「cladding type」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The polymer optical waveguide film has a core 3 comprising a polymer formed inside a film-type cladding comprising a polymer (composed of a lower cladding layer 2 and an upper cladding layer 4), with the principal faces of the cladding coated with protective layers 1, 5 comprising an oxide, a nitride or an oxide nitride.例文帳に追加

ポリマから成るコア部３がポリマから成るフィルム状のクラッド部（下部クラッド層２，上部クラッド層４）の内部に形成されており、このクラッド部の主面が酸化物，窒化物または酸窒化物から成る保護層１・５で被覆されているポリマ光導波路フィルムである。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor element (2) is provided with an impurity layer (8) in contact with the waveguide layer (6) in at least a gap out of gaps between the p-type cladding layer (18) and the waveguide layer (6) and between the n-type cladding layer (4) and the waveguide layer (6).例文帳に追加

この導波路型半導体素子（２）は、ｐ型クラッド層（１８）と導波層（６）との間およびｎ型クラッド層（４）と導波層（６）との間の少なくとも一方に、導波層（６）に接する不純物層（８）を備える。 - 特許庁

Furthermore, on the primary GaN layer 103 and the primary oxidation layer 104, there are formed a secondary GaN layer 105, an n-type cladding layer 106, an activity layer 107, a p-type cladding layer 108, a p-type contact layer 109, an insulating film 110, a p-type electrode 111, a p-type pad 112, and a p-type electrode 113.例文帳に追加

さらに、第１のＧａＮ層１０３及び第１の酸化層１０４の上には、第２のＧａＮ層１０５、ｎ型クラッド層１０６、活性層１０７、ｐ型クラッド層１０８、ｐ型コンタクト層１０９、絶縁膜１１０、ｐ型電極１１１、ｐ型パッド１１２、Ｐ型電極１１３が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a first conductivity-type cladding layer 3, an active layer 4 and a second conductivity-type cladding layer 5 are stacked in sequence on a first conductivity-type semiconductor substrate, a mesa construction is formed in the second cladding layer and block layers 9 and 21 for current narrowing are formed on both sides of the mesa construction.例文帳に追加

本半導体レーザは、第１導電型半導体基板の上に、第１導電型クラッド層３、活性層４、第２導電型クラッド層５を順次積層し、第２クラッド層にはメサ構造が形成されており、メサ構造の両脇には、電流狭窄のためのブロック層９，２１が形成されている。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor optical device 20 is a waveguide type semiconductor optical device with the pin type junction structure comprising n-type cladding layers 2, 3, an i-type absorption layer 4 and p-type cladding layer 6 formed on a semi-insulating substrate 1 wherein an impurity concentration in the i-type absorption layer is 10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

導波路型半導体光デバイス２０は、半絶縁性基板１上に、ｎ型クラッド層２、３、ｉ型吸収層４及びｐ型クラッド層６とからなるｐｉｎ型接合構造を形成した導波路型半導体光デバイスであって、前記ｉ型吸収層における不純物濃度が１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

A p-type cladding layer 6 with the film thickness of about 50 nm made of an Mg doped p-type Al_0.15Ga_0.85N is formed on this active layer 5.例文帳に追加

この活性層５の上には、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎから成る膜厚約５０ｎｍのｐ型クラッド層６が形成されている。 - 特許庁

The second cladding region 23 includes a first p-type group III nitride semiconductor layer 27 and a second p-type group III nitride semiconductor layer 29.例文帳に追加

第２のクラッド領域２３は、第１ｐ型III族窒化物半導体層２７及び第２ｐ型III族窒化物半導体層２９を含む。 - 特許庁

A light-emitting device 10, which is formed on a ZnSe substrate 1 and whose two cladding layers 3 and 5 interpose an active layer 4, and one of the two cladding layers is a p-type semiconductor 5 where a p-type impurity is introduced, and the other cladding layer is an undoped semiconductor 3.例文帳に追加

ＺｎＳｅ基板１に形成され、活性層４を２つのクラッド層３，５で挟む発光素子１０であって、上記の２つのクラッド層のうち、一方のクラッド層はｐ型不純物が導入されたｐ型半導体５であり、他方のクラッド層がアンドープ半導体で３ある。 - 特許庁

The nitride semiconductor device includes an active layer 15 formed between an n-type cladding layer 13 and a p-type cladding layer 22, and a current confining layer 18 having a conductive area through which a current flows to the active layer 15.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、ｎ型クラッド層１３とｐ型クラッド層２２との間に形成された活性層１５と、活性層１５への電流が流れる通電部を有する電流狭窄層１８とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a semiconductor layer laminate 100 including an n-type cladding layer 103, an active layer 105 and a p-type cladding layer 108 which are sequentially laminated on a substrate 101, and forming a resonator.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、基板１０１の上に順次積層されたｎ型クラッド層１０３、活性層１０５及びｐ型クラッド層１０８を含み、共振器を構成する半導体層積層体１００を備えている。 - 特許庁

The infrared laser element 2 has a double hetero structure wherein a GaAs system or AlGaAs system active layer 23 is sandwiched between a first conductive type cladding layer 22 and a second conductive type cladding layer 24 containing a ridge 24a.例文帳に追加

赤外レーザ素子２は、第１導電型クラッド層２２と、リッジ２４ａを有する第２導電型クラッド層２４とによりＧａＡｓ系又はＡｌＧａＡｓ系活性層２３が挟まれたダブルへテロ構造を備える。 - 特許庁

In an UV-LED, on a substrate 10, an n-type GaN layer 12, an AlGaN cladding layer 14, a GaN light emission layer 16, an AlGaN cladding layer 18, and a p-type GaN electrode formation layer 20 are successively formed, and a p-type ohmic electrode 22 and an n-type ohmic electrode 24 are formed.例文帳に追加

ＵＶ−ＬＥＤは基板１０上に順次ｎ型ＧａＮ層１２、ＡｌＧａＮクラッド層１４、ＧａＮ発光層１６、ＡｌＧａＮクラッド層１８、ｐ型ＧａＮ電極形成層２０を形成し、ｐ型オーミック電極２２、ｎ型オーミック電極２４を形成して構成される。 - 特許庁

The p-type InGaAlP cladding layer 36 is formed into a cross-sectionally trapezodal shape smaller than the p-type InGaP etching stop layer 35.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６は、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５よりも幅狭な断面台形状に形成されている。 - 特許庁

The diameter of each pit 20 at the interface between the n-type cladding layer 13 and the light-emitting layer 14 ranges from 110 to 150 nm.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１３と発光層１４との界面でのピット２０の直径は１１０〜１５０ｎｍである。 - 特許庁

A p-type cladding layer 110 is formed on the current-blocking layer 108 and the p-side optical confinement layer 107.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１１０は電流ブロック層１０８及びｐ側光閉じ込め層１０７の上に形成される。 - 特許庁

The thickness of the p-type cladding layer 13 in the flat section 32 becomes small, thus preventing current from spreading laterally.例文帳に追加

平坦部３２におけるｐ型クラッド層１３の厚みが小さくなり、電流が横方向に広がりにくくなる。 - 特許庁

On the n-type InP cladding layer 16, an insulating film 17 is formed so as to cover the upper part of the active layer 15.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰクラッド層１６上に、活性層１５の上方を覆うように絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁

Two diffraction gratings 23A and 23B are formed on the interface between a substrate 10 and an n-type cladding layer 11.例文帳に追加

基板１０とｎ型クラッド層１１との界面に２つの回折格子２３Ａ，２３Ｂが形成されている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MOLD FOR PATTERNING LOWER CLADDING LAYER OF WAVELENGTH FILTER AND OF MANUFACTURING WAVEGUIDE-TYPE WAVELENGTH FILTER USING THE MOLD例文帳に追加

波長フィルターの下部クラッド層のパターン作製用モールド及び導波管型波長フィルターの製造方法（ＭＥＴＨＯＤＯＦＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧＭＯＬＤＦＯＲＰＡＴＴＥＲＮＩＮＧＬＯＷＥＲＣＬＡＤＤＩＮＧＬＡＹＥＲＯＦＷＡＶＥＬＥＮＧＴＨＦＩＬＴＥＲＡＮＤＯＦＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧＷＡＶＥＧＵＩＤＥ−ＴＹＰＥＷＡＶＥＬＥＮＧＴＨＦＩＬＴＥＲＵＳＩＮＧＴＨＥＭＯＬＤ） - 特許庁

The n-type cladding layer 12 is formed on the principal surface 11a of the group III-V compound semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１２は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面１１ａ上に形成される。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device includes an n-type InAlGaN light absorbing layer formed on a GaN substrate, an n-type AlGaN cladding layer formed on the n-type InAlGaN light absorbing layer, an InGaN active layer formed on the n-type AlGaN cladding layer, and a p-type AlGaN layer formed on the InGaN active layer and having a smaller refractive index than the n-type AlGaN cladding layer.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ装置は、ＧａＮ基板の上に形成されたｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層と、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層の上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮクラッド層と、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の上に形成されたＩｎＧａＮ活性層と、ＩｎＧａＮ活性層の上に形成され、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有するｐ型ＡｌＧａＮ層とを備える。 - 特許庁

For example, when the impurity layer (8) is disposed between the p-type cladding layer (18) and the waveguide layer (6), the impurity concentration of the impurity layer (8) is ≥1/10 to ≤1/2 of the impurity concentration of the p-type cladding layer (18).例文帳に追加

不純物層（８）は、例えば、ｐ型クラッド層（１８）と導波層（６）との間に設けられる場合に、その不純物濃度が、ｐ型クラッド層（１８）の不純物濃度の１０分の１以上かつ２分の１以下である。 - 特許庁

The red laser element 1 has a double hetero structure wherein an InGaP system or AlGaInP system active layer 13 is sandwiched between a first conductive type cladding layer 12 and a second conductive type cladding layer 14 containing a ridge 14a.例文帳に追加

赤色レーザ素子１は、第１導電型クラッド層１２と、リッジ１４ａを有する第２導電型クラッド層１４とによりＩｎＧａＰ系又はＡｌＧａＩｎＰ系活性層１３が挟まれたダブルへテロ構造を備える。 - 特許庁

Then, a second laminate ST2 in which at least a first conductive type third cladding layer 37, a second active layer 38, and a second conductive type fourth cladding layer 39 are laminated is formed on the substrate 30 by the epitaxial growth method.例文帳に追加

次に、基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第３クラッド層３７、第２活性層３８および第２導電型第４クラッド層３９を積層させた第２積層体ＳＴ２を形成する。 - 特許庁

A first laminate ST1 in which at least a first conductive type first cladding layer 32, a first active layer 33, and a second conductive type second cladding layer 34 are laminated is formed on a substrate 30 by an epitaxial growth method.例文帳に追加

基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第１クラッド層３２、第１活性層３３および第２導電型第２クラッド層３４を積層させた第１積層体ＳＴ１を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element, where both of an n-type cladding layer and a p-type one are mainly made of the same kind of mixed crystal, resistance can be reduced, and type I junction with an active layer can be achieved.例文帳に追加

ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層が共に主として同種の混晶からなり、かつ低抵抗化可能であって活性層とタイプＩ接合し得る半導体素子を提供する。 - 特許庁

To improve a current resistance characteristic of a film capacitor of an exterior cladding-less surface packaging type and solder heat resistance property, and reduce the cost.例文帳に追加

外装レス面実装タイプのフィルムコンデンサの耐電流特性改善、半田耐熱性向上、および低コスト化を図る。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises a GaN buffer layer 102, a non-doped GaN layer 103, an n-type GaN contact layer 104, an n-type AlGaN lower cladding layer 105, a multiple quantum well light emitting layer 106, a p-type AlGaN upper cladding layer 107 and a p-type GaN current diffusion layer 108 sequentially laminated on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４、ｎ型ＡｌＧａＮ下クラッド層１０５、多重量子井戸発光層１０６、ｐ型ＡｌＧａＮ上クラッド層１０７およびｐ型ＧａＮ電流拡散層１０８が順次積層されている。 - 特許庁

The nitride series semiconductor laser element 100 includes an n-type GaN substrate 1; an n-type cladding layer 3 formed on the n-type GaN substrate 1; an active layer 4c formed on the n-type cladding layer 3 for generating laser light; and light exit end surface 20a from which the laser light generated at the active layer 4c is emitted.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子１００は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１上に形成されたｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、レーザ光を生成する活性層４ｃと、活性層４ｃで生成されたレーザ光が出射される光出射端面２０ａとを備えている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device is composed by sequentially laminating an n-type AlGaN cladding layer 5, an n-type GaN light wave guide layer 6, an active layer 7 made of InGaN, an undoped GaN light wave guide layer 17, a p-type AlGaN cap layer 9, a p-type AlGaN/GaN superlattice cladding layer 18, and a p-type GaN contact layer 12.例文帳に追加

ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５と、ｎ型ＧａＮ光導波層６と、ＩｎＧａＮからなる活性層７と、アンドープＧａＮ光導波層１７と、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９と、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８と、ｐ型ＧａＮコンタクト層１２とを順次積層して半導体発光素子を構成する。 - 特許庁

The face light-emitting type semiconductor laser device 30 comprises an n-type lower semiconductor multilayer film reflector 32, a lower cladding layer 33, an active layer 34, an upper cladding layer 35, a p-type upper semiconductor multilayer film reflector 36, and a p-type GaAs cap layer 37 successively formed on an n-type GaAs substrate 31 as constituting layers.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ素子３０は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１上に、順次に形成された、ｎ型の下部半導体多層膜反射鏡３２、下部クラッド層３３、活性層３４、上部クラッド層３５、ｐ型の上部半導体多層膜反射鏡３６、及びｐ型ＧａＡｓキャップ層３７を構成層として備える。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device of the present invention comprises an n-type InP substrate 1, an n-type InP lower cladding layer 3 formed in stripe shape on the n-type InP substrate 1, an activity layer 4 having a resonator resonating in parallel direction against the above-mentioned n-type InP substrate 1, and a stripe structure 10 including the n-type InP upper cladding layer 5.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子は、ｎ型ＩｎＰ基板１と、このｎ型ＩｎＰ基板１上にストライプ状に形成された、ｎ型ＩｎＰ下部クラッド層３、前記ｎ型ＩｎＰ基板１に対して平行な方向の共振器を有している活性層４、およびｐ型ＩｎＰ上部クラッド層５を含むストライプ構造１０とを備えている。 - 特許庁

Mg is doped into the first and second p-type cladding layers 7 and 9 and the p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and Zn is doped into the m+1 p-type GaAs layers and the m p-type GaInP layers.例文帳に追加

第１，第２のｐ型クラッド層７，９及びｐ型バンド不連続緩和層１０にはそれぞれＭｇが、ｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層及びｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層にはそれぞれＺｎがドープされている。 - 特許庁

Then, a second laminate ST2 in which at least a first conductive type third cladding layer 49, a second active layer 50, and a second conductive type fourth cladding layer 51 are laminated is formed on the first laminate ST1 by the epitaxial growth method.例文帳に追加

次に、第１積層体ＳＴ１上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第３クラッド層４９、第２活性層５０および第２導電型第４クラッド層５１を積層させた第２積層体ＳＴ２を形成する。 - 特許庁

Accordingly, the light oozing to the substrate 11 through a second n-type cladding layer 15 and the first n-type cladding layer 14 is absorbed by the codoped layer 13 to be attenuated to a degree that mode coupling with the light for guiding the active layer does not take place.例文帳に追加

よって、第２ｎ型クラッド層１５および第１ｎ型クラッド層１４を透過して基板１１側へしみだす光は共添加層１３により吸収され、活性層を導波する光とのモード結合が生じない程度に減衰する。 - 特許庁

Owing to the presence of the impurity layer (8), the impurity concentration diffused from the p-type cladding layer (18) to the waveguide layer (6) is reduced.例文帳に追加

この不純物層（４）により、ｐ型クラッド層（１８）から導波層（６）へ拡散される不純物の濃度が低減される。 - 特許庁

In the cladding 14 of an optical fiber 10 adopted in a receptacle type optical module 1, there is formed a fiber grating 15.例文帳に追加

レセプタクル型光モジュール１に採用されている光ファイバ１０のクラッド１４には、ファイバグレーティング１５が形成されている。 - 特許庁

A voltage drop between the p-type cladding layer 15 and the p-side contact layer 17 is restrained by providing the intermediate layer 16.例文帳に追加

中間層１６を設けることにより、ｐ型クラッド層１５とｐ側コンタクト層１７との間の電圧降下が抑制される。 - 特許庁

The ESD layer 12 has pits 20, and the n-type cladding layer 13 and the light-emitting layer 14 are formed without filling the pits 20.例文帳に追加

ＥＳＤ層１２はピット２０を有し、このピット２０を埋めずにｎ型クラッド層１３、発光層１４が形成されている。 - 特許庁

On the GaInP etching stop layer 7, there is formed a ridge 17 including a p-type AlGaInP second top cladding layer 8.例文帳に追加

ＧａＩｎＰエッチングストップ層７上には、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層８を含むリッジ１７が形成されている。 - 特許庁

The second p-type cladding layer 19, the p-type interlayer 20, and the p-type cap layer 21 have laser structure wherein a belt-shaped ridge 23 and a belt-shaped dummy ridge 25 are arranged alternately in the upper part.例文帳に追加

第２ｐ型クラッド層１９，ｐ型中間層２０およびｐ型キャップ層２１は、その上部に、帯状のリッジ部２３と、帯状のダミーリッジ部２５とを交互に配列してなるレーザ構造を有する。 - 特許庁

The p-type cladding layer 16 includes p-type impurities at least in the second semiconductor layer 16B of the first and second semiconductor layers 16A, 16B.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６は、第１半導体層１６Ａおよび第２半導体層１６Ｂのうち少なくとも第２半導体層１６Ｂにｐ型不純物を含んでいる。 - 特許庁

The n-type cladding layer 12 includes n-type impurities at least in the first semiconductor layer 12A of the first and second semiconductor layers 12A, 12B.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１２は、第１半導体層１２Ａおよび第２半導体層１２Ｂのうち少なくとも第１半導体層１２Ａにｎ型不純物を含んでいる。 - 特許庁

By a heat treatment in an hydrogen atmosphere or by the application of a hydrogen plasma, resistances of the portions (H regions) of the p-type AlGaInN cladding layer 6 and the p-type GaN layer 7 are increased.例文帳に追加

次に水素化物雰囲気中での熱処理または水素プラズマ照射を行いp-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７の一部分（Ｈ領域）を高抵抗にする。 - 特許庁

By constructing a conduction band energy level of the intermediate layer 40 so as to be higher than that of the cladding layer 10 of the n-type semiconductor, the diffusion of an electron 1 from the cladding layer 10 of the n-type semiconductor to the optical waveguide layer 20 which is a non-doped layer is prevented.例文帳に追加

この中間層４０の伝導帯エネルギー準位を、ｎ型半導体のクラッド層１０よりも高くなるように構成することによって、ｎ型半導体のクラッド層１０からノンドープ層である光導波層２０への電子１の拡散が防止される。 - 特許庁