MR elementsとは 意味・読み方・使い方

Magneto- resistive elements (MR elements or GBR elements) 40A or 40B are disposed at one of the parallel connected layers and MR element 41 for analog signals are arranged on the other.例文帳に追加

この並列接続された一方にはデジタル信号用磁気抵抗効果素子（MR素子又はGMR素子）４０Ａ又は４０Ｂが配設され、他方にはアナログ信号用磁気抵抗効果素子４１が配設される。 - 特許庁

The device is additionally provided with many oscillation insulating elements arranged so as to support the platform and the MR photographing system on a horizontal supporting surface.例文帳に追加

本装置はさらに、水平支持面上でプラットフォームとMR撮影システムを支えるように配置された多数の振動絶縁要素を備える。 - 特許庁

The patterns 8 for process monitor are formed by ion milling processing with the same stage as the stage for previously forming the film having an ion milling rate higher than that of the MR elements 6 to a film thickness thicker than the film thickness of the MR elements 6 and patterning the MR elements 6.例文帳に追加

加工モニタ用パターン８は、磁気抵抗効果素子６よりもイオンミリングレートが大きな膜を磁気抵抗効果素子６の膜厚よりも厚く形成しておき、磁気抵抗効果素子６をパターン化する工程と同じ工程でイオンミリング処理によってパターン形成する。 - 特許庁

At first, MR elements 4a and 4b are stacked on a silicon substrate 1 with a digit line 8 shred.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ディジット線８を共有して、ＭＲ素子４ａ，４ｂが積層される。 - 特許庁

To provide a read head having one or more magnetoresistive (MR) sensors (or elements).例文帳に追加

１つ以上の磁気抵抗（ＭＲ）センサ（または素子）を有する読取ヘッドを設ける。 - 特許庁

The first and second MR elements, MRM, MRR, can take low- and high-resistance steady states.例文帳に追加

第１、第２ＭＲ素子ＭＲＭ、ＭＲＲは、低、高抵抗状態の定常状態を取り得る。 - 特許庁

Since each MR element 1 is provided with the other terminal 3, the number of terminals is reduced to the number of elements +1 from the conventional number of elements ×2.例文帳に追加

各ＭＲ素子１にはそれぞれ他方の端子３が設けられているので、端子数は従来の素子数×２から、素子数＋１に減少できる。 - 特許庁

To provide a yoke type magneto-resistive(MR) thin-film magnetic head which improves reproduction output and is capable of embody a higher recording density by ameliorating the decrease in the magnetization quantity in overlap regions between MR elements and a magnetic field induction yoke, the reproduction voltage obtd. by the constant current driving of the MR elements and the magnetic field quantity flowing into the MR elements.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と磁界誘導ヨークとの間のオーバーラップ領域における磁化量低下、磁気抵抗効果素子の定電流駆動で得られる再生電圧並びに磁気抵抗効果素子に流入する磁束量を改善することにより再生出力を向上し、高記録密度化が実現できるヨークタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁