VLSI processesとは 意味・読み方・使い方

To provide positive resist composition and a pattern forming method using it capable of preferably using super-micro lithographic processes or the other photo-fabrication process, such as manufacturing a VLSI or a micro chip of large capacity etc., with a wide latitude for exposure, and excellent in uniformity of line width.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて、好適に使用することができ、露光ラチチュードが広く、線幅の面内均一性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition improved in resolution, development defects and outgassing and a pattern forming method using the same, which are a positive resist composition suitable for use in an ultramicrolithography process for producing VLSI or high-capacity microchips or in other photofabrication processes and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトパブリケーションプロセスに好適に用いられるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であり、解像力、現像欠陥、アウトガスが改良されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition excellent in resolution, line edge roughness and side lobe margin and a pattern forming method using the same, which is a resist composition suitable for use in an ultramicrolithography process for producing VLSI or high-capacity microchips or in other photofabrication processes, and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトパブリケーションプロセスに好適に用いられるレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であり、解像性、ラインエッジラフネス、サイドローブマージンに優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive acting resist composition which is suitably used in a super-microlithography process and other photofabrication processes of manufacturing a VLSI and a high-capacity microchip and has excellent line edge roughness and further a positive acting resist composition which has superior resolving power, defocusing latitude, and an exposure margin in contact-hole pattern formation.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、ラインエッジラフネスが良好なポジ型レジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュード、露光マージンにも優れたポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁