PPMAとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for manufacturing a silicon single crystal by which a CZ silicon single crystal containing oxygen of low concentration, in particular, of an extremely low concentration of ≤15 ppma(ASTM'79) or further of an ultra-low concentration of ≤10 ppma can be stably supplied.例文帳に追加

低酸素濃度、特に１５ｐｐｍａ（ＡＳＴＭ’７９）以下の極低酸素濃度、さらには１０ｐｐｍａ以下の超低酸素濃度のＣＺシリコン単結晶を安定的に供給することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

This silicon single crystal wafer grown by the CZ method is doped with nitrogen and composed of the N-region in the whole region and has ≤8 ppma interstitial oxygen concentration or at least the void-type defects and the dislocation clusters are eliminated from the whole region in the silicon single crystal wafer doped with nitrogen and having ≤8 ppma interstitial oxygen concentration.例文帳に追加

ＣＺ法によって育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、窒素がドープされ、全面Ｎ−領域からなり、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下、或は窒素がドープされ、全面から少なくともボイド型欠陥と転位クラスターが排除されており、かつ格子間酸素濃度が８ｐｐｍａ以下であるシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法。 - 特許庁

The silicon wafer has carbon concentration of 0.1-10 ppma, nitride concentration of 1×10^13-1×10^15 atoms/cm^3, a conductive type of N, and resistivity of 4 mΩ cm or less.例文帳に追加

シリコンウエーハであって、該シリコンウエーハは、炭素濃度が０．１〜１０ｐｐｍａ、かつ窒素濃度が１×１０^１３〜１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、導電型がＮ型で抵抗率が４ｍΩ・ｃｍ以下であることを特徴とするシリコンウエーハ。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical waveguide substrate wherein the silicon substrate 15 is heated while being exposed under an atmosphere of a gas for oxidizing silicon on the surface of the silicon substrate 15 and whereby the quartz film becoming the optical waveguide is formed on the surface, an oxygen concentration of the silicon substrate 15 is set at 24 ppma at most.例文帳に追加

光導波路基板の製造方法は、シリコン基板１５の表面のシリコンを酸化するガスの雰囲気下にシリコン基板１５を曝しつつ加熱して、光導波路となる石英膜を表面に形成させることによる光導波路基板の製造方法であって、シリコン基板１５の酸素濃度が、最大でも２４ｐｐｍａであることを特徴としている。 - 特許庁

Flowable chips are a polycrystalline silicon piece group which comprises polycrystalline silicon pieces prepared by a chemical vapor deposition process and having bulk impurities at a level not exceeding 0.03 ppma and surface impurities at a level not exceeding 15 ppba, and which moreover has a controlled particle size distribution and generally has nonspherical morphology.例文帳に追加

本発明の流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ０．０３ｐｐｍａを超えないレベルのバルク不純物と１５ｐｐｂａを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る。 - 特許庁

The silicon wafer manufacturing method is characterized in that a silicon single-crystal bar, whose resistivity is 100 Ω.cm or more and initial inter-lattice-oxygen concentration is 5 to 10 ppma, is grown by a Chokralski method, the single-crystal silicon bar is worked as a wafer, and the wafer is treated by quick heating and quick cooling.例文帳に追加

シリコンウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法により、抵抗率が１００Ω・ｃｍ以上で初期格子間酸素濃度が５〜１０ｐｐｍａのシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工し、該ウエーハに急速加熱・急速冷却熱処理を行なうことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。 - 特許庁

A silicon single crystal is heat treated in a rare gas atmosphere or a non-oxidizing atmosphere where the nitrogen concentration is 5×10^14-6×10^15 atoms/cm^3, the carbon concentration is 1×10^15-9×10^15 atoms/cm^3, and the impurity concentration is 5 ppma or lower.例文帳に追加

シリコン単結晶は、窒素濃度が５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３超え６×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、炭素濃度が１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上９×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、不純物濃度が５ｐｐｍａ以下の希ガス雰囲気もしくは非酸化性雰囲気中において熱処理する。 - 特許庁