MR elementとは 意味・読み方・使い方

STRUCTURE OF MAGNETO RESISTANCE(MR) ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）素子の構造及び製造方法 - 特許庁

STRUCTURE OF MAGNETORESISTANCE(MR) ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）素子の構造および製造方法 - 特許庁

STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC RESISTANCE(MR) ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）素子の構造および製造方法 - 特許庁

This magnetic conversion element includes an MR film 11 and a lateral bias film 12.例文帳に追加

ＭＲ膜１１と、横バイアス膜１２とを含む。 - 特許庁

STRUCTURE OF MAGNETIC-RESISTANCE (MR) ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）素子の構造および製造方法 - 特許庁

WRAPPING GUIDE FOR MR ELEMENT AND METHOD FOR MEASURING STRIPE HEIGHT例文帳に追加

ＭＲ素子のラッピングガイド及びストライプハイト測定方法 - 特許庁

The magnetic sensor 30 includes a bridge 35 with a first MR element 31, a second MR element 32, a third MR element 33, and a fourth MR element 34 annularly and electrically connected together in this order, and a compensation resistor 36.例文帳に追加

磁気センサ３０は、第１のＭＲ素子３１と第２のＭＲ素子３２と第３のＭＲ素子３３と第４のＭＲ素子３４とがこの順に環状に電気的に接続されてなるブリッジ３５と、補正用抵抗器３６と、を有する。 - 特許庁

A memory device 100 has a read margin exceeding MR ratio of an MR element 104 and is equipped with a memory cell 102 having the MR element 104, a reference transistor 106 and an amplification transistor 108.例文帳に追加

メモリデバイス100は、ＭＲ素子104のＭＲ比を超える読み取りマージンを持ち、ＭＲ素子104と、基準トランジスタ106と、増幅トランジスタ108とを有するメモリセル102を備える。 - 特許庁