collapse techniqueとは 意味・読み方・使い方

The electronic circuit package has the hierarchy of liquidus temperature in mutual joining of solder limiting fused degree of the mutually joining of the solder with a C4 (current controlled collapse chip joining) technique between the following second level joining /assembling-treatment and a rework-treatment.例文帳に追加

電子回路パッケージは、次の第２レベルの接合／組立処理およびリワーク処理の間に、Ｃ４はんだ相互接続の溶融度を制限するはんだ相互接続の液相線温度の階層を有する。 - 特許庁

To provide a technique of enabling display fully using the dynamic range of display tones without collapse of high-frequency components, and avoiding the display of unnecessary pseudo-components.例文帳に追加

高周波成分が潰れること無く、表示諧調のダイナミックレンジをフルに使った表示を可能にすると共に、余計な擬似成分については表示しない技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a pattern forming technique capable of preventing a rectangular minute pattern having a size approximate to the limit resolution from easily becoming round, and forming minute pattern matching a target shape without causing shape collapse.例文帳に追加

本発明は、限界解像度に近いサイズの矩形状の微細パターンであっても円形になり難く、目的の形状に合致した微細パターンを型くずれすることなく形成できるパターン形成技術の提供を目的とする。 - 特許庁

To solve the problem in a technique for improving the performance of microphotofabrication using far ultraviolet ray light, particularly, ArF excimer laser having wavelength of 193 nm, more specifically, to provide a negative resist composition excellent in sensitivity, pattern shape and pattern collapse.例文帳に追加

遠紫外線光、特に波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを用いるミクロフォトファブリケーションの性能向上技術の課題を解決することであり、より具体的には、感度、パターン形状、パターン倒れに優れたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To solve problems on the technique for improving performances of microphotofabrication using far ultraviolet light, especially ArF excimer laser light of 193 nm wavelength, in particular, to provide a negative resist composition which avoids pattern collapse even in fine pattern formation and exhibits good resolution.例文帳に追加

本発明の目的は、遠紫外線光、特に波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを用いるミクロフォトファブリケーションの性能向上技術の課題を解決することであり、より具体的には、微細なパターン形成においてもパターン倒れがなく、良好な解像性を示すネガ型レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁

To solve the problems of the performance improving technique of microphotofabrication using far-ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light of 193 nm wavelength, specifically to provide a negative resist composition which, even in fine pattern formation, avoids pattern collapse and exhibits good resolution.例文帳に追加

本発明の目的は、遠紫外線光、特に波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを用いるミクロフォトファブリケーションの性能向上技術の課題を解決することであり、より具体的には、微細なパターン形成においてもパターン倒れがなく、良好な解像性を示すネガ型レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁