「cladding type」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The formation temperature of the amorphous layer is set to about 400°C, and the formation temperature of the layer above the p type cladding layer 309 is set to about 1,100°C.例文帳に追加

非結晶層の形成温度を約４００℃、ｐ型クラッド層３０９より上部の層の形成温度を１１００℃程度とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a planar optical circuit type optical element by which a silicon core is formed by using an inexpensive exposure device and the need to form an over cladding after the the formation of silicon core is eliminated.例文帳に追加

安価な露光装置を用いてシリコンコアを形成し、シリコンコアの形成後にオーバークラッドを形成することを不要にする。 - 特許庁

An ultraviolet ray hardening type transparent resin 8 is applied onto the surface of the cladding substrate 2, thereafter the transparent resin 8 is pressed by a stamper 13.例文帳に追加

このクラッド基板２の上に紫外線硬化型の透明樹脂８を塗布した後、透明樹脂８をスタンパ１３で押え付ける。 - 特許庁

The optical fiber 4 is a side leakage type fiber which has a function of leaking light transmitted in the core 2 from the surface of the cladding 3.例文帳に追加

光ファイバ４は、コア２を伝送する光をクラッド３の表面から漏光させる機能を有する側面漏光式ファイバである。 - 特許庁

When a semiconductor light-emitting device is to be constituted lamination is successively made so that a light emission layer formation part for pinching an active layer with smaller band gap than a clad layer is composed of an n-type cladding layer consisting of, for example, the ZnO compound semiconductor layer and a p-type cladding layer.例文帳に追加

半導体発光素子を構成する場合には、たとえばＺｎＯ系化合物半導体層からなるｎ形クラッド層とｐ形クラッド層とで、クラッド層よりバンドギャップの小さい活性層を挟持する発光層形成部を構成するように順次積層される。 - 特許庁

Next, an n-type conductive layer 14, a light emitting layer 15, a p-type cladding layer 16, and a p-type conductive layer 17 are constituted from such a nitride semiconductor layer that contains less Al content than that of underlying layer 13.例文帳に追加

次いで、ｎ型導電層１４、発光層１５、ｐ型クラッド層１６及びｐ型導電層１７を下地層１３よりもＡｌの少ない含有量となるような窒化物半導体層から構成する。 - 特許庁

In a light emitting diode 1, a light transmitting layer 3, a p-type AlGaAs active layer 4, and an n-type AlGaAs cladding layer 5 are epitaxially grown and sequentially formed on a p-type GaAs semiconductor substrate 2.例文帳に追加

発光ダイオード１において，ｐ型ＧａＡｓの半導体基板２の上に，透過層３，p型ＡｌＧａＡｓ活性層４，ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５が順次エピタキシャル成長によって形成されている。 - 特許庁

The card type semiconductor storage device 1 is capable of avoiding the occurrence of space between an external cladding 4 and a substrate 3 by composing the external cladding 4 in such a manner that the whole area of the substrate 3 other than a connection terminal 2 is directly covered with thermoplastic resin, thereby increasing the thickness of the external cladding 4 while suppressing the increase in the overall thickness of the card type semiconductor storage device 1.例文帳に追加

カード型半導体記憶装置１は、接続端子２以外の基板３全面を熱可塑性の樹脂で直接覆うように外装体４を構成したことにより、外装体４と基板３との間に空間が生じてしまうことを回避することができ、かくしてカード型半導体記憶装置１全体の厚み増加を抑制しつつ外装体４の厚みを増すことができる。 - 特許庁

An InP:Mn/InGaAsP core layer 12 wherein an InP:Mn layer 12a is interposed between InGaAsP layers 12b is formed on an InP cladding layer 11 and an InP:Mn cladding layer 13 is formed thereon to form the waveguide type Faraday rotation element 10.例文帳に追加

ＩｎＰクラッド層１１上に、ＩｎＰ：Ｍｎ層１２ａがＩｎＧａＡｓＰ層１２ｂで挟まれたＩｎＰ：Ｍｎ／ＩｎＧａＡｓＰコア層１２を形成し、その上にＩｎＰ：Ｍｎクラッド層１３を形成して、導波路型ファラデー回転素子１０を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 has a structure in which an n-type cladding layer 4, a first light-emitting layer 5, a second light-emitting layer 6, a p-type clad layer 7, and a reflection layer 8 are sequentially laminated from the window layer 2 side.例文帳に追加

半導体層３は、ウインドウ層２側から順に、ｎ型クラッド層４と、第１発光層５と、第２発光層６と、ｐ型クラッド層７と、反射層８とが積層されている。 - 特許庁

To solve a contradiction between an improvement in light extraction efficiency from a window electrode on a p-type cladding layer and a reduction of contact resistance between the window electrode and a p-type GaN.例文帳に追加

ｐクラッド層上の窓電極からの光取り出し効率を向上させることと、窓電極とｐ型ＧａＮとの間の接触抵抗の低減させることは相矛盾する。 - 特許庁

A p-type AlGaInP upper cladding layer 40 of the 650 nm wavelength band laser 14 is etched halfway to form ridge waveguides 44.例文帳に追加

６５０ｎｍ帯波長レーザ１４のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０は途中までエッチングされてリッジ導波路４４が形成されている。 - 特許庁

A ridge stripe 150 is constituted by: a p-type GaAs top cap layer 111 of a ridge stripe shape; a p-type Al_yGa_1-yAs cap etching stop layer 110; a p-type GaAs bottom cap layer 109; and a p-type Al_xGa_1-xAs second cladding layer 108.例文帳に追加

リッジストライプ形状のｐ型ＧａＡｓ上キャップ層１１１、ｐ型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓキャップエッチングストップ層１１０、ｐ型ＧａＡｓ下キャップ層１０９及びｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ第２クラッド層１０８でリッジストライプ１５０を構成する。 - 特許庁

This fiber has a center core part 1, a core part 2, a ring core part 3, and a cladding and also has, preferably, a W type refractive index distribution.例文帳に追加

また、このファイバは、中心コア部１とコア部２とリングコア部３とクラッドを有し、Ｗ型の屈折率分布を有するものであることが好ましい。 - 特許庁

Since the second embedding layer 32 is made of an insulative material, a leak current in the second conductivity-type cladding layer side surface 22s can be efficiently suppressed.例文帳に追加

第２埋め込み層３２は絶縁性材料からなるため、第２導電型クラッド層側面２２ｓにおけるリーク電流が効果的に抑制される。 - 特許庁

A p-type AlGaInP second upper cladding layer 28 of the 780 nm wavelength band laser 12 is etched to an ESL layer 26 to form ridge waveguides 32.例文帳に追加

７８０ｎｍ帯波長レーザ１２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層２８はＥＳＬ層２６までエッチングされてリッジ導波路３２が形成されている。 - 特許庁

A red semiconductor laser element is equipped with an n-type AlGaInP bottom cladding layer 4, a GaInP/AlGaInP multiple quantum well active layer 5, and a GaInP etching stop layer 7.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層５およびＧａＩｎＰエッチングストップ層７を備えている。 - 特許庁

There are formed on an n-GaAs substrate 101 a multiple distortion quantum well active layer 106, a second conductivity type semiconductor layer group (p-AlGaAs first upper cladding layer 108, p-AlGaAs second upper cladding layer 109, p-GaAs etching stop layer 110, p-AlGaAs third upper cladding layer 111, p-GaAs contact layer 112, and p^+-GaAs contact layer 113).例文帳に追加

ｎ-ＧaＡs基板１０１上に、多重歪量子井戸活性層１０６と第２導電型の半導体層群(ｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８,ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９,ｐ-ＧaＡsエッチングストップ層１１０,ｐ-ＡlＧaＡs第３上クラッド層１１１,ｐ-ＧaＡsコンタクト層１１２およびｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３)を形成する。 - 特許庁

In an example of this invention, an optical waveguide of the semiconductor optical modulator is equipped with an optical waveguide layer 20 with an electro-optic effect, a cladding layer 10 composed of an n-type semiconductor, and an intermediate layer 40 arranged between the cladding layer and the optical waveguide layer.例文帳に追加

本発明の一実施例による半導体光変調器の光導波路は、電気光学効果を有する光導波層２０と、ｎ型半導体からなるクラッド層１０と、このクラッド層と光導波層との間に設けられた中間層４０とを備える。 - 特許庁

By providing in the cladding layer the one-dimensional periodic refractive index distribution by the one-dimensional disposition of the p-type AlGaInN island shaped growth crystal 32 disposed in the cladding layer, it is possible to control an intensity distribution of laser light, i.e., an NFP.例文帳に追加

クラッド層中に配置された、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮ島状成長結晶３２の１次元配置による１次元の周期的な屈折率分布をクラッド層中に設けることにより、レーザ光の強度分布つまりＮＦＰを制御することができる。 - 特許庁

In this semiconductor laser device, an n-type AlGaAs buffer layer 5 as an intermediate layer is formed between a stripe-like convex portion 3 and an n-type AlGaAs lower cladding layer 6 as a first clad layer.例文帳に追加

この半導体レーザ装置では、中間層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５がストライプ状の凸部３と第１クラッド層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層６との間に形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method in which the projection part of an upper linking seat can be inserted industrially into a clad tube arrayed on a pallet in a cladding type lead acid storage battery easily.例文帳に追加

クラッド式鉛蓄電池において、パレットの上に整列したクラッドチューブに、上部連座の凸部を工業的に容易に挿入ができる製造方法を提供する。 - 特許庁

The amorphous layer is then changed into a crystal layer by forming a layer above a p type cladding layer 309 at a temperature higher than an amorphous layer forming temperature.例文帳に追加

その後、非結晶層形成温度よりも高い温度でｐ型クラッド層３０９より上部の層を形成することにより、非結晶層を結晶層に変換する。 - 特許庁

Laser light is emitted via an n-type cladding layer 3 having a larger band gap than the active layer 4c at the light exit end surface part 21.例文帳に追加

そして、光出射端面部分２１で活性層４ｃよりもバンドギャップの大きいｎ型クラッド層３を介してレーザ光が出射されるように構成されている。 - 特許庁

The plasma emission intensity of the etching marker layer 42 is larger than that of an n-type contact layer 21 and the lower cladding layer 25 that are in contact with the etching marker layer 42.例文帳に追加

エッチングマーカー層４２のプラズマ発光強度は、該エッチングマーカー層４２に接するｎ型コンタクト層２１及び下部クラッド層２５のプラズマ発光強度より大きい。 - 特許庁

To reconcile corrosion resistance with high strength in a cylindrical fuel cladding tube, formed of either of a stainless steel and a nickel alloy used for a water-cooling type reactor.例文帳に追加

水冷却型の原子炉に用いられるステンレス鋼およびニッケル合金のいずれかで形成された筒状の燃料被覆管に、耐腐食性と高強度を両立させる。 - 特許庁

The p-type InGaAlP cladding layer 34 is provided with a high density layer 41 having a relatively high doping density of a p-type impurity, and a low density layer 42 formed on the high density layer 41 and having a relatively low doping density of a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４は、ｐ型不純物のドーピング濃度の相対的に高い高濃度層４１と、その高濃度層４１上に形成され、ｐ型不純物のドーピング濃度の相対的に低い低濃度層４２とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor laser comprises a p-type GaN guide layer 307, a current constriction layer 308, which is an AlN layer, formed on the p-type GaN guide layer 307, and a p-type cladding layer 309 so formed as to embed an opening portion of the current constriction layer 308.例文帳に追加

半導体レーザは、ｐ型ＧａＮガイド層３０７と、ｐ型ＧａＮガイド層３０７上に形成された、ＡｌＮ層である電流狭窄層３０８と、電流狭窄層３０８の開口部を埋め込むように形成されたｐ型クラッド層３０９とを有する。 - 特許庁

A first laminate ST1 in which at least a first conductive type first cladding layer 32, a first active layer 33, and a second conductive type second cladding layer 34 are laminated is formed on a substrate 30 by an epitaxial growth method, and the first laminate ST1 except for a region of forming a first semiconductor light emitting element is removed.例文帳に追加

基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第１クラッド層３２、第１活性層３３および第２導電型第２クラッド層３４を積層させた第１積層体ＳＴ１を形成し、第１半導体発光素子形成領域の第１積層体ＳＴ１を残して、他の領域の第１積層体ＳＴ１を除去する。 - 特許庁

A compound semiconductor laser has a substrate, a first conductivity type semiconductor layer including at least a first cladding layer, an active layer made up of a group III nitride semiconductor, and a second conductivity type semiconductor layer including at least a second cladding layer, wherein the second conductivity type semiconductor layer includes a ridge structure, and a dielectric film including at least ZrO_2 outside the ridge structure is formed.例文帳に追加

基板と、少なくとも第１クラッド層を含む第１導電型の半導体層と、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる活性層と、少なくとも第２クラッド層を含む第２導電型の半導体層とを有する化合物半導体レーザであって、第２導電型の半導体層には、リッジ構造が設けられており、リッジ構造の外部には、少なくともＺｒＯ_2を含む誘電体膜を形成する。 - 特許庁

The current block layer 21, which is in contact with the mesa-type second conductivity-type cladding layer 5 is formed of an A1InP layer 21, having no light absorption capability with respect to the oscillation light from the laser and in-plane compressive strain, is introduced to the active layer.例文帳に追加

メサ型の第２導電型クラッド層５に接する電流ブロック層２１は、レーザの発振光に対して光吸収能のないＡｌＩｎＰ層２１で形成されており、活性層には面内圧縮歪を導入されている。 - 特許庁

Especially by constituting both the support member and the fixing filler of heat-resistant materials and using an optical fiber of a quartz cladding/ quartz core structure as the detecting fiber, it is possible to achieve the fiber light dispersion detector 10 of a type resistant to high temperatures.例文帳に追加

特に、サポート部材及び固定充填材を耐熱性材料で構成し、検出ファイバに石英クラッド／石英コア構造の光ファイバを用いると、高温対応型にできる。 - 特許庁

The n-type-layer-side cladding layer 103 is a superlattice layer having a periodic structure of In_yGa_1-yN (0<y<1) layer 131, Al_xGa_1-xN (0<x<1) layer 132 and a GaN layer 133.例文帳に追加

ｎ層側クラッド層１０３は、Ｉｎ_y Ｇａ_1-y Ｎ（０＜ｙ＜１）層１３１、Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）層１３２、及び、ＧａＮ層１３３の周期構造から成る超格子層である。 - 特許庁

The ratio of Al in the p-type AlGaInP upper cladding layer 40 is higher than the ratio of Al of AlGaInP that is a material of the barrier layer and the guide layer of an active layer 38.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０のＡｌ組成比は、活性層３８のバリア層及びガイド層の構成材料であるＡｌＧａＩｎＰのＡｌ組成比よりも高い。 - 特許庁

In another embodiment, the substrate 22 is eliminated, and the alumina layer 57 and the aluminum layer 55 are directly formed on the lower face of the first-conductivity-type cladding layer 44 with a glass layer 61.例文帳に追加

他の実施の形態では、前記基板２２を除き、第１導電型クラッド層４４の下面に直接前記アルミナ層５７とアルミニウム層５５をガラス層６１と共に形成することもできる。 - 特許庁

To manufacture a semi-closed deck type cylinder block of high quality and durability by integrally connecting upper parts of a water jacket 13 by using a bottom piece and cladding by welding for closing a gap above the bottom piece.例文帳に追加

底駒とその上側を埋める肉盛溶接とでウォータジャケット１３の上部を一体に繋いで、品質及び耐久性に優れたセミクローズドデッキ型シリンダブロックを製造すること。 - 特許庁

A multiple quantum well structure is used as an active layer 4, and further a maximum position of an intensity distribution of emitted light is shifted from the center position of the active layer 4 to a p-type cladding layer 6 side.例文帳に追加

活性層４として多重量子井戸構造を用いると共に、放射光強度分布の最大位置を活性層４の中心位置よりｐ型クラッド層６側にずらす。 - 特許庁

A wafer 220 for nitride-based compound semiconductor elements is formed by laminating an n-type cladding layer formed of a nitride-based compound semiconductor containing Al at least partially, an active layer formed of a nitride-based compound semiconductor, and a p-type cladding layer formed of a nitride-based compound semiconductor layer containing Al at least partially on a substrate 201 formed of a nitride-based compound semiconductor.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体素子用ウェハー２２０は、窒化物系化合物半導体からなる基板２０１の上に、少なくとも一部にＡｌを含む窒化物系化合物半導体からなるｎ型クラッド層、窒化物系化合物半導体からなる活性層及び少なくとも一部にＡｌを含む窒化物系化合物半導体からなるｐ型クラッド層が積層されてなる。 - 特許庁

A voltage is applied between an n-type InPn cladding layer 11 and a layer 16-1 of an optical modulation part composed on an n-type InP by inputting an electric signal to an electrode 18 in a state in which light is propagated in a direction vertical to a cross section of a mesa structure.例文帳に追加

メサ構造の断面と垂直な方向に光を伝搬させた状態で、電極１８に電気信号を入力し、ｎ形のＩｎＰｎクラッド層１１とｎ形ＩｎＰからなる光変調部の層１６−１間に電圧を印加する。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor laser device includes: an active layer 5 made of a nitride-based semiconductor; and a p-type cladding layer 8, made of a nitride-based semiconductor, and formed on the active layer 5.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子は、窒化物系半導体からなる活性層５と、その活性層５上に形成され、窒化物系半導体からなるｐ型クラッド層８とを備えている。 - 特許庁

A second passivation film 9 covering the first passivation film 8 is formed on the lower portion of each side wall of the ridge portion 5A and the top face of the second p-type cladding layer 5 in the vicinity of each side wall of the ridge portion 5A.例文帳に追加

また、リッジ部５Ａの側壁下部、およびリッジ部５Ａの側壁近傍のｐ型第２クラッド層５の上面には、第１パッシベーション膜８を覆うように第２パッシベーション膜９が形成されている。 - 特許庁

This LED array comprises an active layer (24) of the first conductivity type, inside of which a front face of each second conductivity-type region exists, and cladding layers (23 or 25) of the first conductivity type stacked by sandwiching the active layer (24) have energy gaps larger than that of the active layer (24), and have high impurity concentrations (carrier concentrations).例文帳に追加

第２導電型の領域のフロント面がその内部に存在する第１導電型の活性層（２４）と、上記活性層（２４）に積層され、第１導電型で、上記活性層（２４）よりもエネルギーバンドギャップが大きく、かつ不純物濃度（キャリア濃度）が高いクラッド層（２３又は２５）とを備える。 - 特許庁

In this way, a heavily-doped p-type semiconductor layer is formed near the regrowth interface, thus preventing P from coming off the semiconductor 18 which contains P or a dopant from reevaporating from a p-type GaAlAs second light guide layer 16 and p-type GaAlAs second cladding layer 17, located under the semiconductor layer 18 at regrowth.例文帳に追加

こうして、再成長界面付近に高ドープのｐ型半導体層が形成され、上記再成長時に、上記Ｐを含む半導体層１８からＰが抜けたり、半導体層１８の下にあるｐ型ＧaＡlＡs第２光ガイド層１６およびｐ型ＧaＡlＡs第２クラッド層１７からドーパントが再蒸発するのを防止する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a semiconductor light emitting element in which the amount of diffusion of Zn from a p-type contact layer to a p-type cladding layer and an active layer can be controlled, and to provide a semiconductor light emitting element fabricated employing the epitaxial wafer for the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層からｐ型クラッド層や活性層へのＺｎの拡散量をコントロールできる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びその半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製される半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

This is a method of manufacturing a semi-closed deck type cylinder block 10 by integrally connecting an inner peripheral wall surface 19 with an outer peripheral wall surface 20 of a water jacket 13 in the periphery of a cylinder bore 12 of an open deck type cylinder block 11 by using a bottom piece 15 and cladding by welding 16, 17 and 18.例文帳に追加

オープンデッキ型シリンダブロック１１のシリンダボア１２の周囲のウォータジャケット１３の内周壁面１９と外周壁面２０とを、底駒１５と肉盛溶接１６，１７，１８で一体に繋いでセミクローズドデッキ型シリンダブロック１０を製造する方法である。 - 特許庁