Trench cut methodとは 意味・読み方・使い方

In a method of isolating an SOI transistor, by forming a trench and filling up the trench with an insulating film, there are provided a completely isolated region 157b where a trench is cut, until it reaches a ground insulating film and a partial isolation region 157a which is cut so as not to reach to the ground insulating film, leaving an SOI layer uncut.例文帳に追加

トレンチ形成及びトレンチへの絶縁膜の埋め込みによりＳＯＩトランジスタを分離する方法において、下地絶縁膜に達するまでトレンチを形成する完全分離領域と、下地絶縁膜まで達しないでＳＯＩ層を残すようトレンチを形成する部分分離領域１５７ａとを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents the formation of a nonpermissible notch in a gate during a gate etching process and maintains a trench (a cut portion of a gate footing) in the footing of the gate to the minimum, and also to provide a method of manufacturing a semiconductor which is quite effective to technology at the level of 0.18 μm.例文帳に追加

ゲートエッチングプロセスの間に、許容不可能なノッチがゲートに形成されることを回避し、ゲートの基部のくぼみ（ゲート基部の切削部）を最小に維持された半導体デバイスおよび０．１８μｍ以上の技術に非常に有効である半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A wafer separating method includes the steps of forming a trench 218 in a semiconductor wafer along a scribing line, placing a semiconductor wafer on a stage 310 and aligning each semiconductor device 215 to a corresponding hole fixing the semiconductor wafer to the stage 310 through the use of a vacuum, and applying mechanical force to the semiconductor wafer to cut the semiconductor wafer along the scribing line.例文帳に追加

ウェーハの分離方法は、半導体ウェーハにスクライブ線に沿って溝２１８を形成する段階と、ステージ３１０上に半導体ウェーハを載置する段階であって、半導体素子２１５各々が対応するホールに整列される段階と、真空を利用して半導体ウェーハをステージ３１０に固定させる段階と、半導体ウェーハに機械的な力を加えて、スクライブ線に沿って半導体ウェーハを切断する段階とを備える。 - 特許庁