T-gateとは 意味・読み方・使い方

N-type gate electrodes 5 are embedded in the trenches T respectively through the intermediary of gate insulating films 4.例文帳に追加

トレンチＴにゲート絶縁膜４を介してＮ型のゲート電極５が埋め込まれている。 - 特許庁

T-GATE FORMING METHOD FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND GATE STRUCTURE THEREOF例文帳に追加

高電子移動度トランジスタのＴ−ゲート形成方法及びそのゲート構造 - 特許庁

To provide a T-gate forming method for a high electron mobility transistor and a gate structure thereof.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタのＴ−ゲート形成方法及びそのゲート構造を提供する。 - 特許庁

A T-type gate electrode 25 is formed on the semiconductor layer 12.例文帳に追加

半導体層１２上にＴ型ゲート電極２５が形成されている。 - 特許庁

Here, the sectional structure of the gate electrode is provided in a T-shape.例文帳に追加

ここで、ゲート電極の断面構造はＴ字形状である。 - 特許庁

Gates of the transistors T, T' are electrically connected to the n-type cathode regions 3, 3' of the thyristor 25, 25', and gate/source of the transistors T, T' are connected.例文帳に追加

絶縁ゲート電界トランジスタＴ，Ｔ’のゲートがサイリスタ２５，２５’のｎ形カソード領域３，３’に電気的に接続され、絶縁ゲート電界トランジスタＴ，Ｔ’のゲート・ソース間が接続されている。 - 特許庁

An epitaxial layer is used for adjustment/reduction of a threshold voltage V_t of PFET region and large amount of reduction in V_t (up to 500 mV) which are required by a CMOS device provided with a mid gap metal gate.例文帳に追加

ミッドギャップ金属ゲートを備えるＣＭＯＳデバイスによって要求される、ＰＦＥＴ領域のしきい値電圧Ｖ_t 調節／低下，多量のＶ_t 低減（〜５００ｍＶ）のためにエピタキシャル層を用いる。 - 特許庁

The gate electrode 5a of the transistor T is formed of the polysilicon film containing silicon.例文帳に追加

トランジスタＴのゲート電極５ａは、シリコンを含有するポリシリコン膜から形成されている。 - 特許庁