「MR element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To raise an MR ratio in an MR element where an electric current is made to flow in a direction to be crossed with the surface of each layer constituting the MR element.例文帳に追加

ＭＲ素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるＭＲ素子におけるＭＲ比を大きくする。 - 特許庁

This magnetic conversion element includes an MR film 11 and a lateral bias film 12.例文帳に追加

ＭＲ膜１１と、横バイアス膜１２とを含む。 - 特許庁

STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC RESISTANCE(MR) ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）素子の構造および製造方法 - 特許庁

The magnetic sensor 30 includes a bridge 35 with a first MR element 31, a second MR element 32, a third MR element 33, and a fourth MR element 34 annularly and electrically connected together in this order, and a compensation resistor 36.例文帳に追加

磁気センサ３０は、第１のＭＲ素子３１と第２のＭＲ素子３２と第３のＭＲ素子３３と第４のＭＲ素子３４とがこの順に環状に電気的に接続されてなるブリッジ３５と、補正用抵抗器３６と、を有する。 - 特許庁

A bit line 3a to be connected to the lower MR element 4a is formed under the MR element 4a, and a bit line 3b to be connected to the upper MR element 4b is formed above the MR element 4b.例文帳に追加

下側のＭＲ素子４ａの下に、これに接続されるビット線３ａが形成され、上側のＭＲ素子４ｂの上に、これに接続されるビット線３ｂが形成される。 - 特許庁

The magnetoresistive effect device 5 has a first MR element 50, an insulation layer 55 formed on the first MR element 50, and a second MR element 6 stacked on the first MR element 50 via this insulation layer 55.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置５は、第１のＭＲ素子５０と、この第１のＭＲ素子５０の上に形成された絶縁層５５と、この絶縁層５５を介して第１のＭＲ素子５０の上に積層された第２のＭＲ素子６０とを備えている。 - 特許庁

An inclination of the MR element 111 is detected by this manner.例文帳に追加

このようにしてＭＲ素子１１１の傾きを検出する。 - 特許庁

STRUCTURE OF MAGNETORESISTANCE(MR) ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）素子の構造および製造方法 - 特許庁

STRUCTURE OF MAGNETO RESISTANCE(MR) ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）素子の構造及び製造方法 - 特許庁

STRUCTURE OF MAGNETIC-RESISTANCE (MR) ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗（ＭＲ）素子の構造および製造方法 - 特許庁

A number of the plurality of MR elements for configuring each MR element row is an even-number which is 2 or more.例文帳に追加

各ＭＲ素子列を構成する複数のＭＲ素子の数は、２以上の偶数である。 - 特許庁

To provide a fabricating method of a magnetoresistive element having an MR ratio higher than a conventional MR ratio.例文帳に追加

従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Each MR element row is configured by a plurality of MR elements connected in series.例文帳に追加

各ＭＲ素子列は、直列に接続された複数のＭＲ素子によって構成されている。 - 特許庁

The magnetic head 1 is provided with an MR element 2, a substrate 3 insert-supporting the MR element 2 in a center of it from both of the side parts to slide the magnetic tape 5, in contact with a tape sliding surface 4.例文帳に追加

磁気ヘッド１は、MR素子２と、MR素子２を両側部から挟んで中央部に支持している基板３と、を備えていて、テープ接触面４に磁気テープ５が接触して摺動するようになっている。 - 特許庁

To provide a tunneling magneto-resistance effect element (TMR element) which has a low element resistance and a high MR ratio.例文帳に追加

素子抵抗が低く、ＭＲ比の高いトンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）を提供すること。 - 特許庁

To provide an MR element which can prevent decline of its MR output per unit optical MR track width and can make an effective MR track width coincident with the optical MR track width, a thin film magnetic head equipped with the MR element, a method of manufacturing the MR element, and to provide a method of manufacturing a magnetic head.例文帳に追加

光学的ＭＲトラック幅の単位当りのＭＲ出力低下を防止でき、かつ実効的ＭＲトラック幅と光学的ＭＲトラック幅とを一致させることができるＭＲ素子、このＭＲ素子を備えた薄膜磁気ヘッド、このＭＲ素子の製造方法及びこの薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

In an initial state, the resistor of the first MR element 11A and the resistor of the second MR element 11B are mutually equal.例文帳に追加

よって、初期状態において、第１のＭＲ素子１１Ａの抵抗と第２のＭＲ素子１１Ｂの抵抗とが互いに等しくなる。 - 特許庁

The magnetization direction 53 in the magnetization fixed layer of the third MR element is the same as the magnetization direction 51 in the magnetization fixed layer of the first MR element.例文帳に追加

第３のＭＲ素子の磁化固定層の磁化５３が、第１のＭＲ素子の磁化固定層の磁化方向５１と同じである。 - 特許庁

The motion detecting MR element 13 only needs to detect if there is the movement of the shift lever, which means only one MR element is needed.例文帳に追加

移動検知ＭＲ素子１３は単にシフトレバーの移動有無を検出できればよいので、単なる１つのＭＲ素子１で済む。 - 特許庁

The MR ratio of the magneto-resistance element Ref is set to be half of the MR ratio of the magnet-resistance element in the memory cell.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＲｒｅｆのＭＲ比は、メモリセル内の磁気抵抗素子のＭＲ比の半分に設定されている。 - 特許庁

The MR element and an analog amplification circuit 17 which processes outputs of the MR element 16 are mounted on a circuit board 15.例文帳に追加

ＭＲ素子１６及びＭＲ素子１６の出力を処理するアナログ増幅回路１７が回路基板１５に実装されている。 - 特許庁

The MR element 5 is connected through an electrode layer 7a with the conductive layer 7b.例文帳に追加

ＭＲ素子５と導電層７ｂは、電極層７ａによって接続される。 - 特許庁

MAGNETIC FIELD ANGLE MEASUREMENT METHOD AND DEVICE, AND MAGNETIZATION METHOD FOR MR ELEMENT例文帳に追加

磁場角測定方法および装置、並びにＭＲ素子の磁化方法 - 特許庁

The MR element includes a magnetoresistive film 30 and insulating films 231 and 241.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜３０と、絶縁膜２３１、２４１とを含む。 - 特許庁

WRAPPING GUIDE FOR MR ELEMENT AND METHOD FOR MEASURING STRIPE HEIGHT例文帳に追加

ＭＲ素子のラッピングガイド及びストライプハイト測定方法 - 特許庁

The magnetic detection object 1 includes a thermal conduction layer 6 and an MR element 7.例文帳に追加

磁気検出体１は、熱伝導層６とＭＲ素子７とを有している。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element having excellent thermal stability and a high MR ratio.例文帳に追加

熱安定性にすぐれ、ＭＲ比の高い磁気抵抗素子を提供すること。 - 特許庁

To surely prevent the dielectric breakdown of an MR element and a shield layer.例文帳に追加

ＭＲ素子とシールド層との静電破壊を確実に防止する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction element having a large MR ratio suitable for MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭに好適な高ＭＲ比の磁気トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

The MR element has a protection layer 26 arranged on a soft magnetic layer 25.例文帳に追加

ＭＲ素子は軟磁性層２５の上に配置された保護層２６を有している。 - 特許庁

To provide a top pin type tunnel magneto-resistance element with a high MR ratio.例文帳に追加

ＭＲ比が高いトップピン型のトンネル磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

The reproducing head is provided with an MR element 5, a lower shield layer 3 and an upper shield layer (lower magnetic pole layer) 9 which shield the MR element 5, and an electrode layer 7 connected to the MR element 5.例文帳に追加

再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層（下部磁極層）９と、ＭＲ素子５に接続された電極層７とを有している。 - 特許庁

The magneto-resistance effect device is provided with an MR element 5, a bias magnetic field application layer 18 arranged to be adjacent to each side of the MR element 5, and tow electrode layers 6 for supplying sense currents to the MR element 5.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置は、ＭＲ素子５と、このＭＲ素子５の各側部に隣接するように配置されたバイアス磁界印加層１８と、ＭＲ素子５に対してセンス電流を流す２つの電極層６とを備えている。 - 特許庁

To easily set the power consumed in an MR head to an optional value and also to suppress the heat generation of an MR element even though the MR height, etc., of the MR head are varied.例文帳に追加

ＭＲヘッドで消費される電力を容易に任意の値に設定するとともに、ＭＲヘッドのＭＲ高さなどが変動してもＭＲ素子の発熱を抑制すること。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance element capable of improving an MR ratio in a tunnel magnetoresistive (TMR) element and decreasing variation in resistance.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子におけるＭＲ比の向上、抵抗のバラツキの抑制を図る。 - 特許庁

The air-core coil 7, the Hall element 9, and the MR element 10 are integrally formed with a resin 12.例文帳に追加

空芯コイル７、ホール素子９、ＭＲ素子１０は樹脂１２により一体成形されている。 - 特許庁

A memory device 100 has a read margin exceeding MR ratio of an MR element 104 and is equipped with a memory cell 102 having the MR element 104, a reference transistor 106 and an amplification transistor 108.例文帳に追加

メモリデバイス100は、ＭＲ素子104のＭＲ比を超える読み取りマージンを持ち、ＭＲ素子104と、基準トランジスタ106と、増幅トランジスタ108とを有するメモリセル102を備える。 - 特許庁

To provide an MR element securing high crystallinity at a tip of a magnetic domain control layer located in the vicinity of an MR laminate, a thin film magnetic head, a manufacturing method of the MR element, and a manufacturing method of the thin film magnetic head.例文帳に追加

ＭＲ積層体近傍に位置する磁区制御層先端部において高い結晶性を確保したＭＲ素子、薄膜磁気ヘッド、ＭＲ素子の製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the yoke type MR head comprising an MR element in a yoke notch, a substrate in which a metal film, a nonmagnetic insulating film and an MR element are sequentially formed on the notch is used.例文帳に追加

ヨークの切欠き部にＭＲ素子を具備したヨーク型ＭＲヘッドにおいて、切欠き部上に金属膜と非磁性絶縁膜とＭＲ素子が順次形成された基板を用いる。 - 特許庁

In the yoke type MR head provided with an MR element in the notched part of a yoke 10, a substrate on which the MR element 11 is formed and a recording medium sliding reinforcing member 14 made of a ferromagnetic material are joined together through a nonmagnetic material 15.例文帳に追加

ヨーク１０の切欠き部にＭＲ素子１１を具備したヨーク型ＭＲヘッドにおいて、ＭＲ素子１１が形成された基板と強磁性体からなる記録媒体摺動補強材１４を非磁性材料１５を介して接合する。 - 特許庁

Thus, it becomes possible to attain an accuracy of ±0.010 μm or less for the height of the MR element, and a reproduction output of the MR element is stabilized, and also a yield of an MR manufacturing process can be improved.例文帳に追加

これにより、ＭＲ素子の素子高さ精度±０．０１０μｍ以下を実現することが可能になり、ＭＲヘッドの再生出力が安定するとともに、ＭＲ製造プロセスの歩留りを向上することができる。 - 特許庁

An MR head 210 has an MR element 213 disposed between magnetic shielding layers 211 and 212 consisting of a soft magnetic material.例文帳に追加

ＭＲヘッド２１０は、軟磁性体からなる磁気シールド層２１１，２１２間にＭＲ素子２１３が配置されたものである。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive element or the like for realizing excellent exchange coupling magnetic field while maintaining a higher MR changing rate of a specular spin valve film.例文帳に追加

スペキュラースピンバルブ膜の高いMR変化率を維持したまま、良好な交換結合磁界を実現出来る磁気抵抗効果素子等の提供。 - 特許庁

The MR element includes two magnetic flux guide layers 90, which are disposed at positions adjacent to the side faces 5e, 5f of the MR laminate 5.例文帳に追加

ＭＲ素子は、ＭＲ積層体５の側面５ｅ，５ｆに隣接する位置に配置された２つの磁束ガイド層９０を備えている。 - 特許庁

To provide an MR element having high (S/N) by improving the soft magnetic characteristics of a free layer as high MR ratio is held as it is.例文帳に追加

高いＭＲ比を保持したままで、フリー層の軟磁気特性を改善し、（S／N）の高いＭＲ素子を提供すること。 - 特許庁