active fuse elementとは 意味・読み方・使い方

Thus, the fuse element formation region is disposed at the active region corner part and then the fuse element can be disposed without forming the fuse in the core circuit formation region.例文帳に追加

活性領域角部にヒューズ素子形成領域を配置することにより、コア回路形成領域にヒューズを形成することなく、ヒューズ素子を配置することが可能となる。 - 特許庁

A first semiconductor region (4) located just under the fuse element (5) in the active region (2) and a second semiconductor region (2a) located at the lower part of both sides of the fuse element (5) in the active region (2) have the same conductivity type.例文帳に追加

そして、活性領域（２）におけるヒューズ素子（５）の直下に位置する第１の半導体領域（４）と、活性領域（２）におけるヒューズ素子（５）の両側下方に位置する第２の半導体領域（２ａ）とは、同一の導電型である。 - 特許庁

A semiconductor device has an active region 10 including a core circuit formation region 1 and a buffer formation region 2, and a fuse element formation region which is arranged at a corner part of the active region and can electrically be blown.例文帳に追加

半導体装置は、コア回路形成領域およびバッファ形成領域を含む活性領域と、活性領域の角部に配置された電気的に溶断可能なヒューズ素子形成領域とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an active region (2) surrounded by an element isolating region (3) on a substrate (1), and a fuse element (5) which is formed on the substrate (1) crossing the active region (2) by forming an insulating film (5a), a semiconductor layer (5b), and a silicide layer (5c) on this sequence.例文帳に追加

半導体装置は、基板（１）における素子分離領域（３）によって囲まれた活性領域（２）と、活性領域（２）上を交差するように基板（１）上に形成され、絶縁膜（５ａ）、半導体層（５ｂ）及びシリサイド層（５ｃ）がこの順に形成されてなるヒューズ素子（５）とを備える。 - 特許庁