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amorphous stateとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 非晶状態; 無定形質
「amorphous state」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 308件
METHOD FOR FORMING AMORPHOUS-STATE CARBON FILM, AND THE AMORPHOUS-STATE CARBON FILM例文帳に追加
アモルファス状炭素皮膜の形成方法及びアモルファス状炭素皮膜 - 特許庁
To restrain an amorphous state from a layered crystalline material of vanadium in which an amorphous state and a crystal state are intermingled.例文帳に追加
アモルファス状態と結晶状態とが混在するバナジウムの層状結晶性物質からアモルファス状態を抑制する。 - 特許庁
A region in a semiconductor substrate is made into an amorphous state.例文帳に追加
半導体基盤内の一領域がアモルファス化される。 - 特許庁
To provide a method for forming an amorphous-state carbon film that enables formation of an amorphous-state carbon film excellent in thermal cycling resistance and thermal stress resistance, and to provide the amorphous-state carbon film.例文帳に追加
耐熱サイクル特性、耐熱応力特性に優れたアモルファス状炭素皮膜の形成を可能とするアモルファス状炭素皮膜の形成方法及びアモルファス状炭素皮膜を提供する。 - 特許庁
The silicon layer 3 includes a gettering region that is in the amorphous state.例文帳に追加
シリコン層3は、アモルファス状態のゲッタリング領域を含む。 - 特許庁
(f) 2.0<na (refractive index of amorphous state)<4.0, 2.5<ka (absorption coefficient of amorphous state)<3.5, 1.0<nc (refractive index of crystalline state)<3.5, 3.0<kc (absorption coefficient of crystalline state)<4.5.例文帳に追加
(ヘ)2.0<na(非晶質状態の屈折率)<4.0 2.5<ka(非晶質状態の吸収係数)<3.5 1.0<nc(結晶状態の屈折率)<3.5 3.0<kc(結晶状態の吸収係数)<4.5 - 特許庁
Reflectance of a disk when a recording layer 105 is in a crystal state is made lower than the reflectance of the disk when the recording layer 105 is in an amorphous state to increase Ac/Aa (light absorbance in the crystal state/light absorbance in the amorphous state).例文帳に追加
また、記録層105が結晶状態にあるときのディスクの反射率を、記録層105が非晶質状態にあるときのディスクの反射率より低くし、Ac/Aaを大きくする。 - 特許庁
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「amorphous state」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 308件
Or, the reflectance of the disk while the recording layer 105 is in a crystal state is controlled to be lower than the reflectance of the disk while the recording layer 105 is in an amorphous state so as to enlarge Ac (absorptivity in the crystal state)/Ag (absorptivity in the amorphous state).例文帳に追加
また、記録層105が結晶状態にあるときのディスクの反射率を、記録層105が非晶質状態にあるときのディスクの反射率より低くし、Ac/Aaを大きくする。 - 特許庁
A metallic glass layer 2 is disposed on a substrate 11A in the amorphous state.例文帳に追加
基板11A上に、非晶質の状態で金属ガラス層2を設ける。 - 特許庁
The phase change memory cells each includes a substance which can be programmed between the amorphous state and the crystalline state.例文帳に追加
前記各相変化メモリセルは非晶質状態と結晶状態との間でプログラム可能な物質を含む。 - 特許庁
To provide a method of crystallizing normal amorphous silicon at 600°C or less to obtain a silicon film in a substantially amorphous state.例文帳に追加
実質的にアモルファス状態のシリコン膜を通常のアモルファスシリコンを600℃以下のプロセス温度で結晶化させる方法を提供する。 - 特許庁
With this, growth of the lamellar crystalline particles and restraint of the amorphous state are achieved.例文帳に追加
それにより層状結晶性粒子の成長と、アモルファス状態の抑制ができた。 - 特許庁
(2) In the electrochemical sensor element described in (1), the semiconductor layer is in an amorphous state.例文帳に追加
(2)前記半導体層が非晶質状態である(1)に記載の電気化学センサ素子。 - 特許庁
The prescribed region of the inorganic resist film is irradiated with a laser beam and is changed from an amorphous state to a crystal state.例文帳に追加
無機レジスト膜の所定の領域にレーザ光を照射して非晶質状態から結晶状態に変化させる。 - 特許庁
A control light (for transition from an amorphous state to a crystal state) pulse (with a pulse width 20 ns, pulse intensity 5 mW) with 0.78 micron wavelength is made to irradiate the phase change material portion.例文帳に追加
波長0.78ミクロンの制御光(アモルファス→結晶遷移用)パルス(パルス幅20ns、パルス強度5mW)を照射する。 - 特許庁
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