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コンピューター用語辞典での「T-gate」の意味

T-gate<ternary selector gate>

3進セレクターゲート



「T-gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 176



例文

GATE TYPE A/T LEVER例文帳に追加

ゲート式A/Tレバー - 特許庁

T-GATE FORMATION例文帳に追加

T−ゲート形成 - 特許庁

To stably form a T-shape gate electrode having a short gate length and a low resistance.例文帳に追加

短いゲート長で且つ低抵抗のT形のゲート電極を安定に形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SELF-ALIGNED T SHAPED GATE TO REDUCE GATE RESISTANCE例文帳に追加

ゲート抵抗を減少するための自動整合T形ゲートの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING T-SHAPE GATE ELECTRODE例文帳に追加

T形ゲート電極の形成方法 - 特許庁

The method also comprises a step of forming a T-shape gate electrode 40 by removing the first resist pattern.例文帳に追加

次いで、第1のレジストパターンを除去することによりT形ゲート電極40が形成される。 - 特許庁

例文

The T-shaped gate electrode comprises a gate metal containing a material which reacts with water.例文帳に追加

そして、T型ゲート電極は水と反応する材料を含むゲートメタルから構成される。 - 特許庁

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「T-gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 176



例文

N-type gate electrodes 5 are embedded in the trenches T respectively through the intermediary of gate insulating films 4.例文帳に追加

トレンチTにゲート絶縁膜4を介してN型のゲート電極5が埋め込まれている。 - 特許庁

T-GATE FORMING METHOD FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND GATE STRUCTURE THEREOF例文帳に追加

高電子移動度トランジスタのT−ゲート形成方法及びそのゲート構造 - 特許庁

To provide a T-gate forming method for a high electron mobility transistor and a gate structure thereof.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタのT−ゲート形成方法及びそのゲート構造を提供する。 - 特許庁

A T-type gate electrode 25 is formed on the semiconductor layer 12.例文帳に追加

半導体層12上にT型ゲート電極25が形成されている。 - 特許庁

Here, the sectional structure of the gate electrode is provided in a T-shape.例文帳に追加

ここで、ゲート電極の断面構造はT字形状である。 - 特許庁

Gates of the transistors T, T' are electrically connected to the n-type cathode regions 3, 3' of the thyristor 25, 25', and gate/source of the transistors T, T' are connected.例文帳に追加

絶縁ゲート電界トランジスタT,T’のゲートがサイリスタ25,25’のn形カソード領域3,3’に電気的に接続され、絶縁ゲート電界トランジスタT,T’のゲート・ソース間が接続されている。 - 特許庁

An epitaxial layer is used for adjustment/reduction of a threshold voltage V_t of PFET region and large amount of reduction in V_t (up to 500 mV) which are required by a CMOS device provided with a mid gap metal gate.例文帳に追加

ミッドギャップ金属ゲートを備えるCMOSデバイスによって要求される、PFET領域のしきい値電圧V_t 調節/低下,多量のV_t 低減(〜500mV)のためにエピタキシャル層を用いる。 - 特許庁

例文

The gate electrode 5a of the transistor T is formed of the polysilicon film containing silicon.例文帳に追加

トランジスタTのゲート電極5aは、シリコンを含有するポリシリコン膜から形成されている。 - 特許庁

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