amorphous interfaceとは 意味・読み方・使い方

If the interface is with the active semiconductor layer of amorphous silicon, the process can be applied to other purposes.例文帳に追加

アモルファスシリコンの活性半導体層との界面であれば、この特異なプロセスを応用することが可能である。 - 特許庁

A p/i interface layer 5 of amorphous silicon oxide having thickness of 1 to 8 nm is provided between a p-type semiconductor layer 6 comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase and an intrinsic i-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層６とｉ型半導体層４との間に、１〜８nmの厚さの非晶質シリコンオキサイドのｐ／ｉ界面層５を設ける。 - 特許庁

However, by making a portion near the interface of the first electrode amorphous, the dielectric thin film is made to have a fine grain structure.例文帳に追加

しかし、第１の電極の界面近傍を非晶質にすることで、誘電体薄膜は微細グレイン構造を有するようになる。 - 特許庁

In this state, the impurity atoms are integrated at an interface between the recrystallized layer 4 and the amorphous ion implantation layer 2 and form the concentration peak.例文帳に追加

このとき、再結晶化層４と非晶質のイオン注入層２との界面に不純物原子が集積し濃度ピークを形成する。 - 特許庁

Thus, the occurrence of microcrystallization, defects or interface state, which may otherwise occur at an interface between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30, is reduced because a thin layer of the silicon-oxide thin film 20 is provided between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30.例文帳に追加

従って、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との間に薄層の酸化シリコン薄膜２０が設けられているため、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との界面において生じ得る微結晶化や欠陥あるいは界面準位の発生が低減される。 - 特許庁

In a photovoltaic device where an i-type amorphous silicon thin film 2 is provided between an n-type single crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon based thin film 3, boron atoms are introduced to an interface region of the silicon substrate 1 and the i-type amorphous silicon thin film 2.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコ系薄膜３との間にｉ型非晶質シリコン薄膜２を介在させた光起電力装置において、シリコン基板１ｉ型非晶系シリコン薄膜２とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。 - 特許庁

The concentration of the hydrogen atom (about 6×10^21cm^-3) of an interface between the n-type single crystal silicon substrate 1 and the undoped amorphous silicon film 2a is higher than the concentration of hydrogen atom in the undoped amorphous silicon film 2a.例文帳に追加

そして、ｎ型単結晶シリコン基板１とノンドープ非晶質シリコン膜２ａとの界面の水素原子濃度（約６×１０^２１ｃｍ^−３）が、ノンドープ非晶質シリコン膜２ａ中の水素原子濃度よりも高い。 - 特許庁

Moreover, the orientation of the plane (321) is mainly given to the interface side with the hydrogenated amorphous silicon layer 3, while the orientation of the plane (222) is also mainly given to the remaining portion.例文帳に追加

また、水素化非晶質シリコン層３との界面側に（３２１）面の配向を有し、残りの部分は（２２２）面の配向を主とする。 - 特許庁