SUBSTRATE INHIBITIONとは 意味・読み方・使い方

In the ion implantation process, the ions are implanted to the silicon carbide substrate where the implantation inhibition layer is formed with the implantation inhibition layer as the mask.例文帳に追加

イオン注入工程では、注入阻止層が形成された炭化珪素基板に注入阻止層をマスクとしてイオンを注入する。 - 特許庁

To provide a method for avoiding substrate inhibition of pyrroloquinoline quinone-dependent glucose dehydrogenase (PQQGDH).例文帳に追加

ピロロキノリンキノン依存性グルコース脱水素酵素の基質阻害を回避する方法の提供。 - 特許庁

TURBO-MOLECULAR PUMP, SUBSTRATE PROCESS DEVICE, AND DEPOSIT ADHESION INHIBITION METHOD FOR TURBO-MOLECULAR PUMP例文帳に追加

ターボ分子ポンプ、基板処理装置、及びターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法 - 特許庁

In the implantation inhibition layer removing process, the implantation inhibition layer is removed from the silicon carbide substrate to which the ions are implanted in the ion implantation process.例文帳に追加

注入阻止層除去工程では、イオン注入工程においてイオンが注入された炭化珪素基板から注入阻止層を除去する。 - 特許庁

In the implantation inhibition layer forming process, the implantation inhibition layer having a pattern exposing a region to which ions are implanted is formed in a silicon carbide substrate.例文帳に追加

注入阻止層形成工程では、炭化珪素基板において、イオンが注入される領域を露出させるパターンを有する注入阻止層を形成する。 - 特許庁

A disposition inhibition area Zm formed with the sealing material 16 having the defect on the mother substrate MA is detected and a dummy spacer DS is formed on the inner side of the disposition inhibition area Zm.例文帳に追加

マザー基板ＭＡ上の欠陥のあるシール材１６で形成された配置禁止領域Ｚｍを検出し、配置禁止領域Ｚｍの内側にダミースペーサーＤＳを形成した。 - 特許庁

On a substrate 11 made of sapphire, a distortion inhibition layer 13 made of Al_0.035Ga_0.965N is grown at a temperature of approximately 1100°C.例文帳に追加

サファイアからなる基板１１の上に、Ａｌ_0.035Ｇａ_0.965Ｎからなる歪抑制層１３を１１００℃程度の温度で成長する。 - 特許庁

A deformation inhibition layer 15 composed of a metal foil and a resin sheet having higher rigidity than an insulating substrate 11 is provided between the insulating substrate 11 and an adhesive layer 16.例文帳に追加

絶縁性基材１１と接着層１６との間に金属箔や絶縁基材１１より高剛性の樹脂シートにより構成の歪み抑制層１５を設ける。 - 特許庁