「amorphous interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A thin SiO2 film 2 and an amorphous silicon thin film 3 are sequentially formed on a silicon substrate 1, and then subjected to heat treatment in an atmosphere containing NO as a nitriding species to form an oxy nitride film 4A containing nitrogen at an interface between the films 2 and 3 with use of the film 3 forming an interface with the film 2 as a silicon supply source.例文帳に追加

シリコン基板１上に薄いＳｉ０_2膜２、非晶質シリコン薄膜３ａを順次形成し、次に窒化種としてＮＯを含む雰囲気中での熱処理により、ＳｉＯ_2膜２との界面の非晶質シリコン薄膜３ａをシリコン供給源としてＳｉ０_2膜２と非晶質シリコン薄膜３ａとの界面にオキシナイトライド膜４Ａを形成することにより，ゲート絶縁膜として窒素を含むＳｉＯＮ膜４を形成する。 - 特許庁

The phase change type optical recording medium has: a recording film 13 wherein reversible phase changes between a crystalline phase and an amorphous phase occur under irradiation with light; and interface films 12 and 14 formed in contact with at least one surface of the recording film 13 and containing hafnium (Hf), silicon (Si), oxygen (O) and carbon (C).例文帳に追加

光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす記録膜１３と、前記記録膜１３の少なくとも一方の面に接して形成された、ハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、および炭素（Ｃ）を含有する界面膜１２，１４とを有する相変化光記録媒体。 - 特許庁

This method comprises irradiating a polytetrafluoroethylene resin with ionizing radiation at a temperature lower than its crystalline melting point and subjecting the resultant radicals to graft reaction with tetrafluoroethylene monomers, thus forming the crosslinked structure round the amorphous region and interface of the resin.例文帳に追加

ポリテトラフルオロエチレン樹脂にその結晶融点以下の温度において電離性放射線を照射し、それによって生成したラジカルにテトラフルオロエチレンモノマーをグラフト反応させることにより、前記樹脂の非晶領域と界面を中心に架橋構造を形成させることを特徴とする、架橋ポリテトラフルオロエチレン樹脂の製造方法である。 - 特許庁

Especially, such a method forms the secondary active regions (14a and 14b) through a step to crystallize the secondary single-crystal semiconductor material from a pattern composed of the secondary polycrystal and/or amorphous semiconductor materials as well as an interface region between the pattern and the preselected primary active regions (1a and 1b).例文帳に追加

そのような方法は、特に、多結晶および／またはアモルファス形態の第２の半導体材料から成るパターンおよび前記パターンと予め選択された第１の活性領域（１ａ，１ｂ）との間の界面領域から単結晶形態で第２の半導体材料を結晶化させるステップにより第２の活性領域（１４ａ，１４ｂ）を形成することから成る。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁