MR ELEMENTとは 意味・読み方・使い方

STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC RESISTANCE(MR) ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）素子の構造および製造方法 - 特許庁

The magnetic sensor 30 includes a bridge 35 with a first MR element 31, a second MR element 32, a third MR element 33, and a fourth MR element 34 annularly and electrically connected together in this order, and a compensation resistor 36.例文帳に追加

磁気センサ３０は、第１のＭＲ素子３１と第２のＭＲ素子３２と第３のＭＲ素子３３と第４のＭＲ素子３４とがこの順に環状に電気的に接続されてなるブリッジ３５と、補正用抵抗器３６と、を有する。 - 特許庁

A bit line 3a to be connected to the lower MR element 4a is formed under the MR element 4a, and a bit line 3b to be connected to the upper MR element 4b is formed above the MR element 4b.例文帳に追加

下側のＭＲ素子４ａの下に、これに接続されるビット線３ａが形成され、上側のＭＲ素子４ｂの上に、これに接続されるビット線３ｂが形成される。 - 特許庁

The magnetoresistive effect device 5 has a first MR element 50, an insulation layer 55 formed on the first MR element 50, and a second MR element 6 stacked on the first MR element 50 via this insulation layer 55.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置５は、第１のＭＲ素子５０と、この第１のＭＲ素子５０の上に形成された絶縁層５５と、この絶縁層５５を介して第１のＭＲ素子５０の上に積層された第２のＭＲ素子６０とを備えている。 - 特許庁

An inclination of the MR element 111 is detected by this manner.例文帳に追加

このようにしてＭＲ素子１１１の傾きを検出する。 - 特許庁

STRUCTURE OF MAGNETORESISTANCE(MR) ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）素子の構造および製造方法 - 特許庁

STRUCTURE OF MAGNETO RESISTANCE(MR) ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）素子の構造及び製造方法 - 特許庁

STRUCTURE OF MAGNETIC-RESISTANCE (MR) ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）素子の構造および製造方法 - 特許庁