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「cladding type」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 190件
MANUFACTURING METHOD OF CLADDING TYPE POSITIVE ELECTRODE PLATE例文帳に追加
クラッド式正極板の製造方法 - 特許庁
The photonic crystalline layer 13 is formed between the n-type cladding layer 12 and the p-type cladding layer 16 or in the n-type cladding layer 12 or the p-type cladding layer 16.例文帳に追加
フォトニック結晶層１３は、ｎ型クラッド層１２とｐ型クラッド層１６との間、ｎ型クラッド層１２中、またはｐ型クラッド層１６中のいずれかに形成される。 - 特許庁
The waveguide type semiconductor element (2) is provided with a p-type cladding layer (18), a waveguide layer (6) and a n-type cladding layer (4).例文帳に追加
本発明による導波路型半導体素子（２）は、ｐ型クラッド層（１８）、導波層（６）およびｎ型クラッド層（４）を備える。 - 特許庁
A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加
サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁
An n-type cladding layer 103 is formed over an n-type substrate 101.例文帳に追加
ｎ型クラッド層１０３はｎ型基板１０１の上方に形成される。 - 特許庁
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「cladding type」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 190件
A core semiconductor region 19 is disposed between the n-type cladding region 15 and the p-type cladding region 17.例文帳に追加
コア半導体領域１９は、ｎ型クラッド領域１５とｐ型クラッド領域１７との間に設けられている。 - 特許庁
The semiconductor light emitting element comprises an n-type cladding layer 14, a p-type cladding layer 16, and an active layer 12.例文帳に追加
本発明の実施の形態の半導体発光素子は、ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッド層と、活性層とを備える。 - 特許庁
A p-type contact layer 111 is formed on the p-type cladding layer 110.例文帳に追加
ｐ型コンタクト層１１１はｐ型クラッド層１１０の上方に形成される。 - 特許庁
The p-type cladding layer 16 is formed on the light-emitting layer 15.例文帳に追加
ｐ型クラッド層１６は、発光層１５上に形成される。 - 特許庁
The light-emitting layer 15 is formed on the n-type cladding layer 12.例文帳に追加
発光層１５は、ｐ型クラッド層１２上に形成される。 - 特許庁
An n-type cladding region 15 and a p-type cladding region 17 are disposed on the primary surface 13a of the support substrate 13.例文帳に追加
ｎ型クラッド領域１５及びｐ型クラッド領域１７は支持基体１３の主面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁
The refractive index of the p-type AlGaInP upper cladding layer 40 is higher than that of an n-type AlGaInP lower cladding layer 36.例文帳に追加
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０の屈折率は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層３６の屈折率より高い。 - 特許庁
An n-type InP cladding layer 16 (a third semiconductor layer) is formed on the p-type InP cladding layer 12 and the active layer 15.例文帳に追加
ｐ型ＩｎＰクラッド層１２および活性層１５上にｎ型ＩｎＰクラッド層１６（第３の半導体層）を形成する。 - 特許庁
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