Region IIIとは 意味・読み方・使い方

The second cladding region 23 includes a first p-type group III nitride semiconductor layer 27 and a second p-type group III nitride semiconductor layer 29.例文帳に追加

第２のクラッド領域２３は、第１ｐ型III族窒化物半導体層２７及び第２ｐ型III族窒化物半導体層２９を含む。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device 1 includes: a group III nitride substrate 3; an active region 5; and a III-V compound semiconductor layer 7.例文帳に追加

半導体発光素子１は、III族窒化物基板３と、活性領域５と、III−Ｖ化合物半導体層７とを備える。 - 特許庁

The junction region 19 comprises an n-type III-V compound semiconductor layer 25 and a p-type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

接合領域１９は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体層２５およびｐ型III−Ｖ化合物半導体層２７からなる。 - 特許庁

To realize a high quality, large size group III nitride crystal by suppressing the leakage of a flux from a region where the group III nitride grows.例文帳に追加

III族窒化物が成長する領域からのフラックスの漏れを抑制し、高品質で大型のIII族窒化物結晶を実現する。 - 特許庁

The gallium nitride-based semiconductor region 19 includes a group III nitride semiconductor film 21 containing magnesium as a p-type dopant, and the group III nitride semiconductor film 21 contains aluminum as a group III constituent element.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体領域１９は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜２１を有しており、III族窒化物半導体膜２１は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。 - 特許庁

A group-III nitride semiconductor region 13-1 includes a first region 13a-1 and a second region 13b-1.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域１３−１は第１領域１３ａ−１及び第２領域１３ｂ−１を含む。 - 特許庁

A group-III nitride semiconductor region 13-1 is provided on an active layer 15-1 and includes a first region 13a-1 and a second region 13b-1.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域１３−１は、活性層１５−１上に設けられ、また第１領域１３ａ−１及び第２領域１３ｂ−１を含む。 - 特許庁

An active region 17 is formed between a group III-V compound semiconductor region 13 of a first conductivity type and a group III-V compound semiconductor region 15 of a second conductivity type.例文帳に追加

活性領域１７は、第１導電型III−V化合物半導体領域１３と第２導電型III−V化合物半導体領域１５との間に設けられている。 - 特許庁