trench coverとは 意味・読み方・使い方

A BPSG film 36 is deposited to cover the upper part of the trench 31 for separating devices.例文帳に追加

ＢＰＳＧ膜３６を堆積し、素子分離用トレンチ３１の上部を塞ぐ。 - 特許庁

The trench capacitor 25 has a first electrode 22, formed in the semiconductor substrate 11 to surround the trench 20 and containing an impurity, a capacitor insulating film 23 formed to cover the inner wall of the trench 20, and a second electrode 24 formed so as to fill the trench 20 with itself.例文帳に追加

トレンチキャパシタ２５は、トレンチ２０を囲むように半導体基板１１に形成され、不純物を含有する第１電極２２と、トレンチ２０の内壁を被覆するように形成されたキャパシタ絶縁膜２３と、トレンチ２０を埋めるように形成された第２電極２４とを有する。 - 特許庁

A trench 100 is formed in the surface side of a substrate 1, a sacrifice layer being dissolved by wet etching for forming a trench 5 from the rear surface side of the substrate 1 is formed in a region of the substrate 1 contiguous to that trench 100, and then a protective film 95 is formed to cover the trench 100 and the sacrifice layer.例文帳に追加

基板１の表側の面に溝１００を形成し、基板１の、この溝１００に隣接する領域に、基板１の裏側から溝５を形成するためのウエットエッチングによって溶解される犠牲層を形成し、さらに、溝１００と犠牲層とを覆って、保護膜９５を形成する。 - 特許庁

The wafer is positioned overlying the pedestal cover in a material deposition chamber, with the cover defining a peripheral circumferential trench therein.例文帳に追加

ウェハが材料堆積用のチャンバ内で台座カバーに被せられて配置され、カバーがその周縁部に円周の溝を規定する。 - 特許庁

A barrier film 6 comprising the silicon nitride film is formed from the opening end of the trench 2 through the liner film 4 on the sidewall of the trench 2 to the silicon oxide film 7 so as to cover the films.例文帳に追加

トレンチ２の開口端からトレンチ２の側壁のライナー膜４を経てシリコン酸化膜７にわたり、これらの膜を覆うように、シリコン窒化膜からなるバリアー膜６が形成されている。 - 特許庁

Unnecessary parts without a trench in an unequal pattern formed on the photo resist 7 are covered with a cover resist 8 or 8' to form a normal and unequal-pitch deep trench pattern.例文帳に追加

フォトレジスト７に形成された均等なパターンの内、トレンチを形成しない不要な部分をカバーレジスト８又は８′で被覆して通常の不均等なピッチのディープトレンチパターンを形成する。 - 特許庁

In a bidirectional Zener diode IZD having a trench structure, an upper electrode UE is formed that extends from the inside of an opening OP to cover a trench TR (isolation region).例文帳に追加

本発明におけるトレンチ構造の双方向ツェナーダイオードＩＺＤは、上部電極ＵＥを、開口部ＯＰ内からトレンチＴＲ（アイソレーション領域）までを覆うように延在して形成している。 - 特許庁

An insulating film IIA is formed over the transistor and in the trench DTR, so as to cover the transistor and form an air-gap space SP in the trench DTR.例文帳に追加

そのトランジスタ上を覆うように、かつ溝ＤＴＲ内に中空ＳＰを形成するようにトランジスタ上および溝ＤＴＲ内に絶縁膜ＩＩＡが形成される。 - 特許庁