「cladding type」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor layer 52 different with refractive index from that of p-type second cladding layers 37, 46 is formed on the ridges 50, 51 of two sets of semiconductor lasers 39, 48 by a thin film having the thickness of not more than 2μm (in the degree of 0.5μm).例文帳に追加

ｐ型第２クラッド層３７，４６とは屈折率が異なる半導体層５２を、二つの半導体レーザ３９，４８のリッジ部５０，５１の上から、２μｍ以下（０．５μｍ程度）の薄い膜厚で形成する。 - 特許庁

In addition, the thickness of a p-type AlGaInP third cladding layer 107 is specified so that one portion of distribution regions 300A and 310A of the laser beam of the laser beam oscillation parts 300 and 310 overlaps each other.例文帳に追加

更に、各レーザ光発振部３００及び３１０のレーザ光の分布領域３００A及び３１０Aの一部が互いに重なり合うように、前記ｐ型AlGaInP第三クラッド層１０７の厚みが規定されている。 - 特許庁

This image fiber is composed by arranging in parallel a plurality of conduit type image fiber units in which a plurality of cores have a cladding in common, by forming the so-arranged conduit type image fiber units each integrally at their incident end and exiting end, and by separating each in the intermediate section.例文帳に追加

複数コアがクラッドを共有している複数のコンジット型イメージファイバーユニットが並列的に配列されると共に、該配列によるコンジット型イメージファイバーユニットがその入射端及び射出端で夫々一体的に形成され、且つ、中間部で夫々に分離して構成されている。 - 特許庁

On the p-type cladding layer, are formed a dielectric film 10 which covers the ridge portion and has an opening selectively exposing a top of the ridge portion, and a P electrode 9 in contact with a top surface and a side surface of the p-type contact layer exposed from the dielectric film.例文帳に追加

ｐ型クラッド層の上には、リッジ部を覆うように設けられ、リッジ部の上部を選択的に露出する開口部を有する誘電体膜１０と、該誘電体膜から露出したｐ型コンタクト層の上面及び側面と接触するＰ電極９とが形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor laser apparatus 1, a current blocking layer 19 covers a p type second cladding layer 17 and a p type capping layer 18 extending in the direction of the length of an optical resonator largely on the side of a light exit end surface but over a small area thereof on the opposite side to form a current non-injection region in an optical waveguide.例文帳に追加

半導体レーザ装置１において、電流ブロック層１９は、光共振器長方向に延設されたｐ型第２クラッド層１７とｐ型キャップ層１８とを、光出射端面側で大きく、反対側で小さく覆い、光導波路に電流非注入領域を形成する。 - 特許庁

An N type contact layer 13 of GaN, an N type cladding layer 14 of AlGaN, an active layer 15 of InGaN, a first Mg-doped layer 16A of AlGaN and a second Mg-doped layer 17A of GaN are first sequentially grown on a substrate 11 of sapphire.例文帳に追加

まず、サファイアよりなる基板１１上に、ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層１３、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層１４、ＩｎＧａＮよりなる活性層１５、ＡｌＧａＮよりなる第１のＭｇドープ層１６Ａ及びＧａＮよりなる第２のＭｇドープ層１７Ａを順次成長させる。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy cladding material for a heat exchanger which maintains high corrosion resistance and high strength, particularly exhibits excellent inside corrosion resistance as that of an automotive brazing type radiator tube material, even when being made thin in thickness.例文帳に追加

薄肉化した場合にも、高耐食性、高強度を維持する熱交換器用アルミニウム合金クラッド材、特に自動車のろう付け型ラジエータチューブ材として優れた内面耐食性を示すアルミニウム合金クラッド材を提供する。 - 特許庁

A sealed type lead-acid battery is produced by laminating the cladding positive electrode and a paste negative electrode through a retainer with thickness when compressed at 50 kgf/dm2, not more than 85% of the thickness when compressed at 20 kgf/dm2.例文帳に追加

そして、該クラッド式正極板1と、ペースト式負極板3を、50kgf/dm^2で圧縮した場合における厚みが、20kgf/dm^2で圧縮した場合における厚みの85%以下となるリテーナ2を介して積層して密閉形鉛蓄電池を作製する。 - 特許庁

The light exit end surface 21 of the n-type cladding layer 3 is bulged, and with bulged light exit end surface part 21, the height of the active layer 4c on the side of the light exit end surface 20a with respect to the surface of the n-type GaN substrate 1 is higher than the height at the central part of the active layer 4c.例文帳に追加

また、ｎ型クラッド層３の光出射端面部分２１が盛り上がっており、この光出射端面部分２１の盛り上がりによって、ｎ型ＧａＮ基板１表面に対する活性層４ｃの光出射端面２０ａ側の高さが活性層４ｃの中央部の高さよりも高くなっている。 - 特許庁

As a result, Mg atoms as acceptors doped in the first and second Mg-doped layers 16A and 17A are activated so that the P type cladding layer 16B and P type contact layer 17B can be obtained having a low resistance and a good crystallization respectively.例文帳に追加

その結果、第１のＭｇドープ層１６Ａ及び第２のＭｇドープ層１７ＡにドープされたアクセプタとなるＭｇが活性化することにより、第１のＭｇドープ層１６Ａ及び第２のＭｇドープ層１７Ａから、それぞれ、低抵抗で且つ結晶性に優れるｐ型クラッド層１６Ｂ及びｐ型コンタクト層１７Ｂを得ることができる。 - 特許庁

In the group III nitride-based semiconductor light-emitting device, an upper cladding layer 18 suppresses the amount of addition of p-type impurities to a prescribed region in which activation rate becomes relatively lower than that at one portion of the other region.例文帳に追加

このＩＩＩ族窒化物系半導体発光素子においては、上部クラッド層１８は、活性化率が相対的に他の領域の一部よりも低くなる所定領域へのｐ型不純物の添加量を、他の領域の一部よりも抑制している。 - 特許庁

To reduce a threshold current in a nitride semiconductor device where an active layer having a nitride semiconductor containing In is held between p- and n-type cladding layers, and, especially, light emission is made at a wavelength of at least 440 nm.例文帳に追加

Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層を、ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長４４０ｎｍ以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。 - 特許庁

The cable type load sensor comprises a linear member 2 which has a hollow part along the longitudinal direction at the center in the cross section and is made of conductive rubber and a cladding layer 3 which covers the linear member 2 and is made of the same rubber material as the linear member 2.例文帳に追加

断面中心部に長手方向に沿った中空部を有し導電性ゴムからなる線状体２と、線状体２上の周囲を覆い線状体２と同種のゴム材料からなる被覆層３とを備えたものである。 - 特許庁

In this case, the composition of Al in the distortion inhibition layer 13 is set so that the lattice constant at room temperature in the distortion inhibition layer 13 substantially coincides with that in the bulk state of the n-type cladding layer 15 by heat shrinkage or thermal expansion.例文帳に追加

ここで、歪抑制層１３におけるＡｌの組成を、該歪抑制層１３の室温における格子定数が、ｎ型クラッド層１５のバルク状態の格子定数と熱収縮又は熱膨張によって実質的に一致するように設定する。 - 特許庁

The core fiber 13 is constituted with a core 11 of quartz glass and cladding 12 of fluorine containing resin of ultraviolet curing type, with which a protective layer 15 of ultraviolet-curing resin is brought into close contact with the outside of the core fiber, and the coating layer 14 is provided with close contact with the outside of the protective layer 15.例文帳に追加

石英ガラスのコア１１と紫外線硬化型フッ素含有樹脂のクラッド１２からなる光ファイバ素線１３の外周に、紫外線硬化型の樹脂からなる保護層１５が密着し、保護層１５の外側に被覆層１４が密着して設けられる。 - 特許庁

However, in the subsequent step, (a second) photosensitive resin layer 4A for forming an over-cladding layer is formed with a non-solvent type photosensitive resin composition and is heated prior to exposure and, thereby, the interface part between the core 3 and the photosensitive resin layer 4A is formed into a mixed layer 5.例文帳に追加

しかし、その後、オーバークラッド層形成用の（第２の）感光性樹脂層４Ａを、非溶剤系の感光性樹脂組成物で形成し、露光に先立って加熱することにより、コア３と感光性樹脂層４Ａとの界面部分を、混合層５に形成する。 - 特許庁

An object region to be measured 41, which is set in a multi-layer semiconductor 21, is etched from its growth layer side, and respective portions of a capping layer 34, a middle layer 33 and a p-type second cladding layer 32 in the object region to be measured 41 are removed.例文帳に追加

多層構造半導体２１に設定される測定対象領域４１に対して成長層側からエッチングが行われ、測定対象領域４１内で、キャップ層３４、中間層３３およびｐ型第２クラッド層３２の各一部が除去される。 - 特許庁

A p-side GRIN-SH layer 6 is constructed so as to make the composition continuously vary from a 1.15 μm band to InGaAlAs corresponding to a 1.0 μm band starting from the MQW absorption layer 5 to a p-type InP upper cladding layer 7.例文帳に追加

ｐ側ＧＲＩＮ−ＳＣＨ層６は、前記ＭＱＷ吸収層５から図１に示したｐ型ＩｎＰ上部クラッド層７へ向かって、組成が１．１５μｍ帯から１．０μｍ帯相当のＩｎＧａＡｌＡｓへと連続的に変化するように構成される。 - 特許庁

Current C injected from the p-side electrode 21 enters the n-type cladding layer 12 after lowering to the flat section 32 along the first level difference section 31, and flows toward the n-side electrode 22 laterally; and the path of the current C is separated from the second level difference section 33.例文帳に追加

ｐ側電極２１から注入された電流Ｃは、第１段差部３１に沿って平坦部３２まで下降してｎ型クラッド層１２に入ったのち、横方向にｎ側電極２２に向かって流れ、電流Ｃの経路が第２段差部３３から遠ざかる。 - 特許庁

To provide a nitride system light-emitting device which not only indicates superior current/voltage characteristics, in such a way that the ohmic contact properties with a p-type cladding layer is improved, but also improves the emission efficiency of the device by high translucency characterized by a transparent electrode.例文帳に追加

ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されて優秀な電流−電圧特性を表すだけでなく、透明電極が有する高い透光性によって素子の発光効率を高めうる窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of fine EA modulators 3 connected by optical waveguide core layers are scatteringly formed and a signal line electrode 12 connected to a metal electrode 7 and a ground line electrode 11 connected to an n type InP cladding layer 10 are formed with the fine EA modulators 3 sandwiched between the electrodes.例文帳に追加

光導波路コア層で連結された複数の微小ＥＡ変調器３を離散的に形成するとともに、金属電極７に接続されたシグナルライン電極１２およびｎ型ＩｎＰクラッド層１０に接続されたグランドライン電極１１を、微小ＥＡ変調器３を挟んで形成する。 - 特許庁

To provide a ridge-type semiconductor optical device having a structure of ensuring a route for directly radiating heat from a cladding layer to an electrode with large heat conductivity and preventing large deterioration in optical device characteristics even on the condition of high operating environment temperature, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、クラッド層から熱伝導率の大きい電極へ直接熱を放熱するルートを確保し、使用環境温度が高い条件でも光素子特性を大きく劣化させることを防ぐ構造のリッジ型半導体光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a coupling type mode devices such as a directional coupler and a mode conversion horn, their operations are dependent on common propagation of light in a fundamental mode and a higher order mode, and since the light is not so strongly confined in the waveguide core in those modes, polarization selectivity relates to birefringence in a cladding.例文帳に追加

方向性結合器やモード変換ホーンなどの結合型モード装置では、それらの動作が基本モードと高次モードでの光の共伝播に依存し、それらのモードでは、光が導波路コアにそれほど強く閉じ込められないので、偏光感度はクラッド内の複屈折に関連している。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a light-emitting element in which Zn in a p-type cap layer, consisting of GaAs, is prevented from being diffused into a cladding layer and an active layer, and thereby to provide a light-emitting element by which stable high output operation and high temperature operation can be performed and high reliability LED and LD can be obtained.例文帳に追加

ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層のＺｎをクラッド層や活性層に拡散させないようにした発光素子用エピタキシャルウェハ、従って、安定な高出力動作及び高温動作が可能で、且つ高信頼なＬＥＤ及びＬＤが得られる発光素子を提供すること。 - 特許庁

A codoped layer 13 made of GaN, in which one of silicon (Si) and germanium (Ge) as impurities serving as a donor and one of magnesium (Mg) and zinc (Zn) as impurities serving as an acceptor are codoped, is provided between a substrate 11 and a buffer layer 12, and a first n-type cladding layer 14.例文帳に追加

基板１１およびバッファ層１２と第１ｎ型クラッド層１４との間に、ドナーとして働く不純物であるシリコン（Ｓｉ）またはゲルマニウム（Ｇｅ）の一方およびアクセプタとして働く不純物であるマグネシウム（Ｍｇ）または亜鉛（Ｚｎ）の一方が共添加されたＧａＮよりなる共添加層１３を設ける。 - 特許庁

The cable type load sensor 10 comprises two conductors 11 which are arranged in parallel and a cladding part 12 which has elasticity and covers the two conductors 11, wherein the two conductors 11 are made of either one selected from the group consisting of a nickel-chromium alloy, an iron-nickel alloy, a copper-nickel alloy, and a nickel-titanium alloy.例文帳に追加

平行に配置された２本の導体１１と、弾性を有し上記２本の導体１１の周囲を覆う被覆部１２とからなり、上記２本の導体１１が、ニッケルクロム系合金、鉄ニッケル系合金、銅ニッケル系合金、ニッケルチタン系合金のいずれかからなるケーブル型荷重センサ１０である。 - 特許庁

A DFB laser device 10, an embedding hetero type having an oscillation wavelength of 1,550 nm, comprises, on an n-InP substrate 12, an n-InP buffer layer 14, an active layer 16, a p-InP spacer layer 18, a grating 20 consisting of GaInAsP layer, and a lamination structure of p-InP first cladding layer 22 in which a grating is embedded.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ素子１０は、発振波長が１５５０ｎｍの埋め込みへテロ型であって、ｎ-ＩｎＰ基板１２上に、ｎ-ＩｎＰバッファ層１４、活性層１６、ｐ-ＩｎＰスペーサ層１８、ＧａＩｎＡｓＰ層からなる回折格子２０、及び回折格子を埋め込んだｐ-ＩｎＰ第１クラッド層２２の積層構造を備える。 - 特許庁

A ridge-type semiconductor laser device manufacturing method comprises the steps of sequentially growing a cladding layer and an active layer on a substrate; and forming a ridge-shaped layer on the active layer, which consists of a conductive region forming a ridge portion and high-resistance regions, disposed on both sides of the conductive region.例文帳に追加

基板上にクラッド層、活性層を順次成長させる工程と、上記活性層上にリッジ部を構成する導電領域とこの導電領域の両側の高抵抗領域からなるリッジ型層を形成する工程と、からなることを特徴とするリッジ型半導体レーザの製造方法にある。 - 特許庁

The organic waveguide type optical modulator with the superior reliability can be provided which has constitution, capable of reducing curvature of a first substrate etc., by sandwiching a core layer where light is propagated, a cladding layer covering the core layer, and an electrode group to which a signal is applied for modulating the light between the first substrate and a second substrate.例文帳に追加

光が伝搬するコア層、コア層を覆うクラッド層、および光を変調するための信号が印加される電極群を第一の基板および第二の基板で挟むことにより、第一の基板のそりなどが低減できる構成となり、信頼性に優れた有機導波路型光変調器を提供することができる。 - 特許庁

To obtain a nonlinear optical material which is a waveguide type nonlinear optical material and effectively can performs poling without using a conductive polymer as a lower cladding layer, has a large electro-optic effect and excellent stability, and provide a method of manufacturing the same, and a nonlinear optical element using the nonlinear optical material.例文帳に追加

導波路型の非線形光学材料であって、下部クラッド層に導電性ポリマーを用いることなく有効にポーリングを行うことができ、電気光学効果が大きく、しかも安定性に優れる非線形光学材料、及びその製造方法、並びに上記非線形光学材料を用いた非線形光学素子を得ることである。 - 特許庁

A ferrite coating 13 is formed to cover a zirconium alloy part 12 on a surface in contact with cooling water when being loaded on the nuclear reactor, on a component used for a fuel assembly to be loaded on the water cooling type nuclear reactor, such as a fuel cladding tube 31, equipped with the zirconium alloy part 12 formed of an alloy mainly composed of zirconium.例文帳に追加

ジルコニウムを主成分とする合金によって形成されたジルコニウム合金部１２を備えた、たとえば燃料被覆管３１などの水冷却型の原子炉に装荷される燃料集合体に用いる部品に、原子炉に装荷されると冷却水と接する面にジルコニウム合金部１２を覆うようにフェライト被膜１３を形成する。 - 特許庁

To provide a core/cladding distributed refractive index type optical element preventing optical characteristics based on the part where the refractive index is deviated from the normal parabolic distribution from deteriorating, at the same time preventing flare light from invading and having excellent resolution even in the case being used for the optical device influenced by the near infrared ray region and a rod lens array using the same.例文帳に追加

屈折率が正規なパラボリック状分布から外れている部分による光学特性の低下を防止するとともに、フレアー光の侵入を防止し、近赤外域の影響を受ける光学装置に使用した場合でも、優れた解像度を有するコア／クラッド型屈折率分布型光学素子、およびこれを用いたロッドレンズアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a high corrosion resistance clad steel using an alloy excellent in general corrosion resistance in an acidic environment by the acid dew point in a coal combustion type plant and corrosion resistance in an Cl ion environment of high concn. in which Cl ions are condensed and concentrated into the water of dew condensation and also free from deterioration in corrosion resistance caused by sensitization even in as-rolled state, as a cladding material.例文帳に追加

この発明は、石炭燃焼型プラントにおける酸露点による酸性環境での耐全面腐食性、及びＣｌイオンが結露水中に凝縮濃化する高濃度のＣｌイオン環境での耐食性に優れ、且つ圧延ままでも鋭敏化による耐食性の劣化が生じない合金を合せ材とする高耐食性クラッド鋼を提供する。 - 特許庁

The p type cladding layer 20 has a first part 2 consisting of an AlGaInP layer doped with Mg with high concentration when it grows; a second part 3 consisting of an AlGaInP layer doped with Zn with low concentration when it grows; and a third part 4 consisting of an AlGaInP layer doped with Mg with high concentration when it grows from the side of the active layer 1.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２０が、活性層１側から、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第一部分２と、成長時にＺｎが低濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第二部分３と、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第三部分４とを有する構造とする。 - 特許庁

In the step index type plastic optical fiber, the materials of a core and a cladding consist of amorphous fluororesin having substantially no hydrogen atom, and the core material uses amorphous fluororesin having lower refractive index than before, and/or as the clad material amorphous fluororesin having lower refractive index than before is used, thereby increasing the difference in refractive index between the both materials.例文帳に追加

コアおよびクラッドの材料が実質的に水素原子を有しない非晶質フッ素樹脂からなり、しかもコアの材料として従来よりも高屈折率の非晶質フッ素樹脂を採用することにより、および／または、クラッドの材料として従来よりも低屈折率の非晶質フッ素樹脂を採用することにより、両材料の屈折率差を大きくしたステップインデックス型プラスチック光ファイバ。 - 特許庁