N filmとは 意味・読み方・使い方

The resist film, silicon nitride film N and sacrifice film G are removed (Fig.7(h)).例文帳に追加

レジスト膜、シリコン窒化膜Ｎ及び犠牲膜Ｇを除去する（図７（ｈ））。 - 特許庁

The film thickness of the organic compound layer satisfies a relationship of the following equation (1): d_1<d_2< ..., <d_n, wherein d_1 denotes the film thickness of a first organic compound layer, d_2 denotes the film thickness of a second organic compound layer, and d_n denotes the film thickness of an n-th organic compound layer.例文帳に追加

ｄ_1＜ｄ_2＜・・・＜ｄ_n （１）（式（１）において、ｄ_1は、第１有機化合物層の膜厚を表す。ｄ_2は、第２有機化合物層の膜厚を表す。ｄ_nは、第ｎ有機化合物層の膜厚を表す。） - 特許庁

Both the (Ga, Mn)N thin film 11 and the (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 are a p-type semiconductor exhibiting ferromagnetism.例文帳に追加

(Ga, Mn)N薄膜１１と(Ga, Mn)_2O_3薄膜１２は共にp型半導体であって強磁性を示す。 - 特許庁

The Si/N ratio of the gate silicon nitride film 16 is set higher than the Si/N ratio of the interlayer silicon nitride film 26.例文帳に追加

ゲート窒化シリコン膜16のＳｉ／Ｎ比を層間窒化シリコン膜26のＳｉ／Ｎ比より高くする。 - 特許庁

n-CHANNEL THIN-FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE n-CHANNEL THIN-FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加

ｎチャネル型薄膜トランジスタ、ｎチャネル型薄膜トランジスタの製造方法および表示装置 - 特許庁

Each superconducting wire rod layer is formed by winding around a thin-film wire rod 120 at a winding radius of R_(n)(m) and a winding pitch of P_(n)(m).例文帳に追加

各超電導線材層は、薄膜線材120を巻き付け半径R_(n)(m)、巻き付けピッチP_(n)(m)で巻回することで形成されている。 - 特許庁

FORMING METHOD OF ORGANIC ZINC OXIDE FILM, N-TYPE CONDUCTIVE FILM AND P-TYPE CONDUCTIVE FILM USING THE FILM例文帳に追加

有機酸化亜鉛膜、ならびにそれを用いたｎ型導電膜およびｐ型導電膜の形成方法 - 特許庁

B-N BASED FILM, AMMONIUM BORATE FILM AND SLIDING MEMBER例文帳に追加

Ｂ−Ｎ系皮膜、ホウ酸アンモニウム皮膜及び摺動部材 - 特許庁