacitive element and the dummy MIM capacitive element.例文帳に追加

基板（１）上に形成された下部電極（３）−誘電体容量膜（４）−上部電極（５）で構成されるＭＩＭ容量素子（１００）とダミーＭＩＭ容量素子（１０１）を備え、ＭＩＭ容量素子上とダミーＭＩＭ容量素子上とを含む基板上を絶縁膜（６）で覆う。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH MIM CAPACITIVE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を備える半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

To enable a high reliability (life time)of an MIM capacitance element by improving a structure of the MIM capacitance element and by improving manufacturing process.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子の構造の改善、および製造工程の改善を図ることにより、ＭＩＭ容量素子の高信頼性（寿命）を可能とする。 - 特許庁

To provide an MIM capacitive element which can be fabricated with high reliability and high yield by suppressing any damage on the MIM capacitive element when a contact hole is bored by etching.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子へのコンタクト孔エッチング時のダメージを抑え、高信頼性、高歩留まりで形成できるＭＩＭ容量素子を提供する。 - 特許庁

To form an MIM capacitance element in an easy step and to facilitate the formation of a contact with an upper electrode and a lower electrode of the MIM capacitance element.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を容易な工程で形成し、且つ、当該ＭＩＭ容量素子の上部電極および下部電極へのコンタクト形成を容易に行う。 - 特許庁

CAPACITY ELEMENT OF MIM STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING THE SAME例文帳に追加

ＭＩＭ構造の容量素子及びそれを有する半導体集積回路装置 - 特許庁

To suppress dielectric breakdown of a capacitive insulating film caused by abnormal discharge during formation of an MIM capacitive element and obtain the MIM capacitive element having a high capacity density.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子形成時に生じる異常放電による容量絶縁膜の絶縁破壊を抑えることができて、高容量密度のＭＩＭ容量素子を得る。 - 特許庁

The upper electrode metallic film pattern 5B of the dummy MIM element is arranged to keep a prescribed distance from the end of the upper electrode metallic pattern 5A of the main MIM capacitive element, and the upper electrode metallic pattern 5B of the dummy MIM element is configured to be electrically connected to the lower electrode metallic film 3 of the main MIM capacitive element.例文帳に追加

ダミーＭＩＭ素子部の上部電極用金属膜パターン５Ｂを主ＭＩＭ容量素子部の上部電極用金属膜パターン５Ａの端部から一定の距離を保つように配置し、ダミーＭＩＭ素子部の上部電極用金属膜パターン５Ｂは、主ＭＩＭ容量素子部の下部電極用金属膜３と電気的に接続されるように構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving the high reliability of an MIM capacitive element by improving the structure of the MIM capacitive element and the manufacturing process.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子の構造の改善、および製造工程の改善を図ることにより、ＭＩＭ容量素子の高信頼性の向上を可能とする半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the processing size accuracy of the lower electrode metallic film 3 configuring the main MIM capacitive element is enhanced to suppress dispersion in the capacitance of the MIM capacitor, and to reduce the parasitic stray capacitance of the dummy MIM element part.例文帳に追加

これにより、主ＭＩＭ容量素子部を構成する上部電極用金属膜３の加工寸法精度が向上し、ＭＩＭ容量の容量値のばらつきを抑えられるとともに、ダミーＭＩＭ素子部による寄生浮遊容量を低減できる。 - 特許庁

To reduce influence by noise, and to provide an MIM (metal-insulator-metal) type capacitance element with good layout efficiency.例文帳に追加

ノイズの影響を低減できるともに、レイアウト効率のよいＭＩＭ型容量素子を提供する。 - 特許庁

The SiON layer 42 of the antireflection film 4 is used as the dielectric layer of the MIM element as it is.例文帳に追加

反射防止膜４のＳｉＯＮ層４２は、そのままＭＩＭ素子の誘電体層として利用される。 - 特許庁

The switching element can be various elements including a Zener diode, a Schottky barrier diode, or an MIM.例文帳に追加

スイッチング素子は、ツェナーダイオード、ショットキーバリアダイオード、または、ＭＩＭを含む様々な素子であることが可能である。 - 特許庁

The manufacturing cost of an MIM type nonlinear element is reduced by improving the throughput and yield by reducing the number of manufacturing processes of the element.例文帳に追加

ＭＩＭ型非線型素子の製造工程数を短縮することで、スループットと歩留まりを向上させ、製造コストの低減を行なう。 - 特許庁

To provide an MIM capacitive element with high precision by forming a metallic film pattern for an upper electrode for specifying the capacitance of an MIM capacitor with high accuracy so as to suppress dispersion in the capacitance.例文帳に追加

ＭＩＭ容量の容量を規定する上部電極用金属膜パターンを精度よく形成し、容量値のバラツキを抑え、高精度なＭＩＭ容量素子を提供する。 - 特許庁

Consequently, alignment of the MIM capacitive element 13 and the first wiring 11 is accurately performed.例文帳に追加

従って、ＭＩＭ容量素子１３と第１の配線１１とのアライメントを正確に行うことが可能になる。 - 特許庁

To provide a technique for improving reliability of a capacitive element in a semiconductor device having the capacitive element of an MIM structure.例文帳に追加

ＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体装置において、容量素子の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element having a metal-insulator-metal (MIM) capacitor and damascene wiring structure.例文帳に追加

金属−絶縁体−金属キャパシタ及びダマシン配線構造を有する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An integrated element includes a high-speed photodiode element formed on a substrate, an MIM (Metal Insulation Metal) capacitance formed on a layer different from a layer having the high-speed photodiode element, an organic coating film functioning as an insulating film for the high-speed photodiode and an insulating film serving as an underlayer for the MIM capacitance.例文帳に追加

基板上に形成された高速フォトダイオード素子と、高速フォトダイオード素子と異なる層に形成されたＭＩＭ（Metal Insulation Metal）容量と、高速フォトダイオードの絶縁膜およびＭＩＭ容量の下地となる絶縁膜として機能する有機系塗布膜とを備えた集積素子。 - 特許庁

Here, each pixel P has the MIM element 6 which can be manufactured at lower temperature than a transistor, etc., and this MIM element 6 actively drives each pixel electrode 5, so the manufacturing process can be carried out at relatively low temperature.例文帳に追加

本発明によれば、各画素Ｐがトランジスタ等と比べて低温で作製できるＭＩＭ素子６を備え、かかるＭＩＭ素子６によって各画素電極５がアクティブ駆動されることから、製造プロセスを比較的低温で行うことが可能となる。 - 特許庁

A lower metal layer 2B is provided on a lower interlayer dielectric 1 in an MIM capacitance element forming region 2000.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子形成領域２０００の下層層間絶縁膜１の上には、下層金属層２Ｂが設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, which can attempt an occupied area of an MIM capacitance element to reduce.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子の占有面積の縮小を図ることができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of reducing an occupied area in the chip of an MIM capacity element without lowering a capacity value.例文帳に追加

容量値を低減することなく、ＭＩＭ容量素子のチップ内占有面積を小さくすることのできる技術を提供する。 - 特許庁

To prevent luminance unevenness of pixels by voltage drop of line wiring in a display device using a MIM type electron emission element.例文帳に追加

ＭＩＭ型電子放出素子を用いた表示装置において、行配線の電圧降下による画素の輝度むらを防止する。 - 特許庁

The MIM capacitive element comprises a lower electrode metallic film 3, a dielectric film 4, and upper electrode metallic patterns 5A, 5B.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子は下部電極用金属膜３−誘電体膜４−上部電極用金属膜パターン５Ａ，５Ｂからなる。 - 特許庁

An MIM element 4 as a non-ohmic resistance heating unit with the ohmic resistance heating unit stacked thereon is constituted by sandwiching the insulating thin film 2 between the ohmic resistance heating unit electrode 1 and the metal electrode 3.例文帳に追加

オーム型抵抗発熱体電極１と金属電極３との間に絶縁性薄膜２を挟持することにより、オーム型抵抗発熱体が積層された非オーム型抵抗発熱体であるMIM素子４を構成している。 - 特許庁

The TFD element 1 has an MIM structure of the first electrode 3/anodic oxide film 4/second electrode 5 and is applied to a switching element of a liquid crystal display device or the like.例文帳に追加

ＴＦＤ素子１は第１の電極３／陽極酸化膜４／第２の電極５によるＭＩＭ構造を有し、液晶表示装置のスイッチング素子等に適用される。 - 特許庁

MIM (Metal Insulator Metal) capacitance elements formed by comblike patterns of wiring M2 to M6 are arranged on the upper part of the capacitance element C1, and connected in parallel with the capacitance element C1.例文帳に追加

容量素子Ｃ１の上部に配線Ｍ２〜Ｍ６の櫛型のパターンにより形成したＭＩＭ型の容量素子を配置し、これを容量素子Ｃ１と並列に接続する。 - 特許庁

A first contact hole (7) reaching the upper electrode (5) of the MIM capacitive element (100) and a second contact hole (7') reaching the upper electrode of the dummy MIM capacitive element (101) are bored through the insulating film (6) wherein the first contact hole (7) and the second contact hole (7') have a substantially identical depth.例文帳に追加

絶縁膜（６）中に形成されたＭＩＭ容量素子（１００）の上部電極（５）に達する第１のコンタクト孔（７）とダミーＭＩＭ容量素子（１０１）の上部電極に達する第２のコンタクト孔（７’）とを備え、第１のコンタクト孔（７）と第２のコンタクト孔（７’）の深さはほぼ同じである。 - 特許庁

To acquire an MIM (Metal-Insulator-Metal) capacitive element whose insulating film SiO_2 has a small temperature coefficient as a characteristic other than the voltage coefficient.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子の絶縁膜ＳｉＯ_2について、電圧係数以外の特性として温度係数の小さなＭＩＭ容量素子を獲得する。 - 特許庁

A capacitive element 3 has an MIM (metal-insulator-metal) structure in which a capacitive insulating film 6 is sandwiched between a lower electrode 5 and an upper electrode 7.例文帳に追加

容量素子３は、容量絶縁膜６を下部電極５と上部電極７との間に挟み込んだＭＩＭ構造を有している。 - 特許庁

In the first MIM capacitive element 13, a first capacitive film 6 is sandwiched between first lower and upper electrodes 4, 7.例文帳に追加

第１ＭＩＭ容量素子１３は、第１容量膜６を第１下電極４および第１上電極７で挟み込んだ構造を有している。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, an MIM type capacitive element is formed with an electrode formed with a metal pattern of comb shape of wirings M1-M5.例文帳に追加

半導体基板１上に、配線Ｍ１〜Ｍ５の櫛型形状の金属パターンで電極を形成したＭＩＭ型の容量素子が形成される。 - 特許庁

To reduce wiring resistance relating to an element substrate having nonlinear elements such as MIM elements, a manufacturing method therefor, and an optoelectronic device using the element substrate.例文帳に追加

ＭＩＭ素子等の非線形素子を有する素子基板およびその製造方法並びにその素子基板を用いた電気光学装置に係り、配線抵抗を低減することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which a lower electrode is formed without causing trouble at all while a scanning wiring has a low resistance and is formed under the state of a high reliability, in an MIM substrate with an MIM element.例文帳に追加

ＭＩＭ素子を備えたＭＩＭ基板において、下部電極が何ら不具合が発生することなく形成されると共に、走査配線が低抵抗でかつ信頼性が高い状態で形成されるＭＩＭ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an arranging structure of an MIM type capacitive element in high reliability by furthermore specifying a front surface profile having a high relative accuracy by specifying the arrangement of two MIM type capacitive elements having the identical capacity value.例文帳に追加

同一の容量値を有する２つのＭＩＭ型容量素子の配置を規定化することにより高い相対精度を有し、さらには表面形状を規定化することにより高い信頼性を有するＭＩＭ型容量素子の配置構造を得る。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device, having such a structure as an MIM element and a fuse can be formed easily in a region, ranging from a multilayer wiring portion to an AVAI interlayer insulation film.例文帳に追加

多層配線部からAVAI層間絶縁膜に亘る領域にＭＩＭ素子およびヒューズを形成し易い構造の半導体装置を得ること。 - 特許庁

In the second MIM capacitive element 14, a second capacitive film 10 is sandwiched between second lower and upper electrodes 9, 11.例文帳に追加

また、第２ＭＩＭ容量素子１４は、第２容量膜１０を第２下電極９および第２上電極１１で挟み込んだ構造を有している。 - 特許庁

A MIM element 35, signal wiring 34 and a transmissive pixel electrode 33 are arrangned on the one substrate member 26 of the liquid crystal panel 21.例文帳に追加

液晶パネル２１の一方基板部材２６には、ＭＩＭ素子３５と信号配線３４と透光性を有する画素電極３３とが設けられる。 - 特許庁