catalytic CVD methodとは 意味・読み方・使い方

To provide a technology capable of efficiently forming carbon nanotube by suppressing the deterioration of catalytic activity of a catalytic metal in the process for manufacturing carbon nanotube using a CVD method.例文帳に追加

ＣＶＤ法を用いたカーボンナノチューブの製造工程において、触媒金属の触媒活性の低下を抑制して、カーボンナノチューブを効率的に生成できる技術を提供する。 - 特許庁

To grow polycrystalline silicon layer and single crystal silicon layer having very low metal contained impurity concentration by a catalytic CVD method.例文帳に追加

触媒ＣＶＤ法により、含有金属不純物濃度が極めて低い多結晶シリコン層や単結晶シリコン層を成長させる。 - 特許庁

To provide a catalytic CVD device, a method for formation of a film, a process for production of a solar cell, and a substrate holder.例文帳に追加

基材の過熱を抑制できる触媒ＣＶＤ装置、膜の形成方法、太陽電池の製造方法及び基材の保持体を提供する。 - 特許庁

In this forming method of a gallium nitride epitaxial layer, a gallium nitride epitaxial layer 2 is obtained by performing crystal growth for gallium nitride by a catalytic CVD method on a surface of a base layer 1.例文帳に追加

基層１表面上に、触媒ＣＶＤ法により窒化ガリウムを結晶成長させて窒化ガリウムエピタキシャル層２を得る窒化ガリウムエピタキシャル層の形成方法。 - 特許庁

In growing polycrystalline silicon layer and single crystal silicon layer by the catalytic CVD method, at least a catalyst with its surface formed by nitride is used.例文帳に追加

触媒ＣＶＤ法により多結晶シリコン層や単結晶シリコン層を成長させる場合に、少なくとも表面が窒化物からなる触媒体を用いる。 - 特許庁

A silicon nitride film used in an etching stopper film is formed by a Catalytic-CVD method at a substrate temperature of 250-400°C and a catalyst temperature of 1,600-2,000°C.例文帳に追加

本発明は、エッチングストッパー膜に用いたシリコン窒化膜を触媒ＣＶＤ（Ｃａｔａｌｙｔｉｃ−ＣＶＤ）法により、基板温度２５０〜４００℃、触媒体温度１６００〜２０００℃で成膜する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently manufacturing a thin film having gas barrier property excellent in transparency and gas barrier property by a method of a catalytic CVD or the like, and a thin film obtained by the method.例文帳に追加

透明性、ガスバリア性の優れたガスバリア性のある薄膜を触媒ＣＶＤなどの方法において、効率よく製造する方法、及びその方法によって得られる薄膜を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the group III nitride semiconductor device according to the present invention, an SiN_x film formed on the substrate or the group III nitride semiconductor crystal is made by a catalytic CVD method.例文帳に追加

また、本発明のIII族窒化物半導体素子の製造方法は、基板あるいはIII族窒化物半導体結晶上に形成するＳｉＮ_ｘ膜をカタリティックＣＶＤ法で作製したものである。 - 特許庁