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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 英語表現辞典 > arsine-containingの意味・解説 

arsine-containingとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 アルシンを含む;アルシンを含んでいる

Weblio英語表現辞典での「arsine-containing」の意味

「arsine-containing」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 5



例文

This apparatus for treating arsenic-containing waste water is provided with a gas-liquid separating part for receiving the arsenic-containing waste water and separating the received waste water into arsenic-containing water and an arsine gas-containing gas, a gas treating part for removing arsine gas from the separated arsine gas-containing gas and a water treating part for removing arsenic from the separated arsenic-containing water.例文帳に追加

ヒ素含有排水を受入れ、ヒ素含有水とアルシンガスとを分離する気液分離部と、分離されたアルシンガスを含有する気体からアルシンガスを除去するガス処理部と、分離されたヒ素含有水からヒ素を除去する水処理部とを有することを特徴とするヒ素含有排水の処理装置。 - 特許庁

The gas containing phosphine and/or arsine and hydrocarbon generated by decomposition is brought into contact with a dry type purification agent for phosphine and/or arsine for purification.例文帳に追加

さらに、分解により生成したホスフィン及び/またはアルシンと炭化水素を含むガスを、ホスフィン及び/またはアルシンの乾式浄化剤と接触させて浄化する。 - 特許庁

In addition, the gas containing the phosphine and/or the arsine and the hydrocarbon desorbed from the adsorbent is purified by contact with a dry type purification agent of the phosphine and/the arsine.例文帳に追加

さらに、吸着剤から脱着したホスフィン及び/またはアルシンと炭化水素を含むガスを、ホスフィン及び/またはアルシンの乾式浄化剤と接触させて浄化する。 - 特許庁

To provide an apparatus for treating arsenic-containing waste water, by which the arsenic-containing waste water discharged from a factory for manufacturing the device of a compound semiconductor and arsine gas contained in the waste water can be treated.例文帳に追加

化合物半導体のデバイス製造工場などから排出されるヒ素含有排水と、該排水中に含まれるアルシンガスを処理することができるヒ素含有排水の処理装置を提供する。 - 特許庁

例文

The film forming method, which forms a semiconductor layer containing arsenic by epitaxial growth, has a term when elevates a flow of an arsine (AsH_3) among film forming gases supplied into an epitaxial growth atmosphere adjusted to the atmospheric pressure from zero to a predetermined flow in the beginning of film forming.例文帳に追加

ヒ素を含有する半導体層をエピタキシャル成長により形成する成膜方法であって、成膜初期に、大気圧に調整されたエピタキシャル成長雰囲気内に供給する成膜ガスのうちアルシン(AsH_3)の流量を0から所定流量にまで上昇させる期間を有する。 - 特許庁

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