「amorphous interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The urethane sheet 2 has: a crystal phase formed by a hard segment; an amorphous phase formed by a soft segment; and an interface phase between the crystal phase and the amorphous phase.例文帳に追加

ウレタンシート２は、ハードセグメントで形成される結晶相と、ソフトセグメントで形成される非晶相と、結晶相および非晶相の間の界面相とを有している。 - 特許庁

Then, the microcrystalline grains and amorphous silicon layer come into contact with each other to improve the interface area.例文帳に追加

よって、微結晶粒とアモルファスシリコン層とが接触することとなり、界面積を向上させることができる。 - 特許庁

If the interface is with the active semiconductor layer of amorphous silicon, the process can be applied to other purposes.例文帳に追加

アモルファスシリコンの活性半導体層との界面であれば、この特異なプロセスを応用することが可能である。 - 特許庁

A p/i interface layer 5 of amorphous silicon oxide having thickness of 1 to 8 nm is provided between a p-type semiconductor layer 6 comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase and an intrinsic i-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層６とｉ型半導体層４との間に、１〜８nmの厚さの非晶質シリコンオキサイドのｐ／ｉ界面層５を設ける。 - 特許庁

However, by making a portion near the interface of the first electrode amorphous, the dielectric thin film is made to have a fine grain structure.例文帳に追加

しかし、第１の電極の界面近傍を非晶質にすることで、誘電体薄膜は微細グレイン構造を有するようになる。 - 特許庁

In this state, the impurity atoms are integrated at an interface between the recrystallized layer 4 and the amorphous ion implantation layer 2 and form the concentration peak.例文帳に追加

このとき、再結晶化層４と非晶質のイオン注入層２との界面に不純物原子が集積し濃度ピークを形成する。 - 特許庁

Thus, the occurrence of microcrystallization, defects or interface state, which may otherwise occur at an interface between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30, is reduced because a thin layer of the silicon-oxide thin film 20 is provided between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30.例文帳に追加

従って、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との間に薄層の酸化シリコン薄膜２０が設けられているため、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との界面において生じ得る微結晶化や欠陥あるいは界面準位の発生が低減される。 - 特許庁

In a photovoltaic device where an i-type amorphous silicon thin film 2 is provided between an n-type single crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon based thin film 3, boron atoms are introduced to an interface region of the silicon substrate 1 and the i-type amorphous silicon thin film 2.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコ系薄膜３との間にｉ型非晶質シリコン薄膜２を介在させた光起電力装置において、シリコン基板１ｉ型非晶系シリコン薄膜２とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。 - 特許庁

The concentration of the hydrogen atom (about 6×10^21cm^-3) of an interface between the n-type single crystal silicon substrate 1 and the undoped amorphous silicon film 2a is higher than the concentration of hydrogen atom in the undoped amorphous silicon film 2a.例文帳に追加

そして、ｎ型単結晶シリコン基板１とノンドープ非晶質シリコン膜２ａとの界面の水素原子濃度（約６×１０^２１ｃｍ^−３）が、ノンドープ非晶質シリコン膜２ａ中の水素原子濃度よりも高い。 - 特許庁

Moreover, the orientation of the plane (321) is mainly given to the interface side with the hydrogenated amorphous silicon layer 3, while the orientation of the plane (222) is also mainly given to the remaining portion.例文帳に追加

また、水素化非晶質シリコン層３との界面側に（３２１）面の配向を有し、残りの部分は（２２２）面の配向を主とする。 - 特許庁

Consequently, the amorphous semiconductor film at a part of an interface with a gate insulating film 3 is converted into a microcrystal semiconductor film 4 having crystallinity.例文帳に追加

これにより、ゲート絶縁膜３との界面部の非晶質半導体膜を結晶性を有する微結晶半導体膜４に変換する。 - 特許庁

The amorphous layers 34, 39 suppress interface reactions between the magnetic grains 32, 36 and the crystal layers 35, 41 in a forming process.例文帳に追加

非晶質層３４、３９によれば、製造過程で磁性結晶粒３２、３６および結晶層３５、４１の間で界面反応は十分に抑制される。 - 特許庁

A polycrystalline silicon 5 (or amorphous silicon) having an oxidized surface is formed at the interface between the silicon oxide film 2 and the gate insulating film 3 thereon.例文帳に追加

シリコン酸化膜２とゲート絶縁膜３との境界上には、表面が酸化された多結晶シリコン５（あるいは非晶質シリコン）が形成される。 - 特許庁

The amorphous p-i-n thin film light emitting diode has an emission layer on the p-i interface so that emission intensity of a device is increased while lowering a required operating voltage.例文帳に追加

本発明の非晶質ｐ−ｉ−ｎ薄膜発光ダイオードの発光層はp-iの界面にあり、デバイスの発光光度を上げ、必要な操作電圧を下げる。 - 特許庁

For a ferroelectric layer of the magnetoresistive device, an exchange coupling type ferrimagnetic layer or an amorphous layer and interface magnetic layer is used to reduce a diamagnetic field.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の強磁性層に交換結合型フェリ磁性層あるいは非晶質層と界面磁性層を用いることにより、反磁界を小さくする。 - 特許庁

Since the feature of the interface of the amorphous region 18a and the microcrystal 18b does not vary significantly, variation in forming voltage is suppressed.例文帳に追加

そして、アモルファス領域１８ａと微結晶１８ｂとの界面の特徴には、あまりばらつきが生じないため、フォーミング電圧のばらつきも小さなものとなる。 - 特許庁

To improve junction characteristics by enhancing interface characteristics between a crystalline silicon semiconductor and an amorphous silicon semiconductor.例文帳に追加

この発明は、結晶系シリコン半導体と非結晶シリコン系半導体との界面特性を向上させ、接合特性を改善させることを目的とするものである。 - 特許庁

In a resistance variation memory thus configured, an interface of the amorphous region 18a and the microcrystal 18b exists in the resistance variation film 18.例文帳に追加

このように構成された抵抗変化メモリでは、抵抗変化膜１８中にアモルファス領域１８ａと微結晶１８ｂとの界面が存在する。 - 特許庁

This method has a stage, where the trench 200 is formed in the substrate 24, a stage where a nitride interface layer 1250 covering at least part of the sidewall 32 of the trench 200 is formed, a stage where an amorphous layer covering the nitride interface layer 1250 is formed, and a stage where an oxide layer 160 is formed by oxidizing the amorphous layer.例文帳に追加

基板２４にトレンチ２００を形成する工程、トレンチ２００の側壁３２の少なくとも一部を覆う窒化物界面層１２５０を形成する工程と、窒化物界面層１２５０を覆うアモルファス層を形成する工程と、アモルファス層を酸化して酸化物層１６０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

By using amorphous In-Ga-Zn-O as the n-layer 3; occurrence of discontinuation, a void or the like can be prevented on a joint interface between the n-layer 3 and the p-layer 2, thereby forming a good joint interface.例文帳に追加

ｎ層３としてアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを用いることから、ｎ層３とｐ層２との接合界面に不連続性やボイド等が発生することが防止され、良好な接合界面が形成される。 - 特許庁

In the amorphous layer, a composition is made gradient by the second type doping, so that the layer is formed as intrinsic composition substantially in the interface with the elongated semiconductor nanostructures, and that the layer may become conductive composition substantially at an opposite side of the amorphous layer.例文帳に追加

該非晶質層は、細長い半導体ナノ構造との界面においては実質的に真性組成とし、非晶質層の反対側においては実質的に導電性組成となるよう、第２のタイプのドーピングにより組成を傾斜させる。 - 特許庁

A strong electric field is generated in an interface between the photoelectric conversion layer and the interfacial layer by the n-type amorphous silicon interfacial layer, thereby remarkably improving the open voltage.例文帳に追加

ｎ型アモルファスシリコン界面層により、光電変換層と界面層の界面で強い電界を発生させ開放電圧を大幅に改善させることができる。 - 特許庁

To provide a flattened tunnel magnetoresistance element having high alignment and a flat interface without being influenced by the structure and irregularities of a ground such as an amorphous substance and a polycrystalline substance.例文帳に追加

アモルファスや多結晶体などの下地の構造や凹凸にとらわれることなく高配向で平坦な界面を持つ平坦化トンネル磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

To improve the unconformity at an interface between the surface of monocrystalline or polycrystalline silicon and an amorphous silicon layer in a solar cell adopting a hetero-junction structure.例文帳に追加

ヘテロ接合型構造を採用する太陽電池において、単結晶又は多結晶のシリコンの表面とアモルファスシリコン層との界面での不整合を改善する。 - 特許庁

The substrate 20 coated with the amorphous carbon film is produced by forming the amorphous carbon film 22 on the surface of the substrate 21 under a reduced pressure through a discharge plasma process, wherein an active layer 23 containing either or both of oxygen and nitrogen is formed in an interface between the substrate 21 and the amorphous carbon film 22.例文帳に追加

本発明にかかるアモルファスカーボン膜被覆基材２０は、基材２１の表面に減圧下で放電プラズマによりアモルファスカーボン膜２２を成膜してなるアモルファスカーボン膜被覆基材であって、前記基材２１とアモルファスカーボン膜２２との界面に、酸素、窒素のいずれか一方又は両方を有する活性処理層である活性処理層２３を含むものである。 - 特許庁

For example, in the vicinity of the interface with a substrate, the coated hard material is the crystalline phase from the viewpoint of adhesion and in the vicinity of the surface of the blade part, it is the mixed phase including the amorphous phase.例文帳に追加

例えば、基体との界面近傍では密着性の点から被覆硬質材を結晶質相とし、刃部の表面近傍では非晶質相を含む混合相とする。 - 特許庁

To provide a highly efficient semiconductor element by eliminating damages due to plasma and appropriately maintaining the interface characteristics between an amorphous semiconductor layer and a transparent electrode.例文帳に追加

この発明は、プラズマによるダメージを解消し、非晶質半導体層と透明電極との界面特性を良好に保ち、高効率な半導体素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method capable of removing selectively an amorphous oxide produced on the surface of an insulating oxide thin film without affecting on a barrier layer for interface reforming type bonding.例文帳に追加

界面改質型接合のバリア層に影響を与えることなく、絶縁性酸化物薄膜の表面に生成したアモルファス酸化物を選択的に除去できる方法を提供する。 - 特許庁

Crystal orientation of a crystalline semiconductor film, formed by a known crystallization processing, can be controlled by subjecting the interface between the underlying film and the amorphous semiconductor film to fluorination processing, which is a preprocessing for forming an amorphous semiconductor film.例文帳に追加

上記の課題を解決するために、非晶質半導体膜形成の前処理として、下地膜と非晶質半導体膜の界面をフッ素化処理することにより、公知の結晶化の処理をして形成した結晶性半導体膜の結晶配向性を制御することができる。 - 特許庁

An amorphous silicon region part is formed nearby the interface of the bulk layer with the embedded silicon oxide film, and then the region part is irradiated with laser light under a condition that an active layer made of single-crystal silicon and the bulk layer are not fused, but amorphous silicon having a high coefficient of light absorption is fused.例文帳に追加

バルク層の埋め込みシリコン酸化膜との界面付近にアモルファスシリコン領域部を形成し、その後、この領域部に単結晶シリコンからなる活性層やバルク層は溶融しないが、高吸光係数のアモルファスシリコンは溶融する条件でレーザ光を照射した。 - 特許庁

The amorphous frit for sealing a CRT panel and a funnel has the maximum strain that remains in the panel and the funnel at the frit interface after sealing in the range of 1,600-3,800 psi.例文帳に追加

ＣＲＴのパネルとファンネルを封着する非晶質フリットであって、封着後のフリット界面でのパネル及びファンネルに残留する最大歪が１６００〜３８００ｐｓｉの範囲になることを特徴とする。 - 特許庁

An intermediate layer 5 sandwiched by an amorphous Si photoelectric converting layer 4 and a microcrystal Si photoelectric converting layer 6 is a double-layer structure of a positive charge holding aluminum oxide layer 5a having a positive fixed charge in the interface of the amorphous Si photoelectric converting layer 4 side and a negative charge holding aluminum oxide layer 5b having a negative fixed charge in the interface of the opposite side microcrystal Si photoelectric converting layer 6 side.例文帳に追加

非晶質Ｓｉ光電変換層４と微結晶Ｓｉ光電変換層６とに挟まれた中間層５は、非晶質Ｓｉ光電変換層４側の界面に正の固定電荷を持った正電荷保持酸化アルミニウム層５ａ、反対側の微結晶Ｓｉ光電変換層６側の界面に負の固定電荷を持った負電荷保持酸化アルミニウム層５ｂとする２層構造とする。 - 特許庁

An amorphous silicon layer 4 is formed on the silicon base 1 exposed by eliminating a metal silicide film 3 formed on a sample surface, and a film thickness of the amorphous silicon layer 4 is determined to approximately flatten the unevenness on the interface of the metal silicide film 3 and the silicon base 1.例文帳に追加

試料表面に形成された金属シリサイド膜３を除去することにより露出したシリコン基板１上にアモルファスシリコン層４が形成されるとともに、このアモルファスシリコン層４の膜厚は、金属シリサイド膜３とシリコン基板１との界面に生じた凹凸が略平坦になるように設定される。 - 特許庁

The interface between a lower capacitor and a capacitor insulating film is flattened by crystallizing amorphous SRO films 14 and 17 in continuous way by heat treatment, after forming an amorphous SRO film 14 as a lower capacitor electrode, a polycrystalline BST film 16 consisting of Ba(X)Sr(1- X)TiO (3) as a capacitor insulating film, and an amorphous SRO film 17 as an upper capacitor electrode.例文帳に追加

下部キャパシタ電極としての非晶質ＳＲＯ膜１４、キャパシタ絶縁膜としてＢａ（Ｘ）Ｓｒ（１−Ｘ）ＴｉＯ（３）からなる多結晶ＢＳＴ膜１６、上部キャパシタ電極としての非晶質ＳＲＯ膜１７を連続的に形成した後、熱処理により非晶質ＳＲＯ膜１４，１７を一括して結晶化する事により、下部キャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜との界面を平担にする。 - 特許庁

The tantalic acid lithium substrate and the sapphire substrate thus obtained are jointed, and the junction region of amorphous whose thickness is 0.3 nm or larger and 2.5 nm or smaller is provided at the interface, thus obtaining the substrate whose junction strength is high.例文帳に追加

このようにして得られたタンタル酸リチウム基板とサファイア基板とを接合し、その界面に０．３ｎｍ以上２．５ｎｍ以下の厚みのアモルファスの接合領域を設けると、接合強度の高い基板が得られる。 - 特許庁

An adhesion layer containing amorphous carbon nitride (a-CNx:H) is formed on a laminate comprising an organic material formed on an inorganic material, an interface between an organic material and an inorganic material in a laminate wherein the organic material is formed on the inorganic material and the interface between an adhesive and a substrate hardly adhesive to the adhesive.例文帳に追加

無機材上に有機材が形成された積層体や、有機材の上に無機材が形成された積層体などにおける有機材と無機材との界面や、接着剤とこの接着剤に対して難接着性の基材との界面にアモルファス窒化炭素（ａ−ＣＮｘ：Ｈ）を含む密着層を形成する。 - 特許庁

A crystallization promoting film is formed to promote crystallization in contact with an interfacial magnetic film having an amorphous structure, thus promoting crystallization from the side of a tunnel barrier layer, and adjusting the interface between the tunnel barrier layer and the interfacial magnetic film layer.例文帳に追加

アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。 - 特許庁

The thermal stress relaxing substance 20 is provided with insulation properties and a polycrystalline or an amorphous structure of superior stress-relaxing properties by slippage in an interface between crystal grains, or has a structure which does not exist in a precise crystal arrangement having small density.例文帳に追加

熱応力緩和物質２０は電気絶縁性を有し、結晶粒界に於けるすべりなどにより応力の緩和性に優れた多結晶又はアモルファス構造を有し、或いは密度が小さく緻密な結晶配置にない構造を有している。 - 特許庁

By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film.例文帳に追加

このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。 - 特許庁

The ferromagnetic layer of which at least the surface is in an amorphous state is formed, and then the barrier layer of a magnesium oxide having a single crystalline structure wherein (001) planes are aligned in parallel with the interface throughout layers is formed by sputtering, and furthermore annealing processing is performed.例文帳に追加

少なくとも表面がアモルファス状態である強磁性層を成膜した後、スパッタリング法を用いて、全層にわたって（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムのバリア層を成膜し、更にアニーリング処理を行う。 - 特許庁

To provide a thin film transistor manufacturing method which extremely lowers a density of a first metal inducing crystallization to an interface of an amorphous silicon layer, and uniformly and stably controls the density of the first metal and a thickness of a metal catalyst layer.例文帳に追加

本発明は、非晶質シリコーン層の界面に結晶化を誘導する第１金属の濃度を非常に低くでき、第１金属の濃度及び金属触媒層の厚さについて、均一で安定的な制御が可能な薄膜トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

At least one of the sliding surface and slide receiving surface has an amorphous carbon film (DLC-Si film) consisting of Si, H and C as a balance, and the DLC-Si film is composed of a critical part facing an adhering interface and a surface part connected to the critical part and extending to the side of a surface.例文帳に追加

前記摺動面または前記摺受面の少なくとも一方は、Ｓｉ、Ｈおよび残部であるＣからなる非晶質炭素膜（ＤＬＣ−Ｓｉ膜）を有し、このＤＬＣ−Ｓｉ膜は付着する界面に臨む臨界部とこの臨界部に連なり表面側へ延びる表面部とからなる。 - 特許庁

Here, the metal base layer 12 includes an interface with an adjacent layer of the plurality of layers and is provided with a layer 14 formed by an amorphous alloy containing the group V metal and a layer 15 formed by a crystalline metal containing the group V metal common to the above layer 14.例文帳に追加

ここで、金属ベース層１２は、上記複数の層の内の隣接する層との界面を含むと共に、５族金属を含むアモルファス合金により形成される層１４と、上記層１４と共通する５族金属を含有する結晶質金属により形成される層１５と、を備える。 - 特許庁

A microcrystal semiconductor film is formed by laser treatment by growing a crystal using a crystal nucleus as a seed after forming the crystal nucleus using fluorine-based gas (SiF4) and silane in order to remove an amorphous layer formed on an interface between a microcrystal semiconductor film and an insulating film under the microcrystal semiconductor film.例文帳に追加

微結晶半導体膜と、その下層の絶縁膜との界面に形成される非晶質層を除くため、フッ素系ガス（ＳｉＦ４）及びシランを用いて結晶核を形成した後、結晶核を種として結晶成長させ、レーザ処理にて微結晶半導体膜を形成する。 - 特許庁

The recording medium is the phase change optical recording medium comprising a phase change optical recording film (4), on which reversible phase changes occur between a crystalline substance and an amorphous substance due to irradiation by light, and an interface films (3a, 3b), containing hafnium oxide formed in contact with at least one of the planes for the phase change recording film (4).例文帳に追加

光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす相変化光記録膜（４）と、相変化光記録膜（４）の少なくとも一方の面に接して形成されたハフニウム酸化物を含有する界面膜（３ａ、３ｂ）とを有する相変化光記録媒体。 - 特許庁