「cladding type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁

An n-type cladding layer 103 is formed over an n-type substrate 101.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１０３はｎ型基板１０１の上方に形成される。 - 特許庁

A core semiconductor region 19 is disposed between the n-type cladding region 15 and the p-type cladding region 17.例文帳に追加

コア半導体領域１９は、ｎ型クラッド領域１５とｐ型クラッド領域１７との間に設けられている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises an n-type cladding layer 14, a p-type cladding layer 16, and an active layer 12.例文帳に追加

本発明の実施の形態の半導体発光素子は、ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッド層と、活性層とを備える。 - 特許庁

A p-type contact layer 111 is formed on the p-type cladding layer 110.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１１１はｐ型クラッド層１１０の上方に形成される。 - 特許庁

The p-type cladding layer 16 is formed on the light-emitting layer 15.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６は、発光層１５上に形成される。 - 特許庁

The light-emitting layer 15 is formed on the n-type cladding layer 12.例文帳に追加

発光層１５は、ｐ型クラッド層１２上に形成される。 - 特許庁

An n-type cladding region 15 and a p-type cladding region 17 are disposed on the primary surface 13a of the support substrate 13.例文帳に追加

ｎ型クラッド領域１５及びｐ型クラッド領域１７は支持基体１３の主面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁

The refractive index of the p-type AlGaInP upper cladding layer 40 is higher than that of an n-type AlGaInP lower cladding layer 36.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０の屈折率は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層３６の屈折率より高い。 - 特許庁

An n-type InP cladding layer 16 (a third semiconductor layer) is formed on the p-type InP cladding layer 12 and the active layer 15.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰクラッド層１２および活性層１５上にｎ型ＩｎＰクラッド層１６（第３の半導体層）を形成する。 - 特許庁

The semiconductor optical element according to one embodiment is provided with a first conductive type lower cladding layer, a second conductive type upper cladding layer and an active layer provided between the lower cladding layer and the upper cladding layer.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、第１導電型の下部クラッド層と、第２導電型の上部クラッド層と、下部クラッド層と上部クラッド層の間に設けられた活性層とを備えている。 - 特許庁

WAVEGUIDE TYPE WAVELENGTH FILTER, CLADDING REFRACTIVE INDEX SETTING SYSTEM, CLADDING REFRACTIVE INDEX SETTING METHOD, AND PROGRAM THEREOF例文帳に追加

導波路型波長フィルタ、クラッド用屈折率設定システム、クラッド用屈折率設定方法、及びそのプログラム - 特許庁

A semiconductor light emitting device includes at least an n-type cladding layer 2, an active layer 4, a p-type cladding layer 6, and a p-type contact layer 8 stacked in this order on a substrate 1, and further includes a ridge portion 6a including the p-type cladding layer and the p-type contact layer.例文帳に追加

半導体発光素子は、基板１上に少なくともｎ型クラッド層２、活性層４、ｐ型クラッド層６及びｐ型コンタクト層８が順次積層され、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層からなるリッジ部６ａを有している。 - 特許庁

An active layer 105 is formed over the n-type cladding layer 103.例文帳に追加

活性層１０５はｎ型クラッド層１０３の上方に形成される。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 1, an n-type cladding layer 5, an active layer 6, a first p-type cladding layer 7, and a ridge 12 are formed above an n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザ素子１にはｎ型半導体基板２上にｎ型クラッド層５、活性層６、第１のｐ型クラッド層７、及びリッジ１２が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser comprises on a substrate 11 an n-type cladding layer 12, an n-type guide layer 13, an i-type guide layer 14, an active layer 15, an i-type guide layer 16, an electron barrier layer 17, a p-type superlattice cladding layer 18, and a p-type contact layer 19.例文帳に追加

基板１１上にｎ型クラッド層１２，ｎ型ガイド層１３，ｉ型ガイド層１４，活性層１５，ｉ型ガイド層１６，電子障壁層１７，ｐ型超格子クラッド層１８およびｐ側コンタクト層１９を有する。 - 特許庁

To provide a broad-spectrum Al(1-x-y)InyGa_xN LED, comprising: a substrate, a buffer layer, an N-type cladding layer, at least one quantum dot emitting layer, and a P-type cladding layer.例文帳に追加

基板、バッファー層、Ｎ型クラッド層、少なくとも１つの量子ドット放出層およびＰ型クラッド層を備える広域スペクトルAl_(1-x-y)In_yGa_xN LEDを提供すること。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 has a laminate structure in which an n-type AlGaAs cladding layer 32, an MQW active layer 33, a p-type InGaAlP lower cladding layer 34, a p-type InGaP etching stop layer 35 and a p-type InGaAlP upper cladding layer 36 are formed on an n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６の積層構造を有している。 - 特許庁

In the nitride semiconductor laser element, an active layer 17 is put between an n-type cladding layer 15 comprising n- and p-type nitride semiconductors and a p-type cladding layer 26.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体レーザ素子は、活性層１７をｎ型とｐ型の窒化物半導体からなるｎ型クラッド層１５とｐ型クラッド層２６で挟んだ構造を有している。 - 特許庁

After that, on the distortion inhibition layer 13, an n-type cladding layer 15 made of n-type Al_0.07Ga_0.9.3N is grown.例文帳に追加

続いて、歪抑制層１３の上に、ｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなるｎ型クラッド層１５を成長する。 - 特許庁

In addition, the p-type cladding layer 26 is composed of at least two layers where the composition is mutually different in a layer thickness direction, and a first p-type cladding layer 20 positioned near the active layer 17 has a lower refractive index than a second p-type cladding layer 21.例文帳に追加

さらに、ｐ型クラッド層２６は層厚方向に互いに組成が異なる２層以上から構成され、活性層１７に近い第１のｐ型クラッド層２０が、より遠い第２のｐ型クラッド層２１に比べて低い屈折率を有する。 - 特許庁

The ridge 12 includes a stack of a second p-type cladding layer 9, a p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and a p-type cap layer 11.例文帳に追加

リッジ１２は第２のｐ型クラッド層９、ｐ型バンド不連続緩和層１０、ｐ型キャップ層１１が積層されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 20 is composed by laminating a buffer layer 21, a GaN layer 22, an n-type contact layer 23, an n-type cladding layer 24, an active layer 25, a p-type cladding layer 26, and a p-type contact layer 27 in this order.例文帳に追加

半導体層２０は、バッファ層２１、ＧａＮ層２２、ｎ型コンタクト層２３、ｎ型クラッド層２４、活性層２５、ｐ型クラッド層２６およびｐ型コンタクト層２７をこの順に積層して構成される。 - 特許庁

An n type cladding layer 21, an active layer 22, a p type cladding layer 23, a p-side contact layer 24, and a p-side electrode 30 are laminated on a first surface 11 of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の第１面１１に、ｎ型クラッド層２１，活性層２２，ｐ型クラッド層２３，ｐ側コンタクト層２４およびｐ側電極３０をこの順に積層する。 - 特許庁

In a second semiconductor light emitting element, the thickness of the barrier layer among the plurality of the barrier layers on the side of the p-type cladding layer is less than that of the barrier layer on the side of the n-type cladding layer.例文帳に追加

第２の半導体発光素子では、複数のバリア層のうちｐ型クラッド層の側のバリア層の厚さが、ｎ型クラッド層の側のバリア層の厚さより薄い。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device, a first waveguide core 17 and a second waveguide core 19 are provided between a first conductive-type cladding region 13 and a second conductive-type cladding region 15.例文帳に追加

第１の導波路コア１７及び第２の導波路コア１９は、第１導電型クラッド領域１３と第２導電型クラッド領域１５との間に設けられる。 - 特許庁

The waveguide 10 comprises an active region 16 sandwiched inbetween an N-type doped cladding layer 14 and a P-type doped cladding layer 22.例文帳に追加

より詳細には、導波路（１０）は、ｎ型ドーピングされたクラッディング層（１４）およびｐ型ドーピングされたクラッディング層（２２）の間に挟まれた活性領域（１６）を含む。 - 特許庁

A groove 14 is formed in a p-type InP cladding layer 12 (a first semiconductor layer).例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰクラッド層１２（第１の半導体層）に溝１４を形成する。 - 特許庁

The first laser structure section 3 has a laminate structure of an n-type AlGaAs cladding layer 32, an MQW active layer 33 and a p-type AlGaAs cladding layer 34, and the second laser structure section 4 has a laminate structure of an n-type InGaAlP cladding layer 42, an MQW active layer 43 and a p-type InGaAlP cladding layer 44.例文帳に追加

第１レーザ構造部３は、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３およびｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４の積層構造を有し、第２レーザ構造部４は、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＭＱＷ活性層４３およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４の積層構造を有している。 - 特許庁

The p-type cladding layer contains a p-type impurity with a diffusion coefficient lower than that of zinc, for example, beryllium.例文帳に追加

上記ｐ型クラッド層は、亜鉛より拡散係数が低いｐ型不純物、例えば、ベリリウムを含有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a laminate of an n-type cladding layer 12b, an absorbing layer 12c, a p-type cladding layer 12d and a p-type high concentration layer 12e is formed in a mesa type on an n-type high concentration layer 12a formed on the surface of a substrate 11 and used as a cathode of the photodiode.例文帳に追加

基板１１表面に形成されフォトダイオードのカソードなるｎ型高濃度層１２ａ上にｎ型クラッド層１２ｂ、吸収層１２ｃ、ｐ型クラッド層１２ｄ及びｐ型高濃度層１２ｅの積層体をメサ型に形成する。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor light-emitting element has a structure in which an n-type contact layer 11, an ESD layer 12, an n-type cladding layer 13, a light-emitting layer 14, a p-type cladding layer 15, and a p-type contact layer 16 are stacked on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

III 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０上に、ｎ型コンタクト層１１、ＥＳＤ層１２、ｎ型クラッド層１３、発光層１４、ｐ型クラッド層１５、ｐ型コンタクト層１６が積層された構造である。 - 特許庁

By using the insulating film 17 as a mask, the p-type InP cladding layer 12 and the n-type InP cladding layer 16 are etched without exposing the active layer 15 so as to form a stripe structure 18.例文帳に追加

絶縁膜１７をマスクとして、活性層１５を露出させずにｐ型ＩｎＰクラッド層１２およびｎ型ＩｎＰクラッド層１６をエッチングしてストライプ構造１８を形成する。 - 特許庁

The active layer 12 is an active layer 12 of a multi-quantum well structure including a plurality of well layers 34_1 to 34_M and a plurality of barrier layers 32_1 to 32_N, and is provided between the n-type cladding layer and the p-type cladding layer.例文帳に追加

活性層は、複数の井戸層と複数のバリア層とを含む多重量子井戸構造の活性層であり、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層の間に設けられている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element includes an n-type cladding layer 13, an active layer 14, a p-type cladding layer 15 containing AlGaInP, an intermediate layer 16, and a p-side contact layer 17 containing GaP, sequentially in this order.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１３、活性層１４、ＡｌＧａＩｎＰを含むｐ型クラッド層１５、中間層１６およびＧａＰを含むｐ側コンタクト層１７をこの順で備えている。 - 特許庁

The refractive index in a region of the p-type cladding layer 8 closer to the active layer 5 is lower than the refractive index in another region of the p-type cladding layer 8 opposite to the active layer 5.例文帳に追加

そして、ｐ型クラッド層８内の活性層５側の領域の屈折率がｐ型クラッド層８内の活性層５側とは反対側の領域の屈折率よりも低くなっている。 - 特許庁

The process of forming the first semiconductor laser element section 10 includes a process of making the thickness of the p-type second cladding layer 16 smaller than that of the p-type second cladding layer 26.例文帳に追加

また、第１半導体レーザ素子部１０を形成する工程は、ｐ型第２クラッド層１６を、ｐ型第２クラッド層２６の厚みよりも小さい厚みに形成する工程を含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a semiconductor layer laminate 20 including an n-type cladding layer 13B, an active layer 14, and a p-type cladding layer 15B, which are stacked in order on a substrate 10.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、基板１０の上に順次積層されたｎ型クラッド層１３Ｂ、活性層１４及びｐ型クラッド層１５Ｂを含む半導体層積層体２０を備えている。 - 特許庁

A p-type contact layer 7 of the film thickness of about 1,200Å made of an Mg doped p-type GaN is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２００Åのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

An n-type first cladding layer 3, a first guide layer 4, a first enhancing layer 5, an active layer 6, a second enhancing layer 7, a second guide layer 8, and a p-type second cladding layer 9 are sequentially stacked on an n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型の第１クラッド層３、第１ガイド層４、第１エンハンス層５、活性層６、第２エンハンス層７、第２ガイド層８、ｐ型の第２クラッド層９が順次積層されている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 has a structure in which a reflection layer 3, an n-type cladding layer 4, a first light-emitting layer 5, a second light-emitting layer 6, a p-type cladding layer 7, and a p-type window layer 8 are sequentially laminated on a substrate 2 made of n-type GaAs.例文帳に追加

半導体発光素子１は、ｎ型ＧａＡｓからなる基板２上に反射層３と、ｎ型クラッド層４と、第１発光層５と、第２発光層６と、ｐ型クラッド層７と、ｐ型ウインドウ層８とが順に積層されている。 - 特許庁

In this method of manufacturing the nitride semiconductor laser, an n-type cladding layer 2, an n-type guide layer 3, an active layer 4 and an undoped guide layer 5 are formed on an n-type GaN substrate in an MOCVD method.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板の上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型クラッド層２、ｎ型ガイド層３、活性層４、アンドープガイド層５を形成する。 - 特許庁

Further, the p-type contact layer 7 with the film thickness of about 200 nm made of an Mg doped p-type In_0.03Ga_0.97N is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

更に、ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型Ｉｎ_0.03Ｇａ_0.97Ｎから成る膜厚約２００ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

To provide a laser diode epitaxial wafer wherein p-type carrier concentration in a p-type AlGaInP cladding layer is uniform and diffusion of p-type impurities is reduced.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層中のｐ型キャリア濃度が均一でｐ型不純物の拡散が少ないレーザダイオード用エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

A spacer layer 14 is provided between an n-type cladding layer 12 (n-type graded layer 13) and an active layer 16 (guide layer 15).例文帳に追加

ｎ型クラッド層１２（ｎ型グレーデッド層１３）と活性層１６（ガイド層１５）との間に、スペーサ層１４が設けられている。 - 特許庁